Intel mostró dos pruebas más 3D XPoint

El 18 de agosto, en el foro IDF 2015, Intel demostró por primera vez memoria en la tecnología 3D XPoint (punto de cruce). El próximo año, las unidades que utilizan este tipo de memoria aparecerán en el mercado bajo la marca Optane. Se informa que este es un tipo de memoria fundamentalmente nuevo que es diferente de las unidades de estado sólido de memoria flash. 3D XPoint debería ser mil veces más rápido que NAND y soportar mil veces más ciclos de escritura. El nuevo tipo de memoria tiene un orden de magnitud mayor densidad de datos.

Pero Intel y Micron, la segunda compañía en colaboración con la cual se creó la tecnología, ocultan tanto el principio de la nueva memoria como las ganancias reales de rendimiento.

Por el momento, ambas compañías son cautelosas sobre las ganancias de rendimiento general. También se sabe que la memoria estará disponible en forma de tiras DIMM y unidades de estado sólido. El precio de Optane también seguirá este principio: estará en algún lugar entre la memoria flash y los módulos RAM.

En octubre, durante una conferencia de Oracle OpenWorld, el CEO de Intel, Brian Krzhanich, mostró prototipos de memoria de la vida real y varias pruebas de la escena. Optane se compara nuevamente con el estado sólido convencional. Promesas estándar de nueva memoria




En las máquinas modernas, el rendimiento a menudo está limitado por la velocidad de E / S a la memoria de solo lectura. Por lo tanto, la nueva tecnología es tan importante para los sistemas de alto rendimiento, que sienten especialmente la falta de equilibrio entre la velocidad del procesador y su RAM. Para demostrar las pruebas, Krzhanich mostró desde el escenario la máquina en la que se realizaron las pruebas. El servidor observó un Oracle X5-2 estándar de una sola unidad con dos zócalos para procesadores Xeon E5 v3 (Haswell). El servidor es compatible con la tecnología NVM Express. Se lanzaron dos pruebas en el servidor utilizando el clon de Red Hat Enterprise Linux Oracle. Cada una de las pruebas se ejecutó en un procesador de estado sólido Optane y un Intel P3700 tradicional, este último actuando aquí como un "polvo normal". No se nombraron nombres de aplicaciones de prueba específicos.







La primera prueba mostró una ventaja de 4.42 veces el número de operaciones de E / S por segundo y un retraso de 6.44 veces menos. La segunda prueba habló de una ventaja aún más fuerte: 7.13 veces más velocidad, 8.11 veces menos retraso. Sería muy interesante saber qué se probó específicamente. El resultado mostrado es aproximadamente el mismo nivel que se demostró



en las FDI 2015 en agosto. Luego, Intel mostró con orgullo el escenario los números 5.46 y 7.23 veces el número de operaciones de E / S por segundo. Pero esto todavía está muy por debajo de las hermosas declaraciones sobre un crecimiento mil veces mayor. Krzhanich prometió que Optane dará aproximadamente 200 veces menos variabilidad. Probablemente, con esto quiso decir que el retraso en el acceso a los datos será en un cierto intervalo estrecho y no cambiará mucho. Intel quiere garantizar una mayor consistencia en el rendimiento, dijo Krzhanich.

3D XPoint es demasiado rápido para mantenerlo alejado del procesador. Optane estará disponible tanto en forma de unidades de estado sólido tradicionales, como en módulos RAM que no pierden datos cuando se desconectan. Desde el escenario, Krzhachin mostró un modelo mecánico del futuro módulo de memoria Optane, que se insertará en la ranura DDR4.

Además de la memoria caché, Intel dejó el mercado de módulos de memoria en 1985 debido a la intensa competencia. Parece que el año que viene tendrá lugar un retorno parcial. Krzhanich prometió trabajar con módulos de memoria Optane para pruebas este año. La memoria no volátil no se restablecerá cuando se pierde la energía, probablemente tenga que acostumbrarse a ella. Pero desconectar el servidor y robar los datos fallará porque están encriptados. Es fácil suponer que los listones de memoria DIMM pueden requerir lógica Intel propietaria, lo que impide su uso en soluciones de terceros.

Intel continúa manteniendo el velo del secreto sobre lo más importante: sobre qué principio es el trabajo de 3D XPoint. Todo lo que se sabe es el uso de una estructura 3D para crear celdas con un cambio de estado de fase para almacenar datos. (Es muy fácil encontrar una patente llamada " celda de memoria de punto X " , que se presentó en 2000). Ni Intel ni Micron ofrecen expectativas específicas sobre la vida de la celda de memoria. Intel niega categóricamente que 3D XPoint sea un memristor.

El alcance de Optane definitivamente no son las computadoras hogareñas. Intel ha hablado sobre esto antes, y la elección de eventos de Oracle sugiere centrarse en servidores para bases de datos y otras aplicaciones de big data. Optane se lanzará en 2016.

Source: https://habr.com/ru/post/es386323/


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