Samsung presenta nueva SSD de 32 TB

Unidad V-NAND de cuarta generación

Los SSD se están convirtiendo en sistemas de almacenamiento cada vez más populares. La razón principal es que la producción de SSD es más barata, el precio de las unidades está disminuyendo y la densidad de grabación de información está aumentando. Ahora están disponibles para un círculo de clientes mucho más amplio que hace 2-3 años. Los fabricantes no se detienen allí e intentan desarrollar unidades más avanzadas, rápidas y de bajo consumo con una gran cantidad de memoria.

El otro día, Seagate presentó el SSD de mayor capacidad del mundo con una capacidad de 60 TB. Samsung Corporation anunciósobre el lanzamiento de un disco ligeramente menos potente con una capacidad de 32 TB. Pero este sistema se creó utilizando la tecnología V-NAND de cuarta generación, por lo que fue posible lograr una ubicación más densa de la información y reducir el tamaño del disco. El SSD de Samsung mide 2.5 pulgadas y el de Seagate mide 3.5.

El nuevo SSD no está diseñado para instalarse en computadoras portátiles o PC normales. Esta unidad se posiciona como un sistema de almacenamiento de información corporativo. El SSD de Samsung se instalará en el hardware del servidor y en los sistemas de almacenamiento. Las compañías de telecomunicaciones que trabajan con un flujo de datos cada vez mayor requieren que los fabricantes produzcan sistemas de almacenamiento de datos más potentes con una mayor densidad de registro de información. La compañía está tratando de producir soluciones que satisfagan las necesidades modernas de tales compañías.

Samsung planea alcanzar 100 TB para un SSD normal para 2020. Como se mencionó anteriormente, el SSD de 32TB de Samsung es el primer dispositivo construido con tecnología V-NAND de cuarta generación. V-NAND es una tecnología de memoria flash "vertical" - 3D NAND. Las celdas de memoria se desarman no solo en el plano, sino también verticalmente, en capas. El SSD actual usa memoria con 64 capas. En la tercera generación de V-NAND había 48 capas.

En la matriz de 48 niveles, las capas verticales formaron un solo conjunto debido a la conexión a través de 1.800 millones de aperturas de canales. Dichos agujeros se crean utilizando una técnica de grabado especial. Cada chip fabricado de acuerdo con la metodología anterior, como resultado, contiene 85.3 mil millones de células. Cada celda almacena 3 bits de datos. El chip V-NAND de tercera generación proporciona almacenamiento de 256 GB de datos. Tales chips se apilan en capas.

Según Samsung, el modelo de 32 TB es más rápido y más confiable que el anterior poseedor del récord de 15.36 TB. Las especificaciones para el nuevo disco se presentarán más adelante, aunque ya hay algunos detalles técnicos. Este modelo SSD pertenece al tipo de unidades SAS (SCSI con conexión en serie). Es incompatible con las ranuras NVMe, que se están volviendo más comunes en un nuevo tipo de dispositivo de almacenamiento. Samsung cree que SAS dominará en el futuro cercano, por lo que en el futuro cercano la compañía planea lanzar este tipo de SSD.

La corporación surcoreana también presentó Z-SSD, memoria flash NAND, que se posiciona como almacenamiento para centros de datos, que albergarán caché u otros datos temporales. Estos tipos de medios están destinados a la instalación en matrices flash, donde los resultados de cómputo intermedios se almacenan durante el procesamiento de grandes matrices de datos por sistemas informáticos altamente cargados. La velocidad de escritura secuencial en el Z-SSD es 1.6 veces más rápida que la SSD Samsung PM963 NVMe. Las Z-SSD se lanzarán al mercado el próximo año.

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