Enregistrement d'informations au niveau atomique à l'aide d'ions

Mirko Hansen examine des cellules de mémoire fabriquées dans une salle blanche de l'Université de Kiel. Des

scientifiques des universités de Kiel et de la Ruhr (Allemagne) ont découvert une nouvelle méthode de stockage d'informations dans laquelle des ions sont utilisés pour écrire des données et des électrons pour lire. En conséquence, il devient possible d'abandonner le modèle traditionnel dans les appareils électroniques. Cela ouvre la voie à une miniaturisation sans précédent des périphériques de stockage. Ils peuvent aller littéralement au niveau atomique.

Les technologies de mémoire traditionnelles impliquent le déplacement d'électrons en appliquant une tension, mais cette configuration est presque à la limite en termes de développement futur. Par conséquent, l'industrie et le monde universitaire explorent actuellement une solution universelle qui permettrait un mouvement d'électrons minimal.

Des spécialistes de l'Université de Kiel et de la Ruhr recherchent des appareils qui fonctionnent grâce à la résistance électrique. Ils ont développé un composant à partir de Nb / Al / Al2O3 / NbxOy / Au, qui est capable de travailler sur de telles lignes. Son schéma est illustré dans l'illustration. Si une tension est appliquée, la résistance de la cellule de mémoire change.



Le composant comprend deux électrodes métalliques séparées par un soi-disant conducteur d'ions solides. Ce qui est caractéristique, les composants du système sont fabriqués de telle manière qu'ils sont non seulement faciles à produire, mais peuvent également être réduits pratiquement à la taille d'un atome.

Le professeur Hermann Kohlstedt, chef du groupe nanoélectrique à l'Université de Kiel, dans une interview accordée à Nanoweek, a déclaré que cet appareil "se déplace plus ici et là que calculé".

Si vous créez des cellules de mémoire au niveau atomique, cela fera non seulement avancer l'électronique, mais créera même un simulateur du cerveau humain.

Source: https://habr.com/ru/post/fr385169/