Intel est prêt à commencer la production de mémoire MRAM

Ainsi, un type fondamentalement nouveau de mémoire informatique, appelé successeur de la DRAM et de la NAND et démontré à la fin de l'année dernière par Samsung et Intel, commence à prendre la forme d'un vrai produit. Au moins, un pas de plus a été franchi dans cette direction: selon Intel, il est prêt dans un proche avenir à commencer la production de MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) à l'échelle industrielle.

Nous ne nous attarderons pas sur l'appareil et les principes de fonctionnement de la mémoire MRAM en détail - vous trouverez beaucoup d'informations détaillées sur le lien ci-dessus. On ne note que ses principales caractéristiques. Ainsi, Intel utilise le schéma «écriture-vérification-écriture» et la technologie de mesure du courant en deux étapes afin de construire des matrices STT-MRAM perpendiculaires de 7 mégaoctets (MRAM à transfert de couple par rotation) créées à l'aide de la technologie FinFET 22 nm.


Disposition des cellules MRAM

Étant une mémoire non volatile, les matrices MRAM offrent une sécurité des données jusqu'à 10 ans à une température de 200 ° C, supportent jusqu'à 10 ⁶ cycles d'écriture et jusqu'à 10 ¹² cycles de lecture. En plus d'une grande fiabilité, la MRAM démontre un niveau de rendement du produit étonnamment bon (seulement 0,1% de rejet), ce qui affectera sans aucun doute le coût.

Nous donnons dans l'assiette d'autres caractéristiques:

La technologie	22FFL FinFET
Type de cellule	1T1MTJ
Taille de cellule	0,0486 µm 2
Le volume	7 Mo
Densité (y compris ESA)	10,6 Mb / mm 2
Temps de lecture	4 ns à 0,9 V, 8 ns à 0,6 V
Durée d'enregistrement	10 μs pour le bit de fin
Protection anti-débordement	Oui

La technologie MRAM aidera à dépasser la limite atteinte de miniaturisation des éléments de mémoire. En outre, MRAM peut être utilisé dans une variété de conditions, ce qui le rend optimal pour divers appareils de l'Internet des objets. En tant que mémoire volatile peu coûteuse pour ces appareils, vous pouvez utiliser la RAM résistive (ReRAM) - un autre type de mémoire sur lequel Intel travaille activement. Ici, vous vous souvenez d' Optane Memory - le travail dans ce sens bat également son plein. C’est le nombre d’espèces que vous obtenez Comme on dit, plus de mémoire, bonne et différente.