लैपटॉप के लिए पावर बैंक का विकास। लेआउट से तैयार उत्पाद तक। भाग एक

मैं पार्क में काम करने के लिए 3-4 साल पहले अपने लिए एक बाहरी लैपटॉप बैटरी बनाना चाहता था। हालाँकि मुझे गोर्की पार्क या बिटसेवस्की फ़ॉरेस्ट (अब के लिए) में आरेख और ट्रेस बोर्ड खींचने के सपने का एहसास नहीं हुआ, मैंने एक बाहरी बैटरी बनाई (चलो इसे आधुनिक कहते हैं - पावरबैंक)। इस उपकरण के बारे में ब्रेडबोर्ड मॉडल से अंतिम उत्पाद तक कैसे गया और मैंने बिल्ली के नीचे बाजार पर पहले से ही क्या किया।



प्रारंभ में, मैं पावरबैंक विकास के बारे में एक छोटा लेख लिखना चाहता था, लेकिन जब मैंने शुरू किया, तो मुझे एहसास हुआ कि एक हिस्सा अपरिहार्य था। इसलिए, मैंने इसे 4 भागों में तोड़ दिया और अब मैं आपके ध्यान में सबसे पहले उन्हें लाता हूं: लेआउट (सर्किटरी)।

जाहिर है, किसी भी इलेक्ट्रॉनिक उपकरण का विकास एक तकनीकी विनिर्देश (टीओआर) के साथ शुरू होता है, इसलिए मैंने अपने लिए कई मापदंडों की रूपरेखा तैयार की है जो मेरे पावरबैंक को प्रदान करने चाहिए:

• 19V इनपुट वोल्टेज (मानक लैपटॉप मेमोरी से चार्ज करने की संभावना के लिए)
• 19V आउटपुट वोल्टेज (एक मानक मेमोरी के साथ)
• अधिकतम उत्पादन वर्तमान 3.5A (एक मानक मेमोरी के साथ)
• सेल की क्षमता कम से कम 60W * h (+1 आंतरिक बैटरी)

बुनियादी आवश्यकताओं के अलावा, मैंने कुछ और जोड़े:

• कनवर्टर और मेमोरी की दक्षता 94% से कम नहीं है - रेडिएटर के बिना करने के लिए।
• 300 — .
• USB PowerBank , , , , ..
• (Windows) PowerBank.
• , 5 USB .
• PowerBank.
• () PowerBank .

विकास शुरू करने के लिए, मैंने भविष्य के डिवाइस का एक ब्लॉक आरेख बनाया:



योजना पर टिप्पणी करते हुए, मैं कह सकता हूं कि मैं USB से प्रबंध निदेशक ले सकता हूं, लेकिन यूएसबी सॉफ्टवेयर के विकास की कठिनाइयों से डरता था (बाद में मुझे एहसास हुआ कि यह व्यर्थ था), इसलिए मैंने USART - USB कनवर्टर स्थापित किया।

चूंकि डिवाइस मूल रूप से खुद के लिए विकसित किया गया था, यह मुख्य रूप से उन हिस्सों से लेआउट बनाने का निर्णय लिया गया था जो मेरे कब्जे में थे और जिसके साथ मैंने पहले ही काम किया था (नुकसान से बचने के लिए)। हालाँकि, इस स्तर पर मूल्य अनुकूलन नहीं किया गया था। इसलिए, मैंने पावरबैंक के लिए निम्नलिखित घटकों को चुना:

1. MK - STM32F051K4U6 को STM32F042K4U6 से देखा गया।
2. USART <-> USB से CP2102 कन्वर्टर। यह महंगा नहीं है, यह ठीक काम करता है, यह थोड़ी जगह लेता है, एक रन-इन समाधान।
3. — LTC3780IG. / , -, 400, , . LM5175 TI .
4. — LP2951ACD-3.3. , . 120 MCP1703T-3302E/CB 5.
5. 0805.
6. SMD.

अलग से, हम एक चार्जर (चार्जर) और ली-आयन बैटरी (ली-आयन बैटरी मैनेजमेंट सिस्टम या बीएमएस) के लिए एक नियंत्रण और प्रबंधन प्रणाली की पसंद को छूते हैं। कुछ साल पहले, मैं लैपटॉप की मरम्मत कर रहा था और अक्सर बैटरी में टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स से बीएमएस देखा। इसलिए, सबसे पहले, मैंने इस निर्माता से अपने डिवाइस के लिए समाधान ढूंढना शुरू किया। यह ध्यान देने योग्य है कि, सामान्य रूप से, कोई विकल्प नहीं है, क्योंकि केवल कुछ ही कार्यालय ऐसे माइक्रोक्रिसिप्ट्स (टीआई, मैक्सिम, कुछ एलटी, एसटी परित्यक्त होते हैं, Intersil हमारे लिए विदेशी है, शायद अधिक है, लेकिन मुझे पता नहीं है)। तो ti.com के विस्तार में इधर-उधर भटकना मुझे एक बहुत ही रोचक चिप BQ40Z60RHBR पर आयाये एक चिप में मेमोरी और BMS हैं। मैं वास्तव में इसे पसंद करता था क्योंकि इसने 2 माइक्रोक्रेसीपेट्स बदले। यह समाधान स्पष्ट रूप से सस्ता है यदि आप अलग से मेमोरी और बीएमएस करते हैं और कम जगह लेते हैं। BQ40Z60 चिप की मुख्य प्रदर्शन विशेषताएं:

• चार्ज वर्तमान: 4 ए तक
• कोशिकाओं की संख्या: 4x तक
• रूपांतरण आवृत्ति: 1MHz
• इनपुट वोल्टेज: 25V तक
• सेल की क्षमता: 65A * h तक
• संतुलन कार्य
• संकेत के लिए विन्यास योग्य एल ई डी (चार्ज, क्षमता)

चिप काफी नया है (2014 के अंत में रिलीज), इसलिए इस पर बहुत कम जानकारी है और मैं इस वजह से थोड़ा चिंतित था, यह जानना कि टीआई से बीआई को प्रोग्राम करना काफी कठिन है, और यह एक कॉम्बो (मेमोरी + बीएमएस) भी है। मैंने क्रिस्टल में संभावित जाम के बारे में थोड़ा चिंतित किया, लेकिन यह जानकर कि मैं केवल मूल कार्यक्षमता का उपयोग करूंगा, मुझे उम्मीद थी कि कोई समस्या नहीं होगी। हालाँकि, आगे देखते हुए, मैं कहता हूँ कि यह हुआ।
वैसे, यह व्यर्थ नहीं था कि मैंने कोशिकाओं और बैटरी के विन्यास के बारे में व्यावहारिक रूप से कुछ नहीं कहा, केवल अब विकल्प पर जाने का समय आ गया है। इष्टतम बैटरी कॉन्फ़िगरेशन चयन के लिए कई मानदंड हैं:

1. . 4 ( 4s1p 4-serial 1-parallel) , 4 (1s4p) . .
   
   
   
   
2. , , ( ) . 4s1p.
3. . MP2307DN.
   
   

यह देखते हुए कि 19V डिवाइस का आउटपुट वोल्टेज, फिर से, 4s1p कॉन्फ़िगरेशन सबसे अधिक फायदेमंद है।

अब हम 60W * h क्षमता, 4s1p कॉन्फ़िगरेशन (वोल्टेज 14.8V) की स्थिति के तहत बैटरी के कुछ मापदंडों की गणना करेंगे:



मुझे जो आंकड़ा मिला वह बहुत छोटा था (अच्छी तरह से, या भूख भोजन के साथ आई थी) और मैंने LP 5558115 3500mAh की कोशिकाओं पर 4sP कॉन्फ़िगरेशन को स्विच करने का निर्णय लिया, जो स्टॉक में थे। कुल हमारे पास:

बैटरी क्षमता: 7A * h (103W * h)
वोल्टेज: 14.8V

यह परिणाम मुझे काफी अच्छी तरह से अनुकूल है - यह मेरे लैपटॉप की दो आंतरिक बैटरी (ASUS S451L, 46W * h) से अधिक था। लेआउट का विकास शुरू हुआ ...

लेआउट चरण में, मैं कुछ अतिरिक्त सुविधाएँ रखना चाहता था:

• BQ40Z60 एल ई डी से जुड़ा। उनके पास समायोज्य थ्रेसहोल्ड, साथ ही चार्जिंग प्रक्रिया के साथ चार्ज स्तर का एक कार्यात्मक संकेत है।
• कनवर्टर की आवृत्ति / मोड (बंद या निष्क्रिय धाराओं) को समायोजित करने की क्षमता जोड़ा गया (पीडब्लूएम एमके + आरसी फिल्टर का उपयोग करके)।

मैंने BQ40Z60EVM-578 डिबग बोर्ड से BQ40Z60 बाइंडिंग सर्किट को स्केच किया, इसके डॉक्यूमेंटेशन से LTC3780IG बाइंडिंग की, मैंने खुद बाकी की। परिणाम निम्न योजना है ।

इस योजना को 3 खंडों में विभाजित किया गया है:

• वोल्टेज कनवर्टर इकाई
• भंडारण इकाई + बीएमएस
• एमके नियंत्रण इकाई

योजना पर टिप्पणियाँ: कनवर्टर यूनिट और चार्जर + बीएमएस को प्रलेखन [1] , [2] से योजनाओं के अनुसार बनाया गया है , नियंत्रण इकाई को बंद मोड में न्यूनतम वर्तमान खपत के लिए एक नींद मोड को लागू करने के लिए बनाया गया था। आगे देखते हुए, मैं कहता हूँ कि मैंने कुछ क्षणों में यह किया था, लेकिन एक चाकू और टांका लगाने वाले लोहे की मदद से मैं लेआउट के काम को करने में सक्षम था जैसा कि इसे करना चाहिए। परिणामी बोर्ड को नीचे दिखाया गया है:



बोर्ड में 18 मिमी की 4 परतें हैं, 1 मिमी की कुल मोटाई, sawedstudio.com पर ऑर्डर की गई है।

अब यह लोहे की गुणवत्ता के मुख्य संकेतक पर स्पर्श करने का समय है - यह संपूर्ण प्रणाली की दक्षता है। अधिक सटीक रूप से, हमारे पास 2 दक्षता है: बैटरी चार्ज करते समय और जब डिस्चार्जिंग। कड़ाई से बोलते हुए, चार्ज की दक्षता केवल डिवाइस के हीटिंग को कम करने के लिए अनुकूलित की जानी चाहिए (यह मानते हुए कि हमारे पास चार्ज के लिए बहुत अधिक ऊर्जा है), जबकि निर्वहन के दौरान दक्षता का नुकसान वास्तव में पावरबैंक की वास्तविक क्षमता को कम करता है। आइए उन तत्वों की एक सूची बनाएं जो चार्ज करते समय दक्षता को सीधे प्रभावित करते हैं:



ACFET - एक ट्रांजिस्टर जो बैटरी से पावरबैंक का उपयोग करते समय बाहरी पावर कनेक्टर पर वोल्टेज की उपस्थिति को रोकता है।
HighSideFET - चार्जर के स्टेप-डाउन कनवर्टर का ऊपरी ट्रांजिस्टर।
LowSideFET - मेमोरी हिरन कनवर्टर के निचले ट्रांजिस्टर।
BuckInductor - मेमोरी हिरन कनवर्टर का थ्रॉटल।
CHGRCS - मेमोरी करंट सेंसर का प्रतिरोधक।
CHGFET - बैटरी चार्जिंग ट्रांजिस्टर।
DSGFET - डिस्चार्ज ट्रांजिस्टर बैटरी।
सेलसीएस एक बैटरी करंट सेंसर रेसिस्टर है।

ट्रांजिस्टर ACFET, CHGFET और DSGFET को ऑपरेशन के दौरान केवल स्थैतिक नुकसान होता है क्योंकि वे लगातार खुले होते हैं और प्रतिरोध के साथ होते हैं जो Rds_on ट्रांजिस्टर के खुले चैनल प्रतिरोध के बराबर होते हैं, इसलिए इन ट्रांजिस्टर में सबसे कम Rds_on होना चाहिए। मैंने अपने पसंदीदा pqfn5x6 की तुलना में pqfn3.3x3.3 ट्रांजिस्टर मामलों को उपयुक्त शक्ति के रूप में चुना और एक छोटे आकार का था। आसानी से सुलभ लोगों के सबसे छोटे चैनल प्रतिरोध के साथ IRFHM830D (Rds_on = 5mOhm + Schottky diode) थे।

HighSideFET और LowSideFET ट्रांजिस्टर एक स्पंदित मोड में काम करते हैं, उनका चयन जटिल है और बाद में विचार किया जाएगा।

आइए इनपुट वोल्टेज 19V, बैटरी चार्ज वर्तमान 4 ए, कॉन्फ़िगरेशन 4s1p:

सेलसीएस - वर्तमान के माध्यम से नुकसान का मूल्यांकन करने की कोशिश करें, इसके माध्यम से वर्तमान चार्ज चार्ज के बराबर है, प्रतिरोध 5mOhm है, नुकसान:



CHGRCS - इसके माध्यम से वर्तमान चार्ज वर्तमान के बराबर है, प्रतिरोध 10mOhm, प्रतिरोध:



CHGFET और DSGFET - वर्तमान के माध्यम से। उनमें से चार्ज चार्ज करंट के बराबर है, प्रतिरोध 5mOhm, कुल हानियाँ:



ACFET - इसके माध्यम से करंट इनपुट करंट के बराबर है (अधिकतम संभव इनपुट करंट 3.5A लें जो अधिकतम एक रेग्युलर लैपटॉप मेमोरी दे सकती है), प्रतिरोध 5MOhm, हानियाँ:



यहाँ आप नुकसान जोड़ सकते हैं सेल-बोर्ड के तारों के प्रतिरोध पर, और टी साथ ही बोर्ड की पटरियों को भी। मैंने 4 ए की बैटरी सर्किट में एक वर्तमान में वोल्टेज ड्रॉप को मापकर उनकी गणना की, यह 36mV था, जो बिजली से मेल खाती है:



BuckInductor - गला घोंटना में नुकसान को 2 घटकों में विभाजित किया जा सकता है:

• (DCR — dc winding resistance). IHLP2525CZER2R2M01 DCR = 18, 4 :
  
  
  
  
• , Vishay , 20%, .

स्थैतिक घटकों पर कुल कुल हानि होती है:



कुल प्रभार हानि प्राप्त करने के लिए, हाईसाइड एफईटी और लोस्साइड एफईटी ट्रांजिस्टर पर नुकसान का अनुमान लगाना आवश्यक है। फेयरचिल्डसेमी के अपॉइंट एएन -6005 ने मुझे इसमें मदद की । संक्षेप में, कंट्रोलरड्राइवर टैब पर, हमारे कंट्रोलर को डेटाबेस में जोड़ें और तालिका में आवश्यक पैरामीटर दर्ज करें:



हम BQ40Z60 के लिए प्रलेखन से डेटा लेते हैं । इसके बाद, MOSFETDatabase टैब पर HighSideFET और LowSideFET ट्रांजिस्टर के मापदंडों के साथ तालिका भरें:



हम ट्रांजिस्टर के लिए प्रलेखन से डेटा भी लेते हैं। मैंने कई ट्रांजिस्टर के साथ प्रयोग किया (आधार से देखा गया) क्योंकि 1 मेगाहर्ट्ज में रूपांतरण आवृत्ति काफी अधिक है। उन सभी ट्रांजिस्टरों में से जिन्हें मैं जल्दी प्राप्त कर सकता था, TI से CSD17308 सर्वश्रेष्ठ था। हालाँकि, ये सिर्फ BQ40Z60EVM व्हेल से अनुशंसित ट्रांजिस्टर हैं । सर्वश्रेष्ठ गणना ईपीसी (कुशल विद्युत रूपांतरण) से ईजीएनए ट्रांजिस्टर थे, लेकिन 500 आर की कीमत, एक महीने की प्रतीक्षा और एक विशिष्ट मामला इसके खिलाफ खेला गया। MOSFETDatabase टैब से कुछ और टिप्पणियां:

सही कॉलम - Fig.Merit (योग्यता का चित्र - गुणवत्ता स्कोर) Rds_on और Qgsw शटर चार्ज का उत्पाद है। सामान्य तौर पर, Fig.Merit, बेहतर ट्रांजिस्टर जितना कम होगा, लेकिन आपको यह समझने की आवश्यकता है कि यह एक काफी अनुभवजन्य संकेतक है।

EfficiencySummary टैब पर, नियंत्रक, प्रयुक्त ट्रांजिस्टर और उनकी संख्या का चयन करें, स्रोत पैरामीटर सेट करें और रन बटन पर क्लिक करें।



4A के चार्ज करंट और 19V के इनपुट वोल्टेज के लिए, नुकसान 1.17W होगा। कुल नुकसान:



लेआउट को इकट्ठा करने के बाद, मैंने चार्ज सर्किट को उसी मापदंडों के साथ मापा, जैसा कि अनुमानित गणना में है:



सर्किट की दक्षता 97.1% है, जबकि गणना किए गए 2.07W पर बिजली का नुकसान 1.908W था। खैर, नुकसान का अनुमान लगाने के लिए यह बहुत करीब निकला। एक कार्यशील उपकरण का थर्मोग्राम चित्र में दिखाया गया है।



परिवेश तापमान 23 डिग्री, आवास के बिना बोर्ड। सबसे गर्म बिंदु पर 58 डिग्री (ओवरहीटिंग 58-23 = 35 डिग्री है) 18 माइक्रोन की पन्नी के साथ यह एक बहुत अच्छा संकेतक है। एक ही समय में गला घोंटना 40 तक गर्म होता है - सबसे अधिक संभावना है कि यह ट्रांजिस्टर द्वारा गरम किया जाता है। नियंत्रक ने खुद को 52 डिग्री तक गर्म किया।

अब हम डिस्चार्ज के दौरान सिस्टम की दक्षता का अनुमान लगाते हैं। शुरुआत से ही हम कनवर्टर में होने वाले नुकसान का मूल्यांकन करेंगे। ऐसा करने के लिए, हम सीधे दक्षता को प्रभावित करने वाले तत्वों की एक सूची संकलित करते हैं:



ए LTC374 कनवर्टर के निचले हाथ का ऊपरी ट्रांजिस्टर है।
बी - कम ट्रांजिस्टर कम हाथ।
C बढ़ते हुए कंधे का निचला ट्रांजिस्टर है।
D बढ़ते हुए कंधे का ऊपरी ट्रांजिस्टर है।
एल - थ्रॉटल।
RS वर्तमान सेंसर का अवरोधक है।

और निश्चित रूप से LTC3780 नियंत्रक खुद की खपत। मैं विस्तार से माइक्रोकिरिट के संचालन पर ध्यान केंद्रित नहीं करूंगा, मैं केवल यह कह सकता हूं कि यह वास्तव में एक सामान्य प्रारंभ करनेवाला के साथ एक स्टेप-अप कनवर्टर के बाद एक स्टेप-डाउन कनवर्टर का प्रतिनिधित्व करता है। इनपुट और आउटपुट वोल्टेज के आधार पर, एक हिस्सा, या दूसरा, या दोनों काम करता है (इनपुट और आउटपुट वोल्टेज की अनुमानित समानता के साथ)।

कनवर्टर की दक्षता की गणना करने के लिए, हम निम्नलिखित मापदंडों का उपयोग करेंगे:



आइए सहमत हैं कि एक लैपटॉप हमेशा अधिकतम तक खपत करता है। वास्तव में, यह सच्चाई के करीब है, क्योंकि ऊर्जा के अलावा, एक बाहरी स्रोत को जोड़ने पर, यह आंतरिक बैटरी को चार्ज करने के लिए ऊर्जा की खपत भी करता है, और सामान्य तौर पर, अगर बाहरी शक्ति होती है, तो यह खपत से इनकार नहीं करता है। वोल्टेज कोशिकाओं के रेटेड वोल्टेज के अनुरूप हैं - 3.7 वी और निम्न - 3.3 वी। यह ध्यान रखना महत्वपूर्ण है कि वर्तमान डिवाइस में कनवर्टर हमेशा बूस्ट मोड में काम करता है (इनपुट वोल्टेज कभी भी आउटपुट वोल्टेज से अधिक नहीं होता है), लेकिन इसका मतलब यह नहीं है कि ट्रांजिस्टर ए और बी स्विच नहीं करते हैं। बूटस्ट्रैप संधारित्र को चार्ज करने के लिए, ट्रांजिस्टर ए को संक्षेप में बंद करें और बी को चालू करें (ट्रांजिस्टर सी और डी के लिए कम मोड में काम करते समय यही बात होगी)। LTC3780 के लिए, यह 40kHz की आवृत्ति पर होता है।

नुकसानों का अनुमान लगाने के लिए, हम LTC3780 के LTTCAD2 पैकेज के लिए xls फ़ाइल का उपयोग करते हैं । ऑपरेशन का सिद्धांत BQ40Z60 के लिए xls के साथ पिछले काम के समान है। हम आउटपुट वोल्टेज और वर्तमान, इनपुट वोल्टेज, वांछित रूपांतरण आवृत्ति, प्रमुख ट्रांजिस्टर के मापदंडों के सभी मान दर्ज करते हैं (मैंने मेमोरी में CSD17308 का उपयोग करने का फैसला किया है)। प्रारंभ करनेवाला IHLP5050EZER3R3M01 का चयन किया गया, जिसमें एक विशिष्ट DCR = 7.7mOhm है। 3.5A के लिए, इंडक्शन छोटा है, ऐसा इसलिए हुआ क्योंकि जब मैंने घटकों को खरीदा था, तो मैं 4.5A के आउटपुट करंट पर गिन रहा था। वर्तमान कॉन्फ़िगरेशन के लिए, IHLP5050EZER4R7M01 एक विशिष्ट DCR = 12.8mOhm के साथ एक आदर्श विकल्प होगा। वर्तमान सेंसर - 5mOhm के प्रतिरोध के साथ आकार 2512 का अवरोधक।

MOSFETs पावर लॉस ब्रेक डाउन और अनुमानित दक्षता क्षेत्रों में सभी डेटा दर्ज करने के बाद, घटक हानि वितरण और निर्दिष्ट इनपुट / आउटपुट वोल्टेज और लोड वर्तमान के लिए दक्षता आकलन के पाई चार्ट होंगे।



दक्षता का अनुमान बहुत आशावादी है - 14.8V के इनपुट वोल्टेज पर 98.79% और 13.2V पर 98.51% (प्रारंभ में कोर में नुकसान को छोड़कर आंकड़े)। जिन मुख्य तत्वों पर नुकसान होता है वे प्रारंभ करनेवाला / चालू सेंसर (23%), ट्रांजिस्टर ए (25%) और डी (कुल नुकसान का 38%) हैं।

यह वास्तविक दक्षता को मापने का समय है।



मापा दक्षता 14.8V के इनपुट वोल्टेज पर 96.93% और 13.2V पर 96.35% है। आइए हम प्राप्त आंकड़ों का विश्लेषण करें। ऐसा करने के लिए, हम बिजली की हानि में प्रतिशत दक्षता का अनुवाद करते हैं:



इस मामले में, विसंगति स्मृति कनवर्टर और 1.48W की मात्रा में नुकसान के अनुमान की तुलना में अधिक महत्वपूर्ण है। लेकिन अगर हम प्रारंभकर्ता के मूल में नुकसानों को ध्यान में रखते हैं (जो कि एक चयनित चयन के साथ उपेक्षित नहीं हो सकते हैं), तो तस्वीर इतनी निराशाजनक नहीं होगी।

चलो औसतन (13.2 वी पर) डिस्चार्ज पर पावरबैंक दक्षता का अनुमान लगाते हैं। यह रूप में, कनवर्टर खुद की दक्षता के होते हैं और साथ ही:

- CellCS यह माध्यम से वर्तमान कनवर्टर के इनपुट वर्तमान के बराबर है, प्रतिरोध 5mOhm, हानि है:



-: CHGFET और DSGFET उन के माध्यम से वर्तमान कनवर्टर के इनपुट वर्तमान के बराबर है, प्रतिरोध 5mOhm, कुल नुकसान है



निर्वहन के दौरान फिर PowerBank दक्षता:



thermogram 14.4 वी के इनपुट वोल्टेज और 3.5 ए के आउटपुट करंट के साथ कनवर्टर नीचे दिखाया गया है:



ट्रांजिस्टर सी सबसे गर्म बिंदु निकला, लेकिन इसके हीटिंग (21 डिग्री के परिवेश में) ऑपरेशन के 30 मिनट बाद केवल 41.1 डिग्री था। यह स्पष्ट है कि मामले में ये संख्या अधिक होगी, लेकिन ओवरहीटिंग रिजर्व बहुत बड़ा है।

और लेख के पहले भाग के निष्कर्ष में, मैं यह कहना चाहूंगा कि काम बहुत बड़ा था, और लेख के दूसरे भाग में हम लेआउट शुरू करते समय हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर रेक पर एक नजर डालेंगे, एसटीएम 32 एफ 60 और बीटीएम 40 एफ 60 और सॉफ्टवेयर को कॉन्फ़िगर करेंगे। मुझे उम्मीद है कि यह दिलचस्प था।

PS: ड्राफ्ट बोर्ड और स्रोत कोड के साथ पुरालेख को लेख के निम्नलिखित भागों में पोस्ट किया जाएगा।
पीपीएस ने देखा कि यह लेख के इस हिस्से के लिए लगभग सबसे महत्वपूर्ण बात भूल गया - लेआउट की एक तस्वीर। सही बात

बोर्ड पर आप सुधारों के निशान देख सकते हैं, साथ ही एक बैकपैक में खुले पहनने के निशान (उस क्षेत्र में जले हुए ट्रैक जहां बैटरी कनेक्ट है)। लेआउट निश्चित रूप से सबसे सुरुचिपूर्ण नहीं है, लेकिन इस रूप में भी इसका उपयोग किया जा सकता है।

Source: https://habr.com/ru/post/hi386099/