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NUST "MISiS" के प्रोफेसर की भागीदारी वाले वैज्ञानिकों के एक अंतरराष्ट्रीय समूह ने सर्गेई ब्रेज़ोव्स्की ने टैंटलम डाइसल्फ़ाइड की उच्च-स्तरित सामग्री का अध्ययन प्रस्तुत किया, जिससे पता चला कि इसके प्रतिरोध को एक उच्च गति पर एक विद्युत कंडक्टर से एक इन्सुलेटर और इसके विपरीत में परिवर्तित किया जा सकता है। अल्ट्राफास्ट "स्विचिंग" आपको नवीनतम इलेक्ट्रॉनिक्स में नई पीढ़ी के गैर-वाष्पशील स्मृति तत्व के रूप में सामग्री का उपयोग करने की अनुमति देता है।

मई 2016 में, जर्नल नेचर कम्युनिकेशंस ने लेख 1 को एक अध्ययन के आधार पर प्रकाशित किया, जो प्रोफेसर सर्गेई ब्रेज़ोव्स्की के सैद्धांतिक काम का संश्लेषण है, जो NUST MISiS और नेशनल सेंटर फॉर साइंटिफिक रिसर्च (CNRS, फ्रांस) में किया गया और संस्थान में प्रोफेसर ड्रेगन मिखाइलोविच की देखरेख में एक प्रयोग किया गया। जोजफ स्टेफान लजुब्लजाना (स्लोवेनिया) में।

प्रोफेसर सेर्गेई ब्रेज़ोवस्की टैंटलम डाइसल्फ़ाइड के पदार्थ के विशेष अव्यक्त अवस्था के एक सैद्धांतिक विवरण का निर्माण करने में सक्षम थे, जिसे यह सामग्री केवल बाहरी प्रभावों के प्रभाव में प्राप्त कर सकती है। इस अद्वितीय रासायनिक यौगिक में एक अस्थिर आंतरिक इलेक्ट्रॉन जाली है, जो बाहरी आवेग के कारण मूल रूप से बदल सकती है, अंततः सामग्री के भौतिक गुणों को बदल सकती है।अव्यक्त अवस्था को प्रायोगिक रूप से केवल 2014 में वैज्ञानिकों द्वारा खोजा गया था।

एक कंडक्टर-इन्सुलेटर के स्विचिंग राज्यों के मॉडल का वर्णन करने के लिए वैज्ञानिक ने पहले निर्मित सिद्धांत का विकास किया।

“हमने आरोपित डोमेन दीवारों (सामान्य और अव्यक्त राज्यों में नमूना के क्षेत्रों को अलग करने वाली सीमाओं) के नेटवर्क के गठन के लिए एक जटिल तंत्र की खोज की, जो इलेक्ट्रॉनिक जाली की अस्थिरता के कारण बनाई गई हैं। इससे अवलोकन किए गए प्रयोग की व्याख्या करना संभव हो गया: इंजेक्शन लगाए गए (यानी, बाहर से नमूने में पेश किए गए, इस मामले में लेजर दालों का उपयोग करके) चलती डोमेन दीवारें बनाते हैं, सामग्री को इन्सुलेटर से धातु में बदल देते हैं।

- प्रोफेसर सर्गेई ब्रेज़ोवस्की ने कहा।

प्रयोग के दौरान, 100 नैनोमीटर से कम के आकार वाले टैंटलम डाइसल्फ़ाइड का एक नमूना अल्ट्राशॉर्ट लेजर या इलेक्ट्रिक दालों से विकिरणित होता है, जो पराबैंगनी विद्युत धाराओं का निर्माण करता है और कंडक्टर-इन्सुलेटर की स्थिति को स्विच करता है। इस प्रकार, एक निश्चित बाहरी प्रभाव के साथ एक ही सामग्री विद्युत प्रवाह और इसके इन्सुलेटर का एक कंडक्टर हो सकता है, और इन राज्यों को महान गति से बदलने में सक्षम है।

टैंटलम डाइसल्फ़ाइड की इस संपत्ति को गैर-वाष्पशील इलेक्ट्रॉनिक मेमोरी तत्वों को बनाने के लिए लागू किया जा सकता है जो बिजली स्रोत बंद होने पर भी जानकारी संग्रहीत करने में सक्षम हैं।इस पदार्थ की अव्यक्त स्थिति की स्थिरता के कारण। एक ही समय में सामग्री की प्रवाहकीय स्थिति इकाई, ढांकता हुआ - शून्य को एन्क्रिप्ट करती है।

पारंपरिक डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM) से मेमोरी तत्वों के संचालन की अभिनव योजना के बीच मूलभूत अंतर परिमाण उच्च सूचना रिकॉर्डिंग गति का एक आदेश है। अल्ट्राफास्ट टैंटलम डाइसल्फ़ाइड-आधारित मेमोरी तत्व वोल्टेज को नियंत्रित करके स्विच करने में सक्षम होंगे, जो लगभग एक पिकोसेकंड है, जो कि सबसे तेज़ मौजूदा एनालॉग्स की तुलना में 10 गुना अधिक तेज है।

1Nature कम्युनिकेशंस, 7, 11442 (16 मई 2016), फास्ट इलेक्ट्रॉनिक प्रतिरोध स्विचिंग जिसमें हिडन चार्ज डेंसिटी वेव स्टेट्स शामिल हैं, I Vaskivskyi, IA Mihailovic, S. Brazovskii, J. Gospodaric, T. Mertelj, D. Svetin, P. Sutar और डी। मिहेलोविक।

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