सैमसंग ने नए 32 टीबी एसएसडी का खुलासा किया

चौथी पीढ़ी का V-NAND ड्राइव

एसएसडी तेजी से लोकप्रिय स्टोरेज सिस्टम बन रहे हैं। मुख्य कारण यह है कि एसएसडी का उत्पादन सस्ता है, ड्राइव की कीमत कम हो जाती है, सूचना की रिकॉर्डिंग घनत्व बढ़ जाती है। अब वे 2-3 साल पहले की तुलना में ग्राहकों के बहुत व्यापक दायरे में उपलब्ध हैं। निर्माता वहाँ नहीं रुकते हैं और स्मृति की एक बड़ी मात्रा के साथ अधिक उन्नत, तेज और ऊर्जा-कुशल ड्राइव विकसित करने की कोशिश कर रहे हैं।

दूसरे दिन, सीगेट ने 60 टीबी की क्षमता के साथ दुनिया की सबसे बड़ी क्षमता एसएसडी की शुरुआत की। सैमसंग कॉर्पोरेशन ने की घोषणा32 टीबी की क्षमता के साथ थोड़ा कम कैपेसिटिव ड्राइव जारी करने के बारे में। लेकिन यह प्रणाली 4 वीं पीढ़ी के वी-एनएएनडी तकनीक का उपयोग करके बनाई गई थी, जिसकी वजह से सूचना का अधिक सघन स्थान प्राप्त करना और ड्राइव के आकार को कम करना संभव था। सैमसंग का एसएसडी 2.5 इंच है और सीगेट 3.5 है।

नए एसएसडी को साधारण लैपटॉप या पीसी पर स्थापित करने के लिए डिज़ाइन नहीं किया गया है। यह ड्राइव एक कॉर्पोरेट सूचना भंडारण प्रणाली के रूप में तैनात है। सैमसंग का एसएसडी सर्वर हार्डवेयर और स्टोरेज सिस्टम में स्थापित किया जाएगा। डेटा के लगातार बढ़ते प्रवाह के साथ काम करने वाली दूरसंचार कंपनियों को विनिर्माताओं को सूचना रिकॉर्डिंग घनत्व के साथ अधिक क्षमता वाले डेटा स्टोरेज सिस्टम का उत्पादन करने की आवश्यकता होती है। कंपनी ऐसी समाधानों का उत्पादन करने की कोशिश कर रही है जो ऐसी कंपनियों की आधुनिक जरूरतों को पूरा करते हैं।

सैमसंग की योजना 2020 तक नियमित एसएसडी के लिए 100 टीबी तक पहुंचने की है। जैसा कि ऊपर उल्लेख किया गया है, सैमसंग का 32TB SSD चौथी पीढ़ी के V-NAND तकनीक से निर्मित पहला उपकरण है। वी-नंद "ऊर्ध्वाधर" फ्लैश मेमोरी की एक तकनीक है - 3 डी नंद। स्मृति कोशिकाओं को न केवल विमान में, बल्कि लंबवत, परतों में भी विस्थापित किया जाता है। वर्तमान एसएसडी 64 परतों के साथ मेमोरी का उपयोग करता है। तीसरी पीढ़ी के वी-नंद में 48 परतें थीं।

48-स्तरीय सरणी में, 1.8 बिलियन चैनल उद्घाटन के माध्यम से कनेक्शन के कारण ऊर्ध्वाधर परतों ने एक पूरे का गठन किया। इस तरह के छेद एक विशेष नक़्क़ाशी तकनीक का उपयोग करके बनाए जाते हैं। पिछली पद्धति के अनुसार निर्मित प्रत्येक चिप में 85.3 बिलियन कोशिकाएँ होती हैं। प्रत्येक सेल 3 बिट डेटा संग्रहीत करता है। तीसरी पीढ़ी का वी-नंद चिप 256 जीबी डेटा का भंडारण प्रदान करता है। ऐसे चिप्स परतों में ढेर हो जाते हैं।

सैमसंग के अनुसार, 32 टीबी मॉडल पिछले 15.36 टीबी रिकॉर्ड धारक की तुलना में अधिक तेज और विश्वसनीय है। नई डिस्क के विनिर्देशों को बाद में प्रस्तुत किया जाएगा, हालांकि पहले से ही कुछ तकनीकी विवरण हैं। यह एसएसडी मॉडल एसएएस (सीरियल-संलग्न एससीएसआई) प्रकार के ड्राइव से संबंधित है। यह NVMe स्लॉट्स के साथ असंगत है, जो नए प्रकार के स्टोरेज डिवाइस में अधिक सामान्य हो रहे हैं। सैमसंग का मानना ​​है कि निकट भविष्य में एसएएस हावी हो जाएगा, इसलिए निकट भविष्य में कंपनी की योजना इस प्रकार के एसएसडी को जारी करने की है।

दक्षिण कोरियाई निगम ने Z-SSD, NAND फ़्लैश मेमोरी भी पेश की, जो डेटा केंद्रों के लिए भंडारण के रूप में तैनात है, जो कैश या अन्य अस्थायी डेटा की मेजबानी करेगा। इस प्रकार के मीडिया को फ्लैश सरणियों में स्थापना के लिए अभिप्रेत है, जहां उच्च संगणित कंप्यूटर सिस्टम द्वारा बड़े डेटा सरणियों के प्रसंस्करण के दौरान मध्यवर्ती संगणना परिणाम संग्रहीत किए जाते हैं। सैमसंग SS963 NVMe SSD की तुलना में Z-SSD की अनुक्रमिक लेखन गति 1.6 गुना तेज है। Z-SSD को अगले साल बाजार में उतारा जाएगा।

Source: https://habr.com/ru/post/hi396805/