इंटेल 8087 कोप्रोसेसर के अंदर देखना

इंटेल द्वारा निर्मित आठ-बिट प्रोसेसर की लाइन के विकास का थोड़ा इतिहास

आठ-बिट प्रोसेसर की लाइन अप्रैल 1972 में अपना इतिहास शुरू करती है। इंटेल 8008 को मूल रूप से कैलकुलेटर, इनपुट-आउटपुट डिवाइस में उपयोग के लिए योजना बनाई गई थी, लेकिन निर्माता ने एक अच्छे "प्रतिबिंब" के बाद, लाइनअप के लिए एक नया गंतव्य खोजने का फैसला किया - एक पीसी का केंद्रीय प्रोसेसर होने के लिए। प्रोसेसर के संशोधनों के आधार पर, घड़ी की आवृत्ति 500 ​​या 800 KHz थी, और प्रदर्शन 45000-160000 संचालन प्रति सेकंड था।


इंटेल C8008

अप्रैल 1974 में, फेडेरिको फागिनी और मासाटोशी शिमा ने प्रोसेसर की एक नई लाइन विकसित की - इंटेल 8080 । 6,000 ट्रांजिस्टर 40-पिन सिरेमिक पैकेज, 16-बिट एड्रेस बस और 8-बिट डेटा बस, 64 KB पता योग्य मेमोरी में रखे गए थे। घड़ी की आवृत्ति 2 मेगाहर्ट्ज थी, और प्रदर्शन 500,000 संचालन प्रति सेकंड तक था। प्रोसेसर के लिए "आरामदायक" बनने के लिए, एक अंकगणित सहसंसाधक, एक घड़ी जनरेटर, बस शेपर्स, एक टाइमर, परिधीय उपकरण नियंत्रक आदि विकसित किए गए थे।


इंटेल 8080 ए

दो साल बाद, मार्च 1976 में, इंटेल 8085 लाइन ने प्रकाश को देखा: 6500 ट्रांजिस्टर को 40-पिन सिरेमिक (या प्लास्टिक) मामले में रखा गया था। घड़ी की आवृत्ति 3 से 8 मेगाहर्ट्ज तक थी, डेटा बस की चौड़ाई 8 बिट्स थी, एड्रेस बस की चौड़ाई 16 बिट्स थी, पता योग्य मेमोरी 64 Kb थी। यह पंक्ति पीसी में या माइक्रोकंट्रोलर के रूप में सफलतापूर्वक "शामिल" हुई है।



जून 1978 में, कंपनी ने सोलह-बिट प्रोसेसर - इंटेल 8086 : 29,000 ट्रांजिस्टर को 5.5 x 5.5 मिमी चिप पर रखा गया था। घड़ी की आवृत्ति 5 से 10 मेगाहर्ट्ज तक थी, प्रदर्शन 330 से 750 हजार संचालन प्रति सेकंड तक था, डेटा बस की चौड़ाई 16 बिट्स थी, और एड्रेस बस की चौड़ाई 20 बिट्स थी।


इंटेल 8086

एक साल बाद, 1979 की गर्मियों में, इंटेल ने 8088 लाइन जारी की - 8 और 16-बिट प्रोसेसर के बीच एक संक्रमणकालीन लिंक: 29,000 ट्रांजिस्टर, घड़ी की आवृत्ति 5-10 मेगाहर्ट्ज थी। लेकिन 8088 रेखा इसकी उच्च लागत के कारण लोकप्रिय नहीं हुई।


इंटेल P8088

कोप्रोसेसर 8087

जून 1980 में, Intel 8086, 8088 के लिए Coprocessors की Intel 8087 लाइन जारी की गई थी। ऐसे Coprocessors में 45,000 ट्रांजिस्टर थे, विभिन्न संस्करणों में घड़ी की आवृत्ति 4 से 10 MHz तक थी।


इंटेल C8087

गणितीय सहसंसाधक फ्लोटिंग पॉइंट संचालन करने के लिए एक विशेष मॉड्यूल है, जो केंद्रीय प्रोसेसर के साथ मिलकर काम करता है।

एक पुलिस वाले के रूप में इस तरह के लक्जरी से पैसे बचाने के लिए, उन्होंने बस मना कर दिया। लेकिन श्रम-गहन कार्यों को हल करने के लिए, उदाहरण के लिए, समान इंजीनियरिंग गणना, कंप्यूटर के प्रदर्शन में सुधार एक आवश्यकता बन गई है। वे इस तरह के एक विशेष मॉड्यूल के कारण प्रदर्शन को बढ़ाने में कामयाब रहे - एक गणितीय सहसंसाधक।

INTEL के अनुसार, एक गणित सहसंसाधक गणित के संचालन को पूरा करने में लगने वाले समय को कम कर सकता है, जैसे गुणा, भाग और घातांक, 80 प्रतिशत या उससे अधिक। सरल गणितीय संचालन करने की गति, जैसे जोड़ और घटाव, नहीं बदलती है।

इंटेल 8087 माइक्रोप्रोसेसर चिप के अंदर

इंटेल 8087 फ्लोटिंग पॉइंट के अंदर देखते हुए, मैंने चिप पर एक दिलचस्प विशेषता देखी: सब्सट्रेट पूर्वाग्रह गठन योजना। इस लेख में, मैं समझाऊंगा कि कैसे नकारात्मक वोल्टेज बनाने के लिए एनालॉग और डिजिटल सर्किट का उपयोग करके इस सर्किट को लागू किया जाता है।

फ़्लोटिंग पॉइंट ऑपरेशन करते समय 8086/8088 लाइन प्रोसेसर (जैसे आईबीएम पीसी) के साथ पीसी के प्रदर्शन को बेहतर बनाने के लिए 1980 में इंटेल ने 8087 चिप विकसित की। चूंकि पहले माइक्रोप्रोसेसरों को पूर्णांक के साथ संचालन करने के लिए डिज़ाइन किया गया था, इसलिए फ़्लोटिंग पॉइंट नंबरों के साथ संचालन का निष्पादन धीमा था, जो कि ट्रान्सोनोमेट्रिक फ़ंक्शंस जैसे कि ट्रिगोनोमेट्रिक फ़ंक्शंस या लॉगरिथम के प्रदर्शन के बारे में कहना है। कोपरोसेसर 8087 ने फ्लोटिंग पॉइंट कार्यों को निष्पादित करने की गति में काफी वृद्धि की, सब कुछ लगभग 100 गुना तेजी से किया गया। 8087 वास्तुकला को बाद के इंटेल प्रोसेसर में भी लागू किया गया था, और 8087 निर्देश अभी भी आधुनिक x86 पीसी में उपयोग किए जाते हैं।

कोप्रोसेसर के लिए 60 से अधिक नए निर्देश पेश किए गए, जिसका नाम इंटेल 8086 के पूर्णांक निर्देशों से उन्हें अलग करने के लिए "एफ" के साथ शुरू हुआ।

मैंने 8087 चिप खोली और एक उच्च-प्रदर्शन माइक्रोस्कोप का उपयोग करते हुए, फोटो खींचे, उनके लेआउट के परिणामस्वरूप मुझे निम्नलिखित छवि मिली:



8087 क्रिस्टल बहुत जटिल है, जिसमें 40,000 ट्रांजिस्टर (इंटेल के अनुसार) या 45,000 (विकिपीडिया के अनुसार) हैं। तस्वीर में चिप की एक धातु की परत है, कनेक्शन चिप के शीर्ष पर स्थित हैं। सबसे मोटी सफेद लाइनें चिप के सभी हिस्सों के लिए शक्ति और ग्राउंडिंग प्रदान करती हैं। धातु की परत के नीचे पॉलीसिलिकॉन या सिलिकॉन होता है, जिससे चिप के ट्रांजिस्टर बनते हैं।

चिप के निचले आधे हिस्से में एक विस्तारित 80-बिट अंकगणित सर्किट है: योजक, रजिस्टरों, स्विच, गणितीय स्थिरांक। चिप के बीच में बड़ी आयत एक माइक्रोकोड है जो प्रोसेसर निर्देशों का एक सेट लागू करता है। ऊपरी हिस्से में तर्क सर्किट और एक बस सर्किट हैं जो 8086 प्रोसेसर के साथ जोड़े गए हैं।

तस्वीर में चिप के चारों ओर की काली लाइनें आईसी संपर्क पैड (एक वर्ग या आयताकार आकार के धातुकृत प्रवाहकीय अनुभाग, मुख्य रूप से क्रिस्टल या सब्सट्रेट की परिधि के आसपास स्थित) को चिप पर 40 संपर्कों के साथ जोड़ते हुए छोटे थर्मोकंपेशन यौगिक हैं। 8087 के तकनीकी विवरण का अध्ययन करते हुए, यह निर्धारित करना मुश्किल नहीं है कि मैट्रिक्स पर कौन से संपर्क क्षेत्र माइक्रोक्रिक्यूट के संपर्क से मेल खाता है; चिप के 40 पिन (गिने हुए वामावर्त) चिप पर 40 पैड से जुड़े होते हैं।

नीचे मैट्रिक्स के एक हिस्से की एक बढ़ी हुई छवि है, इस पर हम संपर्क पैड पर बेहतर विचार कर सकते हैं। (कृपया ध्यान दें कि ग्राउंडिंग टर्मिनलों और +5 वी पावर पैड में एक ही समय में कई कनेक्शन होते हैं, जो वर्तमान वितरित की मात्रा को बढ़ाता है)। लेकिन यहां एक "आश्चर्य" है - संपर्क पैड 40 और 1 के बीच स्थित एक अतिरिक्त संपर्क पैड और कनेक्शन है, और माइक्रोकिरिट के किसी भी संपर्क से जुड़ा नहीं है।



तार के थर्मोकंपेशन कनेक्शन को देखते हुए चिप (नीचे की छवि) पर जाता है, यह पता चला कि रहस्यमय संपर्क पैड किसी भी संपर्क से जुड़ा नहीं है, लेकिन एक छोटे क्यूब के आकार के ब्लॉक से जुड़ा है। यह "क्यूब" क्रिस्टल के समान धातु के आधार पर स्थित है, चिप, बोर्ड के सिलिकॉन सब्सट्रेट से जुड़ा हुआ है।

मैंने "कंपनी रहस्य" प्रकट करने के लक्ष्य के साथ विनिर्माण प्रौद्योगिकी का एक इंजीनियरिंग विश्लेषण किया और इस निष्कर्ष पर पहुंचा कि यह 8087 सब्सट्रेट पूर्वाग्रह सर्किट का हिस्सा है जिसमें सब्सट्रेट के लिए नकारात्मक वोल्टेज को लागू करने के लिए इस यौगिक का उपयोग किया जाता है। यह सर्किट कैसे काम करता है?

एक सब्सट्रेट ऑफसेट क्या है?

1970 के दशक में, एन-एमओएस ट्रांजिस्टर (एक पृथक गेट और एक एन-टाइप चैनल के साथ एक फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) से उच्च घनत्व वाले एकीकृत सर्किट बनाए गए थे। नीचे दी गई छवि स्पष्ट रूप से उनकी संरचना को दर्शाती है। चिप का आधार एक सिलिकॉन सब्सट्रेट है। ट्रांजिस्टर, बदले में, सिलिकॉन से भी बने होते हैं। वांछित गुण प्राप्त करने के लिए चालकता के प्रकार और अर्धचालक के थोक में वाहक की एकाग्रता को बदलने के लिए, सिलिकॉन क्षेत्रों को वांछित गुणों के साथ प्रसार क्षेत्र बनाने के लिए अशुद्धियों के साथ डोप किया जाता है। ट्रांजिस्टर को एक अवरोधक के रूप में माना जा सकता है, जिससे स्रोत और नाली के दो प्रसार क्षेत्रों के बीच प्रवाह हो सकता है। ट्रांजिस्टर को पॉलीसिलिकॉन से बने गेट द्वारा नियंत्रित किया जाता है। गेट पर इनपुट वोल्टेज स्रोत से नाली तक के प्रवाह को नियंत्रित करता है: गेट पर एक उच्च वोल्टेज संकेत वर्तमान से स्रोत से नाली तक प्रवाह की अनुमति देता है, जबकि एक कम वोल्टेज संकेत वर्तमान को अवरुद्ध करता है। एक इन्सुलेट ऑक्साइड परत सिलिकॉन के नीचे से गेट को अलग करती है; इस परत के महत्व को थोड़ी देर बाद माना जाएगा। इन छोटे ट्रांजिस्टर को तर्क गेट्स, माइक्रोप्रोसेसर घटकों और अन्य डिजिटल आईसी क्रिस्टल बनाने के लिए जोड़ा जा सकता है।



उच्च-प्रदर्शन वाले एकीकृत सर्किट में, सब्सट्रेट के पार वोल्टेज के एक नकारात्मक "पूर्वाग्रह" का उपयोग करना फायदेमंद था। इस सब्सट्रेट पूर्वाग्रह वोल्टेज को प्राप्त करने के लिए, 1970 के दशक में कई चिप्स में बाहरी संपर्क था जो -5 वी से जुड़ा था। हालांकि, इंजीनियरों को अतिरिक्त वोल्टेज की आवश्यकता वाले चिप्स पसंद नहीं थे। उस युग के चिप्स को अक्सर तीन बिजली आपूर्ति की आवश्यकता होती थी। इसके अलावा, आईसी पर संपर्कों की संख्या सीमित थी (एक नियम के रूप में, मेमोरी चिप्स के लिए केवल 18 संपर्क)। इसलिए, अतिरिक्त वोल्टेज के लिए दो और संपर्कों का उपयोग एक अच्छा समाधान नहीं था। 1970 के दशक के उत्तरार्ध में एक आंशिक समाधान पाया गया: चिप्स ने एक नकारात्मक पूर्वाग्रह वोल्टेज उत्पन्न किया। तो ऐसे चिप्स थे जिनमें एक सुविधाजनक + 5 वी बिजली की आपूर्ति का उपयोग किया गया था, और इससे स्पष्ट रूप से इंजीनियरों को "खुश" होने की अनुमति मिली।

सब्सट्रेट पूर्वाग्रह सर्किट 8087 के अंदर

आपको आश्चर्य हो सकता है कि एक चिप एक सकारात्मक वोल्टेज को नकारात्मक वोल्टेज में कैसे बदल सकती है। उत्तर एक चार्ज पंप सर्किट है जिसे चार्ज पंप कहा जाता है। चार्जेज डिवाइस के रूप में कैपेसिटर का उपयोग करता है, जो स्विच की एक प्रणाली का उपयोग करके एक कैपेसिटर से दूसरे में स्थानांतरित किया जाता है। 8087 में "पूर्वाग्रह जनरेटर" में दो चार्ज पंप हैं। नीचे दिए गए चित्र ऐसे ही एक चार्ज पंप के संचालन को दर्शाते हैं। चार्ज पंप एक दोलन संकेत (क्यू) और इसके उलटा (क्यू) द्वारा नियंत्रित किया जाता है। पहले चरण में, ऊपरी ट्रांजिस्टर को चालू किया जाता है, जिसके परिणामस्वरूप संधारित्र को जमीन के सापेक्ष 5 वोल्ट तक चार्ज किया जाता है। दूसरा चरण वह है जहां जादू होता है। निचले ट्रांजिस्टर को संधारित्र के उच्च वोल्टेज पक्ष को जमीन से जोड़कर चालू किया जाता है। चूंकि संधारित्र अभी भी 5 वोल्ट तक चार्ज कर रहा है, संधारित्र का निचला भाग अब -5 वोल्ट होना चाहिए, जिससे वांछित उच्च गुणवत्ता वाले वोल्टेज का निर्माण हो सके। जब थरथरानवाला फिर से फ़्लिप करता है, तो शीर्ष ट्रांजिस्टर चालू होता है और चक्र दोहराता है। चार्ज पंप को इसका नाम मिला, क्योंकि यह पंप के निकास से जमीन तक पंप करता है। चार्ज पंप एक मैनुअल वॉटर पंप के समान है।



मैंने माइक्रोस्कोप के तहत चिप की जांच की। धातु की परत नीचे ट्रांजिस्टर को छुपाती है, और इससे सर्किट को देखना मुश्किल हो जाता है। लेकिन, हाइड्रोक्लोरिक एसिड के साथ धातु की परत को हटाने के बाद, मुझे पॉलीसिलिकॉन और सिलिकॉन की परतों को मिला, "खोजा गया" ट्रांजिस्टर और कैपेसिटर, नीचे दिखाया गया है। (रंगीन क्षेत्र केवल शोर हैं, क्योंकि कुछ ऑक्साइड पूरी तरह से हटाए नहीं गए थे)। नीचे दी गई तस्वीर दो चार्ज पंप दिखाती है: एक संपर्क पैड के बाईं ओर, और दूसरा नीचे। योजना के अनुसार प्रत्येक चार्ज पंप में दो डायोड, एक बड़ा संधारित्र और दो ट्रांजिस्टर होते हैं।



कैपेसिटर सब्सट्रेट पूर्वाग्रह सर्किट के सबसे अधिक ध्यान देने योग्य "सुविधा" हैं। हालांकि वास्तव में उनके आकार सूक्ष्म हैं, वे चिप के आयामों को मापने के लिए मानकों द्वारा विशाल हैं। संधारित्र क्षेत्र लगभग 72 बिट रजिस्टर मेमोरी (400 से अधिक ट्रांजिस्टर) की तरह है। प्रत्येक संधारित्र में एक इन्सुलेट ऑक्साइड द्वारा अलग किए गए सिलिकॉन भाग पर पॉलीसिलिकॉन होते हैं; पॉलीसिलिकॉन और सिलिकॉन फॉर्म कैपेसिटर प्लेट्स। फोटो में, कैपेसिटर को वर्गों के साथ बिंदीदार किया जाता है; ये वर्ग पॉलीसिलिकॉन (या सिलिकॉन) और शीर्ष पर धातु की परत के बीच संपर्क हैं। (धातु की परत दिखाई नहीं देती है क्योंकि इसे मिटा दिया गया है)।

चार नियंत्रण ट्रांजिस्टर उच्च शक्ति ट्रांजिस्टर हैं। उनके आकार पारंपरिक ट्रांजिस्टर से बेहतर हैं। लाल रेखाएं पॉलीसिलिकॉन यौगिक हैं जो एक शटर बनाती हैं। हरी रेखाएँ - धातु की परत से संपर्क, ट्रांजिस्टर को +5 V या जमीन से जोड़ना। संपर्क पैड के पास डायोड ट्रांजिस्टर से बने होते हैं जब गेट और नाली जुड़े होते हैं।

चार्ज पंप एक परिपत्र थरथरानवाला द्वारा संचालित होते हैं, जैसा कि नीचे की छवि में दिखाया गया है। इस परिपत्र ऑसिलेटर में शॉर्ट सर्किट में पांच इनवर्टर होते हैं। चूंकि इनवर्टर की संख्या विषम है, सिस्टम अस्थिर है और दोलन करेगा। उदाहरण के लिए, यदि पहले इन्वर्टर के लिए इनपुट 0 है, तो पांचवें इन्वर्टर का आउटपुट 1. होगा। दोलन गति को धीमा करने के लिए, एक सर्कल में दो प्रतिरोधक-कैपेसिटिव सर्किट होते हैं। चूंकि संधारित्र को चार्ज करने और डिस्चार्ज करने में कुछ समय लगता है, इसलिए दोलन धीमा हो जाएंगे, जिससे चार्ज पंप को काम करने में समय लगेगा।



एक परिपत्र थरथरानवाला पर जानकारी को विघटित करने से पहले, मैं दिखाऊंगा कि सिलिकॉन में एक मानक एनएमओएस इन्वर्टर कैसे लागू किया जाता है। नीचे दिखाया गया एक पलटनेवाला है, इसका योजनाबद्ध प्रतिनिधित्व और इसे एक चिप पर कैसे लागू किया गया है। इन्वर्टर एक ट्रांजिस्टर और एक लोड रेसिस्टर (जो वास्तव में एक ट्रांजिस्टर है) का उपयोग करता है। यदि इनपुट सिग्नल कम है, तो ट्रांजिस्टर बंद है, तो लोड अवरोधक +5 V तक आपूर्ति करता है। यदि इनपुट सिग्नल अधिक है, तो ट्रांजिस्टर चालू होता है, आउटपुट वोल्टेज को जमीन पर आपूर्ति की जाती है। इस प्रकार, सर्किट इनपुट को निष्क्रिय कर देता है।



छवि में डोप किए गए सिलिकॉन बेज रंग के बड़े क्षेत्र हैं। वायलेट के बगल में पतले पीले पैच पॉलीसिलिकॉन होते हैं। इनपुट एक पॉलीसिलिकॉन तार है। जहां यह डोप्ड सिलिकॉन के साथ प्रतिच्छेद करता है, यह जमीन के बीच एक ट्रांजिस्टर गेट बनाता है (इनपुट के नीचे) और आउटपुट (इनपुट के ऊपर)। एक लोड रोकनेवाला एक ट्रांजिस्टर में लागू होता है जिसमें एक गेट और नाली एक साथ जुड़ा होता है; यह संपर्क ट्रांजिस्टर पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन गेट और इसके सिलिकॉन नाली के बीच इस संबंध को बनाता है। पॉलीसिलिकॉन एक आउटपुट वायर भी बनाता है। इस प्रकार, चिप पर इन्वर्टर दो ट्रांजिस्टर के साथ कार्यान्वित किया जाता है।



ऊपर दिए गए फोटो में दिखाया गया है कि एक क्रिस्टल पर एक गोलाकार थरथरानवाला कैसे बनता है। सभी पाँच इनवर्टर दिखाए जाते हैं। प्रत्येक इन्वर्टर की एक अलग दिशा होती है, जो संरचना का अनुकूलन करती है। आरसी सर्किट के प्रतिरोध और कैपेसिटर भी संकेतित होते हैं। प्रतिरोध केवल स्रोत और नाली के बीच एक बड़ी दूरी के साथ ट्रांजिस्टर हैं, जो वर्तमान की गति को कम करते हैं। कैपेसिटर को चार्ज पंप कैपेसिटर के रूप में डिज़ाइन किया गया है, लेकिन आकार में बहुत छोटा; एक पतली इन्सुलेट ऑक्साइड परत द्वारा अलग किए गए शीर्ष फार्म कैपेसिटर प्लेटों पर नीचे और पॉलीसिलिकॉन पर सिलिकॉन।

निष्कर्ष

8087 चिप पर सब्सट्रेट पूर्वाग्रह वोल्टेज जनरेटर एक डिजिटल सर्किट (इनवर्टर से बने एक परिपत्र थरथरानवाला) और एक एनालॉग चार्ज पंप का एक दिलचस्प संयोजन है। सब्सट्रेट पूर्वाग्रह वोल्टेज जनरेटर सर्किट 1970 के दशक के अंत में पेश किए गए थे, जिसने मेमोरी चिप और माइक्रोप्रोसेसर के लिए एकल +5 वी बिजली की आपूर्ति पर काम करना संभव बना दिया था। यह तीन अलग-अलग वोल्टेज स्रोतों का उपयोग करने की तुलना में बहुत अधिक सुविधाजनक था। सब्सट्रेट पूर्वाग्रह जनरेटर चार्ज पंप का उपयोग करके एक सकारात्मक आपूर्ति वोल्टेज से एक नकारात्मक वोल्टेज उत्पन्न करता है।

यद्यपि 1970 के दशक के कंप्यूटर इतिहास में वोल्टेज पूर्वाग्रह जनरेटर एक अस्पष्ट क्षण की तरह लग सकता है, यह प्रक्रिया अभी भी आधुनिक एकीकृत सर्किट का हिस्सा है, हालांकि सब कुछ बहुत अधिक जटिल हो गया है।

इस तथ्य के बावजूद कि इंटेल 8087 फ्लोटिंग-पॉइंट चिप विकसित किया गया था और 38 साल पहले ऑपरेशन में डाल दिया गया था, इसका "प्रभाव" आज स्पष्ट है। इसकी उपस्थिति के लिए धन्यवाद, IEEE 754 मानक, "IEEE मानक फ्लोटिंग-पॉइंट संख्याओं का प्रतिनिधित्व करने के लिए प्रारूप का वर्णन करते हुए अपनाया गया था। इसका उपयोग सॉफ्टवेयर (विभिन्न प्रोग्रामिंग भाषाओं से संकलक) और हार्डवेयर (सीपीयू और एफपीयू) अंकगणितीय संचालन (गणितीय संचालन) के कार्यान्वयन में किया जाता है। " 8087 निर्देश x86 प्रोसेसर का हिस्सा बने हुए हैं।

नोट्स और लिंक

1. कोप्रोसेसर के लिए 60 से अधिक नए निर्देश पेश किए गए, जिसका नाम "F" के साथ शुरू हुआ, ताकि उन्हें पूर्णांक इंटेल 8086 निर्देशों से अलग किया जा सके। उदाहरण के लिए, 8087 में ADD / MUL / CMP कमांड के एनालॉग्स FADD / FMUL / FCOM जैसे दिखते थे। । इन निर्देशों को 8086 ESC "एस्केप" कमांड का उपयोग करके लागू किया गया था, जिसे 8086 प्रोसेसर को कोप्रोसेसर के साथ संवाद करने की अनुमति देने के लिए डिज़ाइन किया गया था।

कोप्रोसेसर के आगमन ने अस्थायी बिंदु अंकगणित के लिए 1985 में IEEE 754 मानक का निर्माण किया;

2. सब्सट्रेट के लिए एक नकारात्मक पूर्वाग्रह वोल्टेज के आवेदन के कई फायदे हैं। इससे आवारा समाई कम हो गई, जिसने चिप के संचालन को तेज कर दिया, ट्रांजिस्टर की दहलीज वोल्टेज को अधिक अनुमानित किया और रिसाव की मात्रा को कम कर दिया।

3. पहले, DRAM और माइक्रोप्रोसेसर चिप्स को अक्सर तीन वोल्टेज स्रोतों की आवश्यकता होती थी: + 5 V (Vcc), + 12 V (Vdd) और -5 V (Vbb)। 1970 के दशक के उत्तरार्ध में, उन्नत चिप प्रौद्योगिकी ने एकल शक्ति स्रोत के उपयोग को सक्षम किया। उदाहरण के लिए, Mostek के MK4116 (1977 के बाद से 16-किलोबाइट DRAM) को तीन वोल्टेज स्रोतों की आवश्यकता थी, जबकि उन्नत MK4516 (1981) ने अकेले +5 V पर काम किया, जिससे हार्डवेयर डिजाइन सरल हो गए। इंटेल चिप्स के साथ भी यही हुआ: 2116 DRAM (16K, 1977) तीन वोल्टेज का उपयोग करके और 2118 (1979) - एक वोल्टेज में सुधार हुआ। सुप्रसिद्ध माइक्रोप्रोसेसर इंटेल 8080 (1974) ने संवर्धन मोड में काम करने वाले ट्रांजिस्टर का उपयोग किया, इसलिए इसे तीन वोल्टेज की आवश्यकता थी। एक बेहतर संस्करण, 8085 (1976), घटाव ट्रांजिस्टर का उपयोग करता था और एक एकल +5 वी बिजली की आपूर्ति द्वारा संचालित था।

4. पुराने चिप्स में तीसरा (+12 V) बिजली की आपूर्ति सब्सट्रेट पूर्वाग्रह से संबंधित नहीं है। इस स्रोत का उपयोग किया गया था क्योंकि शुरुआती राज्यमंत्री एकीकृत परिपथों में ट्रांजिस्टर थे जो संवर्धन मोड में काम कर रहे थे, द्वार पर वोल्टेज बढ़ रहा था। +5 , +12 . 1970- ( ) , +12 .

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