छोटा, हाँ, हटा दिया गया: एक लघु रैखिक कण त्वरक, एक नया रिकॉर्ड स्थापित करना

"अधिक शक्तिशाली है" का परिचित सिद्धांत लंबे समय से विज्ञान और प्रौद्योगिकी सहित समाज के कई क्षेत्रों में स्थापित किया गया है। हालांकि, आधुनिक वास्तविकताओं में, "छोटे, लेकिन चतुर" के व्यावहारिक कार्यान्वयन। यह उन दोनों कंप्यूटरों में प्रकट होता है जो पहले पूरे कमरे पर कब्जा कर चुके थे, और अब एक बच्चे की हथेली में रखा गया है, और आवेशित कण त्वरक में। जी, हां, क्या आपको लार्ज हैड्रॉन कोलाइडर (LHC) याद है, जिसके प्रभावशाली आयाम (लंबाई में 26,659 मीटर) का शाब्दिक रूप से इसके नाम से संकेत मिलता है? इसलिए, यह पहले से ही अतीत में है, डेसी वैज्ञानिकों के अनुसार जिसने त्वरक का एक लघु संस्करण विकसित किया, जो प्रदर्शन के मामले में अपने पूर्ण आकार के पूर्ववर्ती से नीच नहीं है। इसके अलावा, मिनी त्वरक भी terahertz त्वरक के बीच एक नया विश्व रिकॉर्ड स्थापित, एम्बेडेड इलेक्ट्रॉनों की ऊर्जा दोगुनी। लघु त्वरक कैसे विकसित किया गया था, इसके संचालन के मूल सिद्धांत क्या हैं, और व्यावहारिक प्रयोग क्या हैं? इससे हमें अनुसंधान समूह की रिपोर्ट जानने में मदद मिलेगी। चलो चलते हैं।

अध्ययन का आधार

डोंगफैंग झांग और डेसी (जर्मन इलेक्ट्रॉनिक सिंक्रोट्रॉन) के उनके सहयोगियों के अनुसार, जिन्होंने मिनी-एक्सीलरेटर विकसित किया, अल्ट्राफास्ट इलेक्ट्रॉन स्रोत आधुनिक समाज के जीवन में एक अविश्वसनीय रूप से महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। उनमें से कई चिकित्सा में, इलेक्ट्रॉनिक्स के विकास और वैज्ञानिक अनुसंधान में प्रकट होते हैं। रेडियो फ़्रीक्वेंसी जनरेटर का उपयोग करने वाले वर्तमान रैखिक त्वरक की सबसे बड़ी समस्या उनकी उच्च लागत, बुनियादी ढांचे की जटिलता और बिजली की खपत के लिए प्रभावशाली भूख है। और इस तरह की कमियां उपयोगकर्ताओं की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए ऐसी तकनीकों की उपलब्धता को सीमित करती हैं।

ये स्पष्ट समस्याएं उन उपकरणों को विकसित करने के लिए एक महान प्रोत्साहन हैं जिनके आकार डरावने और साथ ही बिजली की खपत का कारण नहीं होंगे।

इस उद्योग में सापेक्ष नवाचारों के बीच, हम टेराएर्ट्ज़ एक्सेलेरेटर को अलग कर सकते हैं, जिनमें "गुडिज़" की संख्या है:

• यह उम्मीद की जाती है कि शॉर्ट वेव्स और टेराएर्ट्ज़ विकिरण की छोटी दालों के क्षेत्र के कारण टूटने की सीमा * में काफी वृद्धि होगी, जिससे त्वरण ग्रेडिएंट में वृद्धि होगी;

इलेक्ट्रिकल ब्रेकडाउन * - जब वोल्टेज किसी क्रिटिकल के ऊपर लगाया जाता है तो उसमें तेज वृद्धि होती है।

• उच्च-क्षेत्र टेराहर्ट्ज़ विकिरण उत्पन्न करने के लिए प्रभावी तरीकों की उपस्थिति इलेक्ट्रॉनों और उत्तेजना क्षेत्रों के बीच आंतरिक तुल्यकालन की अनुमति देती है;
• ऐसे उपकरण बनाने के लिए शास्त्रीय तरीकों का उपयोग किया जा सकता है, लेकिन उनकी लागत, उत्पादन समय और आकार बहुत कम हो जाएगा।

वैज्ञानिकों का मानना ​​है कि एक मिलीमीटर पैमाने पर उनका टेराएर्ट्ज़ त्वरक पारंपरिक त्वरक के बीच एक समझौता है, जो अब उपलब्ध हैं, और सूक्ष्म-त्वरक हैं, जिन्हें विकसित किया जा रहा है, लेकिन उनके बहुत छोटे आयामों के कारण कई कमियां हैं।

शोधकर्ता इस बात से इनकार नहीं करते हैं कि कुछ समय के लिए टेराएर्ट्ज़ एक्सेलेरेशन तकनीक का विकास हुआ है। हालांकि, उनकी राय में, इस क्षेत्र में अभी भी बहुत सारे पहलू हैं जिनका अध्ययन, सत्यापन या कार्यान्वयन नहीं किया गया है।

अपने काम में, जिस पर हम आज विचार कर रहे हैं, वैज्ञानिक STEAM ( खंडित टेराएर्ट्ज़ इलेक्ट्रॉन त्वरक और मैनिपुलेटर ) की क्षमताओं को प्रदर्शित करते हैं - एक खंडित टेराज़र्ट इलेक्ट्रॉन त्वरक और जोड़तोड़। स्टेअम इलेक्ट्रो बीम लंबाई को घटाकर सबपिकोसेकंड ड्यूरेशन करता है, जिससे त्वरण चरण पर फीटोसेकंड नियंत्रण होता है।

200 एमवी / एम (एमवी - मेगावोल्ट) के त्वरण क्षेत्र को प्राप्त करना संभव था, जो 55 केवी की ऊर्जा के साथ एक प्रस्तुत इलेक्ट्रॉन बीम से 70 केवी (किलोहेलेट्रॉन-वोल्ट) के रिकॉर्ड टेराएर्ट्ज त्वरण की ओर जाता है। इस प्रकार, 125 केवी तक के त्वरित इलेक्ट्रॉनों को प्राप्त किया गया था।

डिवाइस की संरचना और इसके कार्यान्वयन

छवि नंबर 1: जांच किए गए डिवाइस का आरेख।


चित्र संख्या 1-2: a - विकसित 5-परत खंडित संरचना का आरेख, b - परिकलित त्वरण का अनुपात और इलेक्ट्रॉन प्रसार की दिशा।

इलेक्ट्रॉन बीम (55 केवी) इलेक्ट्रॉन गन * से उत्पन्न होते हैं और टेराहर्ट्ज़ स्टैम-बाउकर (बीम कंप्रेसर) में एम्बेडेड होते हैं, और फिर स्टैम-लिनैक ( रैखिक त्वरक * ) में स्थानांतरित हो जाते हैं।

इलेक्ट्रॉन बंदूक * - आवश्यक विन्यास और ऊर्जा के एक इलेक्ट्रॉन बीम को उत्पन्न करने के लिए एक उपकरण।

रैखिक त्वरक * - एक त्वरक जिसमें आवेशित कण संरचना को केवल 1 बार पास करते हैं, जो चक्रीय एक (उदाहरण के लिए, एलएचसी) से रैखिक त्वरक को अलग करता है।

दोनों स्टैम डिवाइस एक एकल निकट अवरक्त (एनआईआर) लेजर से टेराएर्ट्ज दालों को प्राप्त करते हैं, जो इलेक्ट्रॉन बंदूक के फोटोकैथोड को भी ट्रिगर करता है, जिसके परिणामस्वरूप इलेक्ट्रॉनों और त्वरित क्षेत्रों के बीच आंतरिक तुल्यकालन होता है। फोटोकैथोड पर फोटोमोशन के लिए पराबैंगनी दालों निकट अवरक्त प्रकाश के मुख्य तरंग दैर्ध्य के SHG * के दो क्रमिक चरणों के माध्यम से उत्पन्न होते हैं। यह प्रक्रिया एक लेजर पल्स को 1020 एनएम के तरंग दैर्ध्य के साथ पहले 510 एनएम और फिर 255 एनएम पर परिवर्तित करती है।

SHG * (दूसरी ऑप्टिकल हार्मोनिक पीढ़ी) गैर-रैखिक सामग्री के साथ बातचीत के दौरान समान आवृत्ति के साथ फोटॉनों के संयोजन की प्रक्रिया है, जो दोगुनी ऊर्जा और आवृत्ति के साथ नए फोटॉनों के गठन की ओर जाता है, साथ ही साथ आधा तरंग दैर्ध्य भी।

एनआईआर लेजर बीम के शेष को 4 बीमों में विभाजित किया जाता है, जो इन-पल्स आवृत्तियों में अंतर पैदा करके चार एकल-चक्र टेराहर्ट्ज़ दालों को उत्पन्न करने के लिए उपयोग किया जाता है।

दो terahertz दालों फिर सममित सींग संरचनाओं के माध्यम से प्रत्येक STEAM डिवाइस में प्रवेश करते हैं जो कि इलेक्ट्रान प्रसार दिशा में अंतःक्रिया क्षेत्र में terahertz ऊर्जा को प्रत्यक्ष करते हैं।

जब इलेक्ट्रॉन प्रत्येक STEAM उपकरणों में प्रवेश करते हैं, तो वे लोरेंत्ज़ बल * के विद्युत और चुंबकीय घटकों के संपर्क में आते हैं।

लोरेंत्ज़ बल * - वह बल जिसके साथ एक विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र एक आवेशित कण पर कार्य करता है।

इस मामले में, विद्युत क्षेत्र त्वरण और मंदी के लिए जिम्मेदार है, और चुंबकीय क्षेत्र पार्श्व विचलन का कारण बनता है।


चित्र संख्या 2

जैसा कि हम चित्र 2a और 2b में देखते हैं, प्रत्येक STEAM डिवाइस के अंदर, terahertz मुस्कराते हुए पतली धातु की चादरों को अलग-अलग मोटाई की कई परतों में विभाजित किया जाता है, जिनमें से प्रत्येक एक waveguide के रूप में कार्य करता है जो कुल ऊर्जा का हिस्सा अंतःक्रिया क्षेत्र में स्थानांतरित करता है। इसके अलावा, ढांकता हुआ प्लेटें इलेक्ट्रान के मोर्चे के साथ टेराहर्ट्ज़ वेव फ्रंट * के आगमन के समय से मेल खाने के लिए प्रत्येक परत में मौजूद हैं।

वेवफ्रंट * वह सतह है जिस तक लहर पहुँची है।

दोनों STEAM डिवाइस इलेक्ट्रिक मोड में काम करते हैं, यानी इस तरह से एक इलेक्ट्रिक फील्ड को सुपरमपोज करते हैं और इंटरेक्शन क्षेत्र के केंद्र में एक चुंबकीय क्षेत्र को दबाते हैं।

पहले डिवाइस में, इलेक्ट्रॉनों को समयबद्ध किया जाता है ताकि टेराएर्ट्ज़ फ़ील्ड के शून्य क्रॉसिंग * से गुज़र सकें, जहां विद्युत क्षेत्र के अस्थायी ग्रेडिएंट्स को अधिकतम किया जाता है और औसत क्षेत्र को कम से कम किया जाता है।

शून्य क्रॉसिंग * वह बिंदु है जहां कोई वोल्टेज नहीं है।

इस तरह के कॉन्फ़िगरेशन में इलेक्ट्रॉन बीम की पूंछ का त्वरण और उसके सिर का एक मंदी का कारण बनता है, जो बैलिस्टिक अनुदैर्ध्य फोकस ( 2 ए और 2 सी ) की ओर जाता है।

दूसरे उपकरण में, इलेक्ट्रॉन और टेराएर्ट्ज़ विकिरण का तुल्यकालन सेट किया जाता है ताकि इलेक्ट्रॉन बीम केवल टेराहर्ट्ज़ विद्युत क्षेत्र के एक नकारात्मक चक्र का अनुभव करे। यह कॉन्फ़िगरेशन शुद्ध निरंतर त्वरण ( 2 बी और 2 डी ) की ओर जाता है।

एनआईआर विकिरण के साथ एक लेजर क्रायोजेनिक रूप से ठंडा Yb: YLF प्रणाली जैसा दिखता है, जो कि 1.2 पीएस की अवधि और 1020 एनएम की तरंग दैर्ध्य पर 50 mJ की ऊर्जा और 10 हर्ट्ज की दोहराव दर के साथ ऑप्टिकल दालों का उत्सर्जन करता है। और 0.29 टेराहर्ट्ज़ (3.44 पीएस की अवधि) की केंद्रीय आवृत्ति के साथ टेराएर्ट्ज़ दालों को नाड़ी के सामने ढलान द्वारा उत्पन्न किया जाता है।

टेरामर्ट्ज़ ऊर्जा के केवल 2 x 50 एनजे का उपयोग स्टैम के गुच्छा (बीम कंप्रेसर) को बिजली देने के लिए किया गया था, जबकि स्टैम-लिनक (रैखिक त्वरक) के लिए 2 एक्स 15 एमजे की आवश्यकता थी।

इनलेट और आउटलेट का व्यास, दोनों स्टीम उपकरणों के रूप में 120 माइक्रोन है।

बीम कंप्रेसर को एक ही ऊंचाई (0.225 मिमी) की तीन परतों के साथ डिज़ाइन किया गया है, जो समय सिंक्रनाइज़ेशन को नियंत्रित करने के लिए फ़्यूज़ सिलिका प्लेट्स () _r = 4.41) 0.42 और 0.84 मिमी लंबे के साथ सुसज्जित हैं। कंप्रेसर परतों की समान ऊँचाई इस तथ्य को दर्शाती है कि त्वरण घटित नहीं होता है ( 2s )।

लेकिन एक रैखिक त्वरक में, पहले से ही ऊंचाइयां भिन्न होती हैं - 0.225, 0.225 और 0.250 मिमी (+ फ्यूज्ड सिलिका प्लेटें 0.42 और 0.84 मिमी)। परत की ऊंचाई में वृद्धि त्वरण के दौरान इलेक्ट्रॉन के वेग में वृद्धि की व्याख्या करती है।

वैज्ञानिक ध्यान दें कि दो उपकरणों में से प्रत्येक की कार्यक्षमता के लिए परतों की संख्या सीधे जिम्मेदार है। त्वरण की एक उच्च डिग्री प्राप्त करने के लिए, उदाहरण के लिए, इंटरैक्शन को अनुकूलित करने के लिए अधिक परतों और एक अलग ऊंचाई कॉन्फ़िगरेशन की आवश्यकता होती है।

व्यावहारिक प्रयोगों के परिणाम

सबसे पहले, शोधकर्ताओं ने याद किया कि रेडियो फ्रीक्वेंसी के आधार पर पारंपरिक त्वरक में, एक त्वरित बीम के गुणों पर एक एम्बेडेड इलेक्ट्रॉन बीम के अस्थायी सीमा का प्रभाव विभिन्न समय पर पहुंचने वाले बीम के अंदर विभिन्न इलेक्ट्रॉनों की बातचीत के दौरान अनुभव किए गए विद्युत क्षेत्र में बदलाव के साथ जुड़ा हुआ है। इस प्रकार, यह माना जा सकता है कि एक बड़ी ढाल वाले और लंबे समय तक बीम वाले क्षेत्र ऊर्जा का अधिक प्रसार करेंगे। प्रस्तुत लंबी अवधि के बीम भी उच्च उत्सर्जन के लिए नेतृत्व कर सकते हैं * ।

एमिटन्स * - चरण स्थान जो आवेशित कणों के त्वरित बीम पर कब्जा कर लेता है।

एक टेराहर्ट्ज त्वरक के मामले में, उत्तेजना क्षेत्र की अवधि लगभग 200 गुना कम है। नतीजतन, समर्थित फ़ील्ड की ताकत * 10 गुना अधिक होगी।

विद्युत क्षेत्र की ताकत * इस क्षेत्र के परिमाण में दिए गए बिंदु पर लगाए गए निश्चित बिंदु आवेश पर लगाए गए बल के अनुपात के बराबर विद्युत क्षेत्र का सूचक है।

इस प्रकार, एक टेराहर्ट्ज त्वरक में, इलेक्ट्रॉनों द्वारा अनुभव किए जाने वाले क्षेत्र ग्रेडिएंट एक पारंपरिक उपकरण की तुलना में अधिक परिमाण के कई आदेश हो सकते हैं। जिस समय क्षेत्र की वक्रता ध्यान देने योग्य होगी वह समय बहुत छोटा होगा। यह इस प्रकार है कि शुरू की गई इलेक्ट्रॉन बीम की अवधि में अधिक स्पष्ट प्रभाव होगा।

व्यवहार में वैज्ञानिकों ने सिद्धांत का परीक्षण करने का निर्णय लिया। ऐसा करने के लिए, उन्होंने अलग-अलग अवधि के इलेक्ट्रॉन बीम पेश किए, जो पहले STEAM डिवाइस (STEAM-गुच्छा) के कारण संपीड़न द्वारा नियंत्रित किया गया था।


चित्र संख्या 3

मामले में जब कंप्रेसर बिजली के स्रोत से जुड़ा नहीं था, तो इलेक्ट्रॉन बीम (55 केवी) को (1 fC (फेम्टोकॉलन) के चार्ज के साथ इलेक्ट्रॉन गन से रैखिक त्वरक उपकरण (STEAM-linac) तक लगभग 300 मिमी पारित किया गया। ये इलेक्ट्रॉन 1000 से अधिक एफएस (फेमटोसेकंड) की अवधि तक अंतरिक्ष प्रभारी बलों के प्रभाव में विस्तार कर सकते हैं।

इस तरह की अवधि के साथ, इलेक्ट्रॉन बीम ने 1.7 पीएस की आवृत्ति के साथ त्वरण क्षेत्र के आधे-लहर के लगभग 60% पर कब्जा कर लिया, जिसके कारण 115 केवी के शिखर के साथ त्वरण के बाद ऊर्जा स्पेक्ट्रम हुआ और 60 केवी ( 3 ए ) से अधिक ऊर्जा वितरण की अर्ध-चौड़ाई।

इन परिणामों की अपेक्षा लोगों के साथ करने के लिए, एक रैखिक त्वरक के माध्यम से इलेक्ट्रॉन प्रसार की स्थिति को सिम्युलेट किया गया था जब इलेक्ट्रॉनों को सिंक से बाहर किया गया था (यानी इसके साथ संयोग नहीं था) इष्टतम परिचय समय के संबंध में। इस स्थिति की गणना से पता चला है कि इलेक्ट्रॉन ऊर्जा में वृद्धि बहुत कुछ सबपीकोसेकंड टाइम स्केल ( 3 बी ) तक की शुरूआत पर निर्भर करती है। यही है, इष्टतम ट्यूनिंग के साथ, इलेक्ट्रॉन प्रत्येक परत ( 3% ) में टेराएर्ट्ज़ विकिरण के त्वरण का एक पूर्ण आधा चक्र का अनुभव करेगा।

यदि इलेक्ट्रॉन अलग-अलग समय पर आते हैं, तो वे पहली परत में कम त्वरण का अनुभव करते हैं, जिससे उनके पारित होने के लिए अधिक समय की आवश्यकता होती है। फिर निम्न परतों में वंशानुक्रम में वृद्धि की जाती है, जिसमें से अवांछनीय मंदी ( 3 डी ) होती है।

इलेक्ट्रॉन बीम की अस्थायी लंबाई के नकारात्मक प्रभाव को कम करने के लिए, पहले STEAM डिवाइस ने संपीड़न मोड में काम किया। रैखिक त्वरक पर इलेक्ट्रॉन बीम की अवधि कम से कम ~ 350 fs (अर्ध-चौड़ाई) के लिए अनुकूलित की गई थी, जो कंप्रेसर को आपूर्ति की गई तेरहर्ट्ज़ ऊर्जा को समायोजित करके और रैखिक त्वरक को हैचिंग मोड ( 4b ) पर स्विच करके।


चित्र संख्या 4

न्यूनतम बीम की अवधि फोटोकैथोड के यूवी पल्स की अवधि के अनुसार निर्धारित की गई थी, जिसकी अवधि ~ 600 एफएस थी। कंप्रेसर और पट्टी के बीच की दूरी ने भी एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाई, जिसने गति में मोटा होना की ताकत को सीमित कर दिया। साथ में, इन उपायों से त्वरण चरण में परिचय चरण की फेमटोसेकंड सटीकता सुनिश्चित करना संभव हो जाता है।

चित्रा 4 ए से पता चलता है कि रैखिक त्वरक में अनुकूलित त्वरण के बाद एक संपीड़ित इलेक्ट्रॉन बीम की ऊर्जा प्रसार असम्पीडित की तुलना में ~ 4 गुना कम हो जाती है। त्वरण के कारण, एक संपीड़ित बीम की ऊर्जा स्पेक्ट्रम एक उच्चतर किरणों की ओर बढ़ती है, एक असम्पीडित किरण के विपरीत। त्वरण के बाद ऊर्जा स्पेक्ट्रम का शिखर लगभग 115 केवी है, और उच्च ऊर्जा पूंछ लगभग 125 केवीवी तक पहुंचती है।

वैज्ञानिकों द्वारा एक मामूली बयान के अनुसार, ये संकेतक, तेरहर्ट्ज़ रेंज में त्वरण (त्वरण से पहले 70 केवी) था का एक नया रिकॉर्ड है।

लेकिन, ऊर्जा के प्रसार ( 4 ए ) को कम करने के लिए, एक छोटी सी बीम को प्राप्त करना आवश्यक है।


चित्र संख्या 5

एक असम्पीडित बीम के मामले में, वर्तमान पर बीम के आकार की परवलयिक निर्भरता क्षैतिज और ऊर्ध्वाधर दिशाओं में अनुप्रस्थ विमुद्रीकरण को दर्शाती है:, _{x, n} = 1.703 mm * mrad और ε _{y, n} 1.491 mm * mrad ( 5a )।

बदले में, संपीड़न ने 6 से in _{x, n} = 0.285 mm * mrad (क्षैतिज) और _{, y, n} = 0.246 mm * mrad (वर्टिकल) के एक कारक द्वारा अनुप्रस्थ प्रेषण में सुधार किया।

यह ध्यान दिया जाना चाहिए कि बीम की अवधि में कमी की डिग्री की तुलना में उत्सर्जन में कमी की डिग्री लगभग दो गुना अधिक है, जो कि समय के साथ बातचीत की गतिशीलता की अशुद्धता का एक उपाय है, जब इलेक्ट्रॉनों को त्वरण ( 5 बी और 5 सी ) के दौरान चुंबकीय क्षेत्र के मजबूत ध्यान केंद्रित और विक्षेपण का अनुभव होता है।

यह छवि 5 बी में देखा जा सकता है कि इष्टतम समय पर पेश किए गए इलेक्ट्रॉनों को विद्युत क्षेत्र के त्वरण की पूरी छमाही अवधि का अनुभव होता है। लेकिन समय से पहले या बाद में आने वाले इलेक्ट्रॉनों को कम त्वरण और यहां तक ​​कि आंशिक मंदी का अनुभव होता है। परिणामस्वरूप इलेक्ट्रॉनों को कम ऊर्जा प्राप्त होती है, मोटे तौर पर बोलना।

चुंबकीय क्षेत्र के संपर्क में आने पर इसी तरह की स्थिति देखी जाती है। इष्टतम समय पर पेश किए गए इलेक्ट्रॉनों को सकारात्मक और नकारात्मक चुंबकीय क्षेत्रों की एक सममित मात्रा का अनुभव होता है। यदि इलेक्ट्रॉनों की शुरूआत इष्टतम समय से पहले हुई थी, तो अधिक सकारात्मक क्षेत्र और कम नकारात्मक थे। इष्टतम समय की तुलना में बाद में इलेक्ट्रॉनों की शुरूआत के मामले में, कम सकारात्मक और अधिक नकारात्मक हैं ( 5 एस )। और इस तरह के विचलन इस तथ्य की ओर ले जाते हैं कि इलेक्ट्रॉन धुरी के सापेक्ष स्थिति के आधार पर बाएं, दाएं, ऊपर या नीचे विचलन कर सकता है, जिससे बीम के फोकसिंग या डिफोकसिंग के अनुरूप अनुप्रस्थ गति में वृद्धि होती है।

अध्ययन की बारीकियों के साथ एक अधिक विस्तृत परिचित के लिए, मैं सुझाव देता हूं कि आप वैज्ञानिकों की रिपोर्ट और इसके लिए अतिरिक्त सामग्रियों पर ध्यान दें।

उपसंहार

संक्षेप में, इलेक्ट्रॉन बीम की अवधि में कमी के मामले में त्वरक प्रदर्शन बढ़ेगा। इस काम में, स्थापना ज्यामिति द्वारा प्राप्त करने योग्य बीम की अवधि सीमित थी। लेकिन, सिद्धांत रूप में, बीम की अवधि 100 एफएस से कम तक पहुंच सकती है।

वैज्ञानिक यह भी ध्यान देते हैं कि परतों की ऊंचाई कम करने और उनकी संख्या बढ़ाने से बीम की गुणवत्ता में और सुधार हो सकता है। हालांकि, यह विधि समस्याओं के बिना नहीं है, विशेष रूप से, डिवाइस के उत्पादन की जटिलता को बढ़ाती है।

यह काम एक रैखिक त्वरक के लघु संस्करण के अधिक व्यापक और विस्तृत अध्ययन का प्रारंभिक चरण है। इस तथ्य के बावजूद कि परीक्षण किया गया संस्करण पहले से ही उत्कृष्ट परिणाम दिखाता है, जिसे सही रूप से रिकॉर्ड कहा जा सकता है, अभी भी बहुत काम है।

आपका ध्यान के लिए धन्यवाद, जिज्ञासु बने रहें और एक अच्छा काम करने का सप्ताह है, दोस्तों! :)

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