ट्रांज़िशन मेटल डाइक्लेकोजेनाइड्स: WS2 क्रिस्टल ग्रोथ के रहस्य को अनलॉक करना

“अच्छा, तुमने कोशिश की है? अब निर्देश देखें। ” यह मजाक कुछ लोगों की अनिच्छा का वर्णन करता है कि पहले यह पता करें कि निर्देशों के अनुसार क्या और कैसे करना है, और उसके बाद ही कार्य / विधानसभा / स्थापना के लिए आगे बढ़ें। जटिल वैज्ञानिक अनुसंधान, खोजों और अनुसंधान की दुनिया में, यह अक्सर भी होता है, हालांकि वैज्ञानिकों की इच्छा से नहीं। कुछ प्रक्रियाएं, जिनके परिणाम सभी को समझ में आते हैं और सभी के लिए स्पष्ट हैं, खराब अध्ययन किए जाते हैं, जिससे उन्हें सुधारना मुश्किल हो जाता है। इस तरह की प्रक्रियाओं का एक हड़ताली प्रतिनिधि संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड्स का गठन है। हालांकि, वैज्ञानिकों की उत्सुक टकटकी से कुछ भी छिपा नहीं होगा। तो, वैज्ञानिकों Toshiaki Kato और Toshiro Kaneko व्यक्तिगत रूप से संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड्स के संश्लेषण का निरीक्षण करने में सक्षम थे, जो कई परमाणुओं की मोटाई के साथ अर्धचालक वेफर्स हैं। इन संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड्स के बारे में इतना असामान्य क्या है, वैज्ञानिकों ने अपने रहस्यों की खोज कैसे की और अर्धचालकों की दुनिया के लिए इसका क्या मतलब है? हम इस बारे में अनुसंधान समूह की रिपोर्ट से सीखते हैं। चलो चलते हैं।

अध्ययन का आधार

संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड्स (इसके बाद पीडीएम) एक पतले मोनोलेयर सेमीकंडक्टर होता है जिसमें एक ट्रांज़िशन मेटल और चॉकन होता है। धातु परमाणुओं की एक परत चाकोजेन परमाणुओं की दो परतों के बीच स्थित होती है, जिसे सूत्र एमएक्स ₂ (एम - धातु और एक्स - चेल्कोजन) द्वारा व्यक्त किया जा सकता है।

चाल्कोजेनेस में ऐसे तत्व शामिल हैं जो हमारे लिए काफी परिचित हैं: ऑक्सीजन, सल्फर, सेलेनियम, टेल्यूरियम, पोलोनियम, और कृत्रिम रूप से संश्लेषित लिवरवर्म (लव)।

इसकी संरचना में पीडीएम के रूप में इन तत्वों (धातु और चेल्कोजेन) का संयोजन दो आयामी सामग्री है, इसकी अविश्वसनीय रूप से छोटी मोटाई के कारण, जो असामान्य गुणों और विशेषताओं की उपस्थिति की ओर जाता है। अक्सर, पीडीएम की तुलना ग्राफीन से की जाती है, एक और द्वि-आयामी संरचना, जिसके गुण उसके तीन-आयामी आधार (कार्बन) से बहुत अलग हैं। पीडीएम के कई दिलचस्प गुणों में शामिल हैं:

• MoS ₂ , WS ₂ , MoSe ₂ , WSe ₂ , MoTe ₂ प्रत्यक्ष-अंतर हैं, अर्थात्। उन में, चालन बैंड से वैलेंस बैंड तक एक इलेक्ट्रॉन का संक्रमण गति के नुकसान के साथ नहीं है, जो इन यौगिकों को इलेक्ट्रॉनिक्स या उत्सर्जकों और प्रकाशिकी में सेंसर बनाने के लिए उत्कृष्ट बनाता है;
• PDM में एक उलटा केंद्र * नहीं होता है , जो हमें शुल्क वाहक $ की एक नई डिग्री प्राप्त करने की अनुमति देता है
• पीडीएम मोनोलयर्स में मजबूत स्पिन-ऑर्बिट इंटरैक्शन, वैलेंस बैंड में सैकड़ों meV के स्पिन-ऑर्बिट विभाजन और कंडक्शन बैंड में कई meV की ओर जाता है, जो आपको लेजर फोटॉन ऊर्जा को समायोजित करके इलेक्ट्रॉन स्पिन को समायोजित करने की अनुमति देता है;
• MoS ₂ की दो-आयामीता और इस यौगिक के उच्च स्पिन-ऑर्बिट युग्मन में स्पिंट्रोनिक्स के लिए काफी संभावनाएं हैं।

व्युत्क्रम का केंद्र * आकृति (इस मामले में क्रिस्टल) के अंदर का बिंदु है, जिस पर किसी भी रेखा को इसके दोनों ओर और समान दूरी पर इसके माध्यम से खींची गई आकृति के संगत बिंदुओं को पूरा करेगा।

और यह पीडीएम में निहित सुविधाओं का केवल एक छोटा सा हिस्सा है। और क्षमताओं की इस सीमा का विस्तार करने के लिए विभिन्न स्थितियों में पीडीएम के गठन की प्रक्रिया का अध्ययन करके अधिक विस्तार से ही संभव है। हमारे काम में आज, वैज्ञानिकों ने टंगस्टन डाइसल्फ़ाइड (WS ₂ ) की वृद्धि के दौरान प्रसार और न्यूक्लिएशन की गतिशीलता का अवलोकन करने के लिए एक नई विधि का वर्णन किया है। वे पूर्ववर्ती * के प्रसार की लंबाई (एल _डी ) को भी सटीक रूप से निर्धारित करने में कामयाब रहे।

Precursor * - अंतिम पदार्थ के गठन की प्रतिक्रिया में शामिल एक पदार्थ।

अध्ययन के अनुसार, L _d का मान ~ 750 माइक्रोन तक पहुंच गया, जो कि पारंपरिक अर्धचालकों जैसे Si ₁₂ , GaAs ₁₃ और SiC _{14 की} तुलना में परिमाण के लगभग दो ऑर्डर अधिक है। WS ₂ के गठन के दौरान देखी गई अग्रदूत बूंदों के लिए वैज्ञानिक इतने बड़े संकेतक का श्रेय देते हैं।

अनुसंधान के परिणाम

और अब हम विचार करना शुरू करेंगे कि वैज्ञानिक अपनी टिप्पणियों के दौरान क्या खोजने में सक्षम थे।

सबसे पहले, वैज्ञानिक ध्यान दें कि द्वि-आयामी क्रिस्टल के विकास की गतिशीलता का अध्ययन करने के लिए न्यूक्लिएशन क्षेत्रों (चरण संक्रमण का पहला चरण) पर नियंत्रण रखना बहुत उपयोगी है। अपने काम में, शोधकर्ताओं ने सोने (एयू) के बिंदु समावेशन का उपयोग किया, जिससे न्यूक्लियेशन प्रक्रिया WS ₂ और न्यूक्लिएशन क्षेत्रों के घनत्व ( 1a - 1c ) को ठीक से नियंत्रित करना संभव हो गया।


चित्र संख्या 1

छवि 1d एयू अंक के एक सरणी वाले सब्सट्रेट पर डब्ल्यूएस ₂ के संश्लेषण के परिणामों को दिखाता है, जिसमें एयू अंक (एल _एयू ) के केंद्रों के बीच की दूरी 20 माइक्रोन थी। एयू के साथ क्षेत्रों में त्रिकोणीय WS ₂ क्रिस्टल की वृद्धि, न्यूक्लिएशन क्षेत्रों पर नियंत्रण की उपस्थिति और उनके घनत्व को दर्शाती है।

इसके अलावा, प्रसार की लंबाई (एल _डी ), जो क्रिस्टल विकास ( 1 सी ) का एक महत्वपूर्ण गतिज पैरामीटर है, प्रयोगात्मक रूप से निर्धारित किया गया था। यह देखते हुए कि WS ₂ का विकास केवल Au के साथ क्षेत्रों में देखा गया था, Au अंक के बीच के स्थानों में SiO ₂ सब्सट्रेट नंगे ( 1d ) बने रहे।

इस अवलोकन ने वैज्ञानिकों को दो न्यूक्लियेशन तंत्र का सुझाव दिया। यदि वाष्प चरण से सब्सट्रेट को वितरित लगभग सभी पूर्ववर्ती सामग्री को एयू अंक द्वारा प्रभावी रूप से आकर्षित किया गया था और डब्ल्यूएस ₂ वृद्धि के लिए उपयोग किया गया था, तो एल _डी को निम्न सूत्र द्वारा निर्धारित किया जा सकता है:

एल _डी ≈ d2L _एयू / 2

दिलचस्प बात यह है कि व्यक्तिगत WS ₂ क्रिस्टल का गठन केवल Au क्षेत्रों में तब भी देखा गया था जब L _Au m 200 माइक्रोन ( 1e और 1f ) था। और यह बताता है कि अधिकतम संकेतक L _d 140 माइक्रोन से अधिक नहीं होगा। यह अवलोकन भी दिलचस्प है कि एल _डी पारंपरिक सेमीकंडक्टर सामग्री (सी ₁₂ , गैस ₁₃ और सीसीसी ₁₄ ) 0.2 से 30 माइक्रोन की सीमा में है।

L _{d के} अधिक सटीक निर्धारण के लिए और अग्रदूत के सुपरलंग विसरण के अवलोकन के लिए, Au बिंदुओं ( 2a ) के चारों ओर प्रसार अवरोध स्थापित किए गए थे।


चित्र संख्या 2

प्रारंभिक चरण में क्रिस्टल की वृद्धि रुक ​​गई, जब त्रिकोणीय क्रिस्टल WS ₂ (L _{WS 2} ) के प्रत्येक पक्ष की लंबाई वृद्धि के समय के साथ बढ़ गई। इस मॉडल में L _{WS 2 का} मान बहुत संबंधित है () _eff t) ^0.5 , जहां is _eff , WS ₂ के विकास के किनारे के लिए प्रभावी अग्रगामी प्रवाह है, और t विकास का समय है। इसके अलावा, _{d d} ² ₀ L _d ^{2 के} लिए आनुपातिक था, जहां the ₀ वाष्प-चरण अग्रदूतों का प्रवाह प्रति इकाई क्षेत्र में सब्सट्रेट है। Γ _eff डिफ्यूजन बैरियर वॉल (L _BW ) की लंबाई पर निर्भर करता है; इसलिए, L _{WS 2} , L _BW ( 2a और 2b ) के आधार पर अलग-अलग होगा।

इस मॉडल के आधार पर, वैज्ञानिकों ने एक क्षेत्र का सुझाव दिया जिसमें L _{WS 2} की वृद्धि द्विघात समारोह L _BW से संतृप्ति अवस्था ( 2b ) में परिवर्तित हो जाएगी। इस प्रकार, L _BW , 2b ग्राफ पर विभक्ति बिंदु पर 2L _{d के} बराबर होगा।

वास्तविक प्रयोग के लिए, वैज्ञानिकों ने सब्सट्रेट पर विभिन्न आकारों के वर्ग प्रसार अवरोधों को रखा, जिनमें से प्रत्येक एयू ( 2 सी ) बिंदु के आसपास केंद्रित था। जैसा कि अपेक्षित था, L _{WS 2} और L _BW ( 2d - 2g ) के बीच एक स्पष्ट संबंध था।

जब L _BW छोटा था, L _{WS 2} L _{BW के} साथ बढ़ गया और महत्वपूर्ण सीमा L _BW तक पहुंचने के बाद संतृप्ति बिंदु पर पहुंच गया। इससे संकेत मिला कि WS _{2 का} क्रिस्टल आकार प्रसार द्वारा नियंत्रित किया _{गया था} , और यह कि L _d को दहलीज L _BW द्वारा निर्धारित किया जा सकता है। यह भी पाया गया कि एल _डी में परिवर्तन उस क्षेत्र में सब्सट्रेट (पी 1, पी 2, पी 3, पी 4) पर न्यूक्लिएशन की स्थिति पर निर्भर करता है, जहां तापमान ~ 721 डिग्री सेल्सियस से ~ 654 डिग्री सेल्सियस तक कम हो जाता है, और एल _डी के अधिकतम मूल्य ~ 750 माइक्रोन पर देखा गया था। 721 ° C (P1) और 698 ° C (P2)।

पारंपरिक अर्धचालकों के लिए, प्रमुख चार्ज ट्रांसफर मॉडल को रोक दिया जाता है, जब पूर्ववर्ती निकटतम पड़ोसी (निकटतम पड़ोसी से एनएन) स्थिर क्षेत्रों के बीच कूदते हैं। प्रसार कई माइक्रोमीटर पर होता है। इस मॉडल का उपयोग करते हुए WS ₂ अग्रदूतों के अतिरिक्त-लंबे प्रसार को समझाने के प्रयासों ने NN क्षेत्रों के बीच की दूरी की तुलना में एक छलांग में 100 गुना से अधिक दूरी तय की है। इससे पहले, वैज्ञानिकों के अनुसार, समान छलांग पहले से ही देखी गई थी, लेकिन इतनी बड़ी नहीं थी, अर्थात्। सब्सट्रेट सतह पर डब्ल्यू के प्रसार के दौरान, एनएन क्षेत्रों के बीच की दूरी की तुलना में सबसे लंबी छलांग केवल कई बार लंबी थी।

यह देखते हुए कि WS ₂ में इस तरह के लंबे कूद पहले कहीं भी नहीं देखे गए थे, हम मान सकते हैं कि WS ₂ अग्रदूतों का प्रसार पूरी तरह से अलग तंत्र के अनुसार होता है।


चित्र संख्या 3

डब्ल्यूएस ₂ गठन की गतिशीलता को बेहतर ढंग से समझने के लिए, प्रयोगों का आयोजन किया गया था जिसमें सोने के समावेशन (डी _एयू ) के आकार और व्यास विविध थे ( 3 ए )। Nucleation बिंदु की संरचना और WS ₂ ( 3a और 3b ) के nucleation की संभावना के बीच एक मजबूत सहसंबंध देखा गया था।

यह भी नोट किया गया था कि WS ₂ मोनोलेयर का क्रिस्टलीकरण सोने के समावेशन के आकार पर निर्भर नहीं था, WS ₂ सिंगल क्रिस्टल समान रूप से गोल, त्रिकोणीय, वर्ग और रॉड के आकार वाले क्षेत्रों में समान रूप से विकसित हुए।

फिर, वैज्ञानिकों ने अपनी शूटिंग को सोने के गोल प्रसार पर ठीक से केंद्रित किया, उनके व्यास को बदल दिया, और विभिन्न तापमानों के प्रभाव पर भी नजर रखी गई। प्रयोग से पता चला कि डी _एयू ~ 1 माइक्रोन पर, एकल क्रिस्टल डब्ल्यूएस ₂ की एकाग्रता डी _एयू i 4 माइक्रोन से अधिक थी, अर्थात। सोना ( 3s ) के छोटे समावेशन पर वृद्धि के साथ एकाग्रता अधिक थी।

विकास तापमान को बदलने से हमें L _{WS 2} का मान बदलने की अनुमति मिली। L _{WS 2} / D _Au पर एकल क्रिस्टल सांद्रता की निर्भरता की साजिश ने एक स्पष्ट सहसंबंध दिखाया: WS ₂ एकल क्रिस्टल की एकाग्रता LWS ₂ / D _{Au के} साथ बढ़ गई और संतृप्ति (L _{WS 2} / D _Au )> 6 ( 3 डी ) पर पहुंच गई।

अवलोकन डेटा को निम्नानुसार सारांशित करना:

अग्रदूत की प्रसार लंबाई सुपरलॉग (~ 750 माइक्रोन) थी;
एकल क्रिस्टल विभिन्न आकृतियों के अन्तर्निर्मित सोने (एयू) पर विकसित हो सकते हैं;
एकल क्रिस्टल और एल _{डब्ल्यूएस 2} / डी _एयू की एकाग्रता के बीच एक स्पष्ट संबंध है।

अवलोकनों से प्राप्त आंकड़ों के आधार पर, वैज्ञानिकों ने अग्रदूत ( 3e ) के प्रसार और न्यूक्लियेशन के अपने मॉडल का प्रस्ताव रखा। चूँकि सोने के समावेशन का आकार किसी भी तरह से WS ₂ के विकास से जुड़ा नहीं है, इसलिए यह माना जाना चाहिए कि अग्रदूतों का एक गोल "puddle" ( 3e " puddle ") दो आयामी विकास की शुरुआत से पहले भी intersp Au के आसपास बन सकता है। इसके अलावा, पॉलीक्रिस्टलाइन WS ₂ की वृद्धि संभव होगी। अग्रदूत पोखर का व्यास सोने (डी _एयू ) के समावेशन के व्यास से छोटा होगा। नतीजतन, अग्रदूत बूंदों के रूप में सब्सट्रेट पर अलग-अलग होगा, बजाय व्यक्तिगत अणुओं के रूप में, जो SiO ₂ सब्सट्रेट पर अग्रदूतों के अतिरिक्त लंबे प्रसार को समझाता है।

इसके अलावा, बूंदों और सब्सट्रेट के बीच बातचीत रासायनिक के बजाय भौतिक सोखना के माध्यम से होती है। और यह परमाणु और आणविक प्रसार से पूरी तरह से अलग है, जहां सब्सट्रेट की सतह के साथ मजबूत रासायनिक इंटरैक्शन के कारण एनएन कूद प्रमुख है। शारीरिक रूप से adsorbed बूंदें आसानी से अपेक्षाकृत लंबे समय के लिए SiO ₂ की सतह पर चलती हैं, जो अल्ट्रा-लॉन्ग डिफ्यूज़न सुनिश्चित करती हैं।

वैज्ञानिकों ने यंग-लाप्लास समीकरण का उपयोग करते हुए बूंदों की स्थिरता का निर्धारण किया: γP = 2 the / r, जहां isP ड्रॉप दबाव (पी) और वाष्प दबाव (पी _आउट ) के बीच अंतर है; t छोटी बूंद का सतही तनाव है; r ड्रॉप का त्रिज्या है।

WillP मान जितना छोटा होगा, ड्रॉप उतनी ही स्थिर होगी। इसका मतलब यह है कि कम low के साथ सामग्री अधिक स्थिर होती है, खासकर नैनोस्केल रेंज (आर <500 एनएम) में। पिघला हुआ धातुओं के value बूंदों के मूल्य को तापमान में वृद्धि, बूंदों के आकार को कम करने और उन्हें ऑक्सीजन के साथ मिलाकर कम किया जा सकता है। यह माना जा सकता है कि उच्च तापमान पर WxSyOz युक्त नैनोस्केल बूंदें सतह की बहुत कम तनाव दर्शाती हैं, जो उन्हें अग्रदूत बूंदों के लिए उम्मीदवार बनाती हैं। शोधकर्ताओं ने ध्यान दिया कि WS _{2 के} विकास की गतिशीलता को बेहतर ढंग से समझने के लिए, अग्रदूत बूंदों के घटकों का सावधानीपूर्वक अध्ययन करना आवश्यक है।

सभी गणनाओं, सिद्धांतों और प्रयोगात्मक परिणामों की पुष्टि बहुत ही सरल तरीके से की जा सकती है, लेकिन एक ही समय में जटिल तरीके से, न्यूक्लियेशन चरण के प्रत्यक्ष अवलोकन द्वारा।


चित्र संख्या 4

प्रत्यक्ष अवलोकन (वास्तविक समय में) के दौरान, LWS ₂ में वृद्धि देखी गई, जो WS ₂ क्रिस्टल विकास ( 4a - 4c ) के वास्तविक समय के अवलोकन की बहुत संभावना की पुष्टि करता है।

न्यूक्लियेशन के एक विस्तृत अध्ययन से एक दिलचस्प परिवर्तन ( 4d - 4f ) का पता चला। वृद्धि की शुरुआत में, रिंग संरचनाएं ( 4d और 4g ) प्राकृतिक न्यूक्लिएशन केंद्र के आसपास बनती हैं। वे विकास चरण ( 4e , 4f , 4h और 4i ) में त्रिकोणीय आकृतियों में बदल गए। ये अवलोकन पहले वर्णित मॉडल ( 3e ) के अनुरूप हैं। इसलिए, यह अपने केंद्र के चारों ओर nucleation के तुरंत बाद गठित अग्रदूत का एक पूल इंगित करता है। WS ₂ में अग्रदूतों के पूल से समान परिवर्तन कई न्यूक्लियेशन साइटों ( 4j ) में देखे गए , जिसने ड्रॉप्स ( 3e और 4g - 4i ) के कारण विकास की गतिशीलता की विश्वसनीयता स्थापित की।

यह पाया गया कि लगभग 41% अग्रदूत विकास की अवस्था के दौरान WS _{2 में} परिवर्तित हो जाते हैं।

मुख्य तथ्य यह है कि एक बार में पीडीएम के कई विकास तंत्रों की उपस्थिति की पुष्टि करता है, जो कि पूर्वजों के पूल के बिना भी WS ₂ क्रिस्टल के एक हिस्से का गठन है।

इसके अलावा, अध्ययन किए गए विकास मॉडल के आधार पर, वैज्ञानिकों ने डी _एयू , एल _एयू और एक दहनशील प्रयोग में वृद्धि तापमान के लिए सटीक समायोजन किया। इन व्यवस्थित समायोजनों ने डब्ल्यूएस ₂ एकल क्रिस्टल के एकीकृत संश्लेषण के लिए आवश्यक परिस्थितियों का निर्माण किया, जो कि न्यूक्लियेशन की संभावना और एकल क्रिस्टल की वृद्धि के बीच संतुलन द्वारा निर्धारित किया गया था। सबसे उपयुक्त विकास स्थितियों के तहत, एकीकृत WS _{2 को} 1.5 सेमी x 1.5 सेमी के क्षेत्र में उगाया _{गया था} , जिसने पूरे सब्सट्रेट ( 5a ) को कवर किया था।


चित्र संख्या 5

एक ऑप्टिकल माइक्रोस्कोप ( 5 बी ) और स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप ( 5 सी ) के साथ प्राप्त छवियों से पता चला कि त्रिकोणीय डब्ल्यूएस ₂ क्रिस्टल एयू अंक पर> 87% के परिणाम के साथ बढ़े हैं। परमाणु बल माइक्रोस्कोपी ने दिखाया कि WS ₂ की मोटाई लगभग 0.8 एनएम ( 5d ) थी। क्रिस्टोलिन WS ₂ को फोटोल्यूमिनेसेंस इंटेंसिटी मैप ( 5e ) पर दिखाया गया है, 1.97 eV ( 5f ) पर एक तेज उत्सर्जन चोटी के साथ उज्ज्वल फोटोलुमिनेसिसिस दिखाया गया है।

WS _{2 के} रमन स्पेक्ट्रा में दो चोटियों को 61 सेमी 51 ( 5g और 5h ) द्वारा अलग किया गया था। इससे पता चलता है कि इस विधि द्वारा उगाए गए WS ₂ एक एकल एकल-क्रिस्टल संरचना है।

पीएल तीव्रता का मानचित्रण ए और बी ( 5 ए ) के बीच एक बड़े क्षेत्र में किया गया था। सब्सट्रेट ( 5i ) की पूरी चौड़ाई (1.5 सेमी) पर वर्दी फोटोलुमिनेसेंस का पता चला था।

इन सभी टिप्पणियों ने पुष्टि की है कि> 35,000 व्यक्तिगत WS ₂ क्रिस्टल सटीक स्थिति नियंत्रण के साथ उगाए जा सकते हैं।

अध्ययन की बारीकियों के साथ एक अधिक विस्तृत परिचित के लिए, मैं सुझाव देता हूं कि आप वैज्ञानिकों की रिपोर्ट और इसके लिए अतिरिक्त सामग्रियों पर ध्यान दें।

उपसंहार

इस काम में, वैज्ञानिक दुनिया के पहले प्रत्यक्ष वास्तविक समय के परिणामों को प्रदर्शित करने में सक्षम थे जो कि डब्ल्यूएस _२ क्रिस्टल के विकास का था। इसने मोनोलर और सिंगल क्रिस्टल डब्लूएस ₂ के विकास की गतिशीलता की बेहतर समझ दी। एयू अंक और प्रसार बाधाओं के कारण न्यूक्लिएशन को नियंत्रित करके, प्रसार लंबाई एल _डी ~ 750 माइक्रोन का एक रिकॉर्ड मूल्य प्राप्त किया गया था, जो कि पारंपरिक अर्धचालक सामग्रियों की तुलना में परिमाण के लगभग दो ऑर्डर अधिक है।

अपने सभी सिद्धांतों, गणनाओं और टिप्पणियों को एक साथ रखकर, वैज्ञानिक एक जुझारू प्रयोग को लागू करने में सक्षम थे, जिसके परिणामस्वरूप केवल 1.5 सेमी की चौड़ाई के साथ एक सब्सट्रेट पर 35,000 से अधिक WS ₂ सिंगल क्रिस्टल की सफल वृद्धि हुई।

शोधकर्ता खुद मानते हैं कि उनके काम के परिणाम संक्रमणकारी धातु डाइक्लोकेनोजाइड के गठन के मूलभूत सिद्धांतों का अध्ययन करने से लेकर व्यावहारिक अनुभवों और प्रक्रिया में प्राप्त ज्ञान के कार्यान्वयन तक के सफल संक्रमण के आधार के रूप में काम करेंगे।

ऐसे असामान्य यौगिकों की प्रकृति, गुण और विशेषताओं को पूरी तरह से समझकर, संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड्स के रूप में, नए प्रकार के अर्धचालकों का निर्माण किया जाएगा, जिनमें से मोटाई केवल कुछ परमाणु होगी, और दक्षता शास्त्रीय अर्धचालक से नीच नहीं होगी। इस तरह के विकास सभी प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक्स में बेहद उपयोगी होंगे, खासकर लचीले लोगों में।

क्या हम सभी संक्रमण धातु डाइक्लोजेनाइड्स के बारे में जानते हैं? बेशक, सभी से बहुत दूर। हालांकि, इस तरह के अनुसंधान के लिए धन्यवाद, हमारे ज्ञान की सीमा का विस्तार हो रहा है, जो भविष्य में हमें न केवल अर्धचालक, बल्कि हमारे आसपास की दुनिया की हमारी समझ को पूरी तरह से बदलने की अनुमति देगा।

आपका ध्यान के लिए धन्यवाद, जिज्ञासु बने रहें और एक अच्छा काम करने का सप्ताह है, दोस्तों! :)

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