फ्लैश विश्वसनीयता: अपेक्षित और अप्रत्याशित। भाग 3. USENIX एसोसिएशन का XIV सम्मेलन। फ़ाइल भंडारण तकनीक

फ्लैश विश्वसनीयता: अपेक्षित और अप्रत्याशित। भाग 1. USENIX एसोसिएशन का XIV सम्मेलन। फ़ाइल भंडारण तकनीक
फ्लैश विश्वसनीयता: अपेक्षित और अप्रत्याशित। भाग 2. USENIX एसोसिएशन का XIV सम्मेलन। फ़ाइल भंडारण तकनीक

5.5। अपरिवर्तनीय त्रुटियां और लिथोग्राफी

दिलचस्प बात यह है कि RBER के मामले की तुलना में अचूक त्रुटियों पर लिथोग्राफी का प्रभाव कम स्पष्ट है, जहाँ एक छोटी सी लिथोग्राफी, जैसा कि अपेक्षित है, उच्चतर RBER की ओर ले जाती है। उदाहरण के लिए, चित्रा 6 से पता चलता है कि एसएलसी-बी मॉडल में एसएलसी-ए मॉडल की तुलना में तेजी से त्रुटि सुधार दर है, हालांकि एसएलसी-बी में एक बड़ी लिथोग्राफी है (एसएलसी-ए मॉडल के लिए 34nm की तुलना में 50nm)। इसके अलावा, MLC श्रृंखला के मॉडल एक छोटे से काम के आकार (MLC-B मॉडल) के साथ, एक नियम के रूप में, अन्य मॉडलों की तुलना में अधिक घातक त्रुटि दर नहीं है।
वास्तव में, अपने जीवन के पहले तीसरे (0 से 1000 तक पीई चक्रों की संख्या) और अपने जीवन के अंतिम तीसरे (> 2200 पीई चक्र) के दौरान, इस मॉडल की तुलना में कम यूई आवृत्ति है, उदाहरण के लिए, एमएलसी-डी मॉडल। याद रखें कि सभी MLC और SLC ड्राइव समान ECC तंत्र का उपयोग करते हैं, इसलिए इन परिणामों को ECC में अंतर के लिए जिम्मेदार नहीं ठहराया जा सकता है।

सामान्य तौर पर, हम पाते हैं कि RBER के प्रभाव का अध्ययन करते समय हमने जो देखा, उसकी तुलना में लिथोग्राफी में अपेक्षा से कम प्रभाव और अचूक त्रुटियों पर कम प्रभाव पड़ता है।

5.6। अचूक त्रुटियों की तुलना में अन्य प्रकार की त्रुटियों का प्रभाव

इस बात पर विचार करें कि क्या अन्य त्रुटियों की उपस्थिति से अचूक त्रुटियों की संभावना बढ़ जाती है।

चित्र 7, डिस्क ऑपरेशन के दिए हुए महीने में होने वाली एक घातक त्रुटि की संभावना को दर्शाता है, जो इस बात पर निर्भर करता है कि ऑपरेशन की पिछली अवधि में कुछ बिंदु पर डिस्क पर विभिन्न प्रकार की त्रुटियां हुई थीं (धारियों का पीला रंग) या पिछले महीने में (धारियों का हरा रंग), और तुलना अगले महीने में एक अपरिवर्तनीय त्रुटि (लाल सलाखों) की घटना की संभावना के साथ यह संभावना।

हम देखते हैं कि सभी प्रकार की त्रुटियों से अचूक त्रुटियों की संभावना बढ़ जाती है। इस मामले में, अधिकतम वृद्धि तब होती है जब पिछली त्रुटि को अपेक्षाकृत हाल ही में देखा गया था (यानी, पिछले महीने में - चार्ट पर हरे रंग की पट्टियां पीले रंग की तुलना में अधिक हैं) या यदि पिछली त्रुटि भी एक अपरिवर्तनीय त्रुटि थी। उदाहरण के लिए, किसी अन्य अचूक त्रुटि के एक महीने बाद होने वाली एक अचूक त्रुटि की संभावना, किसी अन्य महीने में अचूक त्रुटि देखने की 2% संभावना की तुलना में लगभग 30% है। लेकिन फाइनल राइट्स एरर, मेटा एरर्स और इरेज एरर्स भी UEs की संभावना को 5 गुना से ज्यादा बढ़ा देते हैं।


अंजीर। 7. विभिन्न प्रकार की पिछली त्रुटियों की उपस्थिति पर निर्भरता के कार्य के रूप में अचूक ड्राइव त्रुटियों की घटना की मासिक संभावना।

इस प्रकार, पिछली त्रुटियां, विशेष रूप से पिछली अपरिवर्तनीय त्रुटियों में, परिमाण के एक आदेश से अधिक के बाद अपरिवर्तनीय त्रुटियों की घटना को बढ़ाती हैं।

6. हार्डवेयर की विफलता

6.1। क्षतिग्रस्त ब्लॉक

एक ब्लॉक एक मेमोरी सेक्शन है जिसमें मिटाए गए ऑपरेशन किए जाते हैं। हमारे अध्ययन में, हम उन इकाइयों के बीच अंतर करते हैं जो क्षेत्र में क्षतिग्रस्त हो गई थीं और जो पहले से ही फैक्टरी क्षति थीं जब ड्राइव उपयोगकर्ताओं को वितरित की गई थीं।

हमारे अध्ययन में, ड्राइव ने पढ़ने, लिखने या मिटाने की अंतिम त्रुटि के बाद ब्लॉक को क्षतिग्रस्त घोषित कर दिया, और तदनुसार इसे पुन: सौंप दिया (अर्थात, ब्लॉक को आगे उपयोग से बाहर रखा गया था और इस ब्लॉक में रखा गया कोई भी डेटा और जिसे फिर से ब्लॉक किया जा सकता है) ।


टेबल। 4. संचालन की क्षेत्र स्थितियों की प्रक्रिया में उत्पन्न होने वाले क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की उपस्थिति, और एक कारखाने में डिस्क की निर्माण प्रक्रिया में उत्पन्न होने वाले क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की उपस्थिति पर आंकड़े।

तालिका 4 का ऊपरी आधा क्षेत्र परीक्षणित ड्राइव में क्षतिग्रस्त इकाइयों पर आंकड़े देता है। शीर्ष पंक्ति 10 ड्राइव मॉडल में से प्रत्येक के लिए क्षतिग्रस्त ब्लॉकों के साथ ड्राइव के अनुपात को दिखाती है, औसत उन ड्राइवों के लिए क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की औसत संख्या दिखाता है जिनमें क्षतिग्रस्त ब्लॉक होते हैं, नीचे की रेखा क्षतिग्रस्त ब्लॉकों के साथ डिस्क के बीच क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की औसत संख्या दर्शाती है।

हमने केवल उन ड्राइवों पर विचार किया जो कम से कम चार साल पहले उत्पादन में लगाए गए थे, और केवल उन क्षतिग्रस्त ब्लॉकों को जो फील्ड परीक्षण के पहले 4 वर्षों के दौरान उत्पन्न हुए थे। तालिका का निचला आधा हिस्सा ड्राइव पर आंकड़े देता है जिसमें कारखाने के निर्माण के दौरान उत्पन्न होने वाले क्षतिग्रस्त ब्लॉक थे।

6.1.1। क्षेत्र में क्षतिग्रस्त इकाइयों की घटना

हम इस निष्कर्ष पर पहुंचे कि क्षतिग्रस्त ब्लॉक एक लगातार घटना है: क्षेत्र में, मॉडल के आधार पर, वे 30-80% डिस्क में पाए जाते हैं। क्षतिग्रस्त ड्राइव ब्लॉकों की संख्या के लिए संचयी वितरण समारोह (सीडीएफ) के अध्ययन से पता चला है कि क्षतिग्रस्त ब्लॉकों वाले अधिकांश डिस्क में ऐसे ब्लॉकों की एक छोटी संख्या होती है: मॉडल के आधार पर, क्षतिग्रस्त ब्लॉकों के साथ डिस्क के लिए खराब ब्लॉकों की औसत संख्या 2 से 4 है। हालांकि, यदि क्षतिग्रस्त की संख्या ड्राइव के ब्लॉक माध्यिका संख्या से अधिक है, फिर आमतौर पर यह बहुत अधिक है। इस घटना का चित्र 8 में चित्रण है।


अंजीर। 8. शुरू में क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की संख्या के आधार पर क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की संख्या में वृद्धि दिखाती हुई चित्रा।

चित्र 8 दिखाता है कि क्षतिग्रस्त ड्राइव ब्लॉकों की औसत संख्या पहले से ही क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की संख्या में वृद्धि के साथ कैसे विकसित होती है। नीली रेखा एमएलसी मॉडल से मेल खाती है, लाल धराशायी लाइनें एसएलसी मॉडल के अनुरूप हैं। विशेष रूप से, एमएलसी ड्राइव के लिए, हम दूसरे का पता लगाने वाले क्षतिग्रस्त ब्लॉक के बाद क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की संख्या में तेज वृद्धि का निरीक्षण करते हैं, जबकि मध्यिका संख्या 200 तक कूद जाती है, यानी 50 क्षतिग्रस्त डिस्क जिसमें 2 क्षतिग्रस्त ब्लॉक पाए जाते हैं, समय के साथ 200 या अधिक क्षतिग्रस्त ब्लॉक दिखाई देते हैं।

जब तक हमारे पास चिप स्तर पर त्रुटि की गिनती तक पहुंच नहीं होती है, तब तक क्षतिग्रस्त ब्लॉकों को सैकड़ों माना जाता है, संभवतः चिप की विफलताओं के कारण, इसलिए चित्र 8 इंगित करता है कि कई क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की उपस्थिति के बाद एक पूरे खराब होने की संभावना अधिक है। यह परिणाम चिप विफलताओं की भविष्यवाणी करने के लिए एक संभावित अवसर के रूप में कार्य कर सकता है यदि आप खराब ब्लॉकों की पिछली गणना पर भरोसा करते हैं और अन्य कारकों जैसे कि उम्र, कार्यभार और पीई चक्रों को ध्यान में रखते हैं।

खराब ब्लॉकों की घटना की आवृत्ति का निर्धारण करने के अलावा, हम यह जानने में भी रुचि रखते हैं कि क्षतिग्रस्त ब्लॉकों का पता कैसे लगाया जाता है - लेखन या मिटाए जाने के दौरान, जब उपयोगकर्ता को कोई ब्लॉक विफलता अदृश्य होती है, या जब एक अंतिम रीड त्रुटि होती है जो उपयोगकर्ता को दिखाई देती है और डेटा हानि का खतरा पैदा करती है। यद्यपि हमारे पास व्यक्तिगत ब्लॉक विफलताओं पर डेटा नहीं है और उन्हें कैसे पता लगाया गया था, हम विभिन्न प्रकार की त्रुटियों की देखी गई आवृत्तियों का उल्लेख कर सकते हैं, जो ब्लॉक विफलता का संकेत देते हैं। तालिका 2 पर लौटते हुए, हम देखते हैं कि सभी मॉडलों के लिए, इरेज़र एरर्स और राइट एरर की आवृत्ति अंतिम रीड एरर्स की तुलना में कम है, अर्थात, ऑपरेशन के दौरान अपारदर्शी त्रुटियों की घटना के परिणामस्वरूप क्षतिग्रस्त ब्लॉकों में से अधिकांश का पता लगाया जाता है।

6.1.2। कारखाने में क्षतिग्रस्त इकाइयाँ

ऊपर, हमने क्षेत्र में खराब ब्लॉकों की घटना की गतिशीलता की जांच की। यहां हम ध्यान दें कि लगभग सभी डिस्क (> अधिकांश मॉडलों के लिए 99%) में क्षतिग्रस्त ब्लॉकों के रूप में कारखाने के दोष शामिल थे, और उनकी संख्या मॉडल के बीच बहुत भिन्न होती है, 2 एसएलसी मॉडल के लिए 100 से कम औसत संख्या से शुरू होती है, और 800 से अधिक के विशिष्ट मूल्य के साथ समाप्त होती है अन्य मॉडलों के लिए। कारखाने के क्षतिग्रस्त ब्लॉकों का वितरण सामान्य वितरण से मेल खाता है, जबकि औसत और औसत मूल्य मूल्य के करीब हैं। दिलचस्प बात यह है कि कुछ हद तक फैक्टरी क्षतिग्रस्त इकाइयों की संख्या क्षेत्र में अन्य ड्राइव समस्याओं की उपस्थिति की भविष्यवाणी करती है। उदाहरण के लिए, हमने देखा कि सभी लेकिन एक ड्राइव मॉडल के लिए, कारखाने खराब ब्लॉकों के साथ ड्राइव के 95% क्षेत्र में नए क्षतिग्रस्त ब्लॉकों का एक उच्च अनुपात और अंतिम औसत के मुकाबले अंतिम लिखने की त्रुटियों का एक उच्च अनुपात है। मॉडल। उनके पास कुछ प्रकार की रीडिंग त्रुटियों (या तो अंतिम या गैर-अंतिम) के विकास का एक उच्च हिस्सा है। 5% प्रतिशत में डिस्क में औसत से नीचे टाइमआउट त्रुटियों का एक हिस्सा है। इस प्रकार, हम खराब ब्लॉकों के बारे में निम्नलिखित निष्कर्ष पर आए: 30-80% ड्राइव में ब्लॉक क्षति एक सामान्य घटना है जो कम से कम एक ऐसा ब्लॉक है। इसी समय, एक मजबूत निर्भरता है: यदि डिस्क में कम से कम 2-4 क्षतिग्रस्त ब्लॉक हैं, तो 50% संभावना है कि सैकड़ों क्षतिग्रस्त ब्लॉक का पालन करेंगे। लगभग सभी डिस्क कारखाने क्षतिग्रस्त ब्लॉकों के साथ आते हैं, जो क्षेत्र में उनके विकास की भविष्यवाणी करने का कारण बनता है, साथ ही साथ कुछ अन्य प्रकार की त्रुटियों का विकास भी होता है।

6.2। क्षतिग्रस्त मेमोरी चिप्स

हमारे अध्ययन में, यह माना जाता है कि डिस्क चिप विफल हो गई अगर 5% से अधिक ब्लॉक विफल हो गए, या यदि अंतिम समय अंतराल के दौरान डिस्क त्रुटियों की संख्या सीमा मूल्य से अधिक हो गई। कुछ फ़ैक्टरी फ्लैश ड्राइव में एक अतिरिक्त चिप होती है, इसलिए यदि एक चिप विफल हो जाती है, तो ड्राइव दूसरे का उपयोग करता है। हमारे अध्ययन में, ड्राइव का एक ही कार्य था। एक अतिरिक्त चिप पर काम करने के बजाय, क्षतिग्रस्त मेमोरी चिप्स को आगे के उपयोग से बाहर रखा गया था, और ड्राइव शेष चिप्स पर कम प्रदर्शन के साथ काम करना जारी रखा।

तालिका 5 की पहली पंक्ति क्षतिग्रस्त चिप्स की व्यापकता को दर्शाती है। हम देखते हैं कि ऑपरेशन के पहले चार वर्षों के दौरान 2-7% डिस्क में चिप की खराबी है। उन ड्राइवों में क्षतिग्रस्त चिप्स की मैपिंग के लिए एक तंत्र नहीं होता है, उन्हें मरम्मत की आवश्यकता होती है और निर्माता को वापस कर दिया जाता है।


टेबल। 5. दोषपूर्ण चिप्स के साथ डिस्क के विभिन्न मॉडलों की हिस्सेदारी को मरम्मत की आवश्यकता होती है और पहले 4 वर्षों के क्षेत्र परीक्षणों के दौरान प्रतिस्थापित किया जाता है।

हमने उन लक्षणों की भी जांच की जिनके कारण चिप को दोषपूर्ण के रूप में चिह्नित किया गया है: सभी मॉडलों में, लगभग दो-तिहाई चिप्स क्षतिग्रस्त ब्लॉकों के 5% के क्षतिग्रस्त होने के बाद चिह्नित किए जाते हैं, और त्रुटियों के साथ दिनों की सीमा तक पहुंचने के बाद एक तिहाई चिप्स विफल हो जाते हैं।

हमने देखा कि इन ड्राइवों के लिए सभी फ्लैश मेमोरी चिप्स के आपूर्तिकर्ताओं ने गारंटी दी थी कि पीई चक्रों की सीमा समाप्त होने तक प्रति चिप क्षतिग्रस्त ब्लॉकों की संख्या 2% से अधिक नहीं होगी। इसलिए, दो-तिहाई दोषपूर्ण चिप्स, जिसमें 5% से अधिक ब्लॉक विफल हो गए, निर्माता की वारंटी को पूरा नहीं करते हैं।

6.3। मरम्मत और ड्राइव का प्रतिस्थापन

यदि तकनीकी कर्मियों के हस्तक्षेप की आवश्यकता होती है, तो ड्राइव को प्रतिस्थापित या मरम्मत करना चाहिए। तालिका 5 की दूसरी पंक्ति उन डिस्क के प्रतिशत को दिखाती है जो ऑपरेशन के पहले 4 वर्षों के दौरान किसी समय मरम्मत की आवश्यकता थी। हम विभिन्न मॉडलों के डिस्क की मरम्मत की जरूरतों में महत्वपूर्ण अंतर देखते हैं। जबकि अधिकांश मॉडलों के लिए केवल ६- ९% को कुछ समय में मरम्मत की आवश्यकता होती है, कुछ ड्राइव मॉडल, जैसे एसएलसी-बी और एसएलसी-सी, को क्रमशः ३०% और २६% मामलों में मरम्मत की आवश्यकता होती है। मरम्मत की सापेक्ष आवृत्ति, अर्थात्, मरम्मत के मामलों की संख्या के लिए ड्राइव के संचालन के दिनों का अनुपात, तालिका 5 की तीसरी पंक्ति), हम सबसे अच्छे मॉडल की मरम्मत के लिए सबसे खराब मॉडल से लेकर 15,000 दिनों तक की मरम्मत की घटनाओं के बीच कुछ हज़ार दिनों से एक सीमा का निरीक्षण करते हैं।

हमने दोहराया मरम्मत की आवृत्ति की भी जांच की: ऑपरेशन की पूरी अवधि के दौरान, 96% डिस्क केवल 1 मरम्मत से गुजरती हैं। ऑपरेटिंग डिस्क के बेड़े के एक अध्ययन से पता चला है कि लगभग 5% ड्राइव लगातार कमीशन की तारीख (तालिका 5 की चौथी पंक्ति) से 4 साल के भीतर बदल दिए गए, जबकि सबसे खराब मॉडल (एमएलसी - बी और एसएलसी-बी) के बारे में, के बारे में 10% ड्राइव। प्रतिस्थापित डिस्क के बीच, लगभग आधा मरम्मत के लिए चला गया, और यह समझा गया कि सभी मरम्मत में से कम से कम आधा सफल होगा।

7. एमएलसी, ईएमएलसी और एसएलसी की तुलना - ड्राइव

ईएमएलसी और एसएलसी जैसे एक्ट्यूएटर उपभोक्ता बाजार को अधिक कीमत पर आकर्षित करते हैं। इस तथ्य के अलावा कि उन्हें उच्चतम धीरज की विशेषता है, अर्थात्, उच्च संख्या में पुनर्लेखन चक्र, ग्राहक मानते हैं कि एसएसडी के उच्चतम खंड के ऐसे उत्पादों को सामान्य विश्वसनीयता और स्थायित्व की विशेषता है। लेख के इस भाग में, हमने इस राय की निष्पक्षता का आकलन करने का प्रयास किया।

तालिका 3 पर लौटते हुए, हम देखते हैं कि यह राय RBER के सापेक्ष SLC डिस्क के संबंध में सही है, क्योंकि यह गुणांक MLC और eMLC ड्राइव की तुलना में कम परिमाण का क्रम है। हालांकि, टेबल 2 और 5 दिखाते हैं कि एसएलसी डिस्क में सबसे अच्छी विश्वसनीयता नहीं है: उनके प्रतिस्थापन और मरम्मत की आवृत्ति, साथ ही साथ अपारदर्शी त्रुटियों की आवृत्ति अन्य तकनीकों का उपयोग करके किए गए ड्राइव के समान संकेतकों से कम नहीं है।

EMLC ड्राइव MLC की तुलना में अधिक RBER दिखाते हैं, यहां तक ​​कि यह देखते हुए कि MLC ड्राइव के लिए RBER की निचली सीमा सबसे खराब स्थिति में 16 गुना अधिक हो सकती है। हालांकि, यह संभव है कि ये अंतर अन्य तकनीकी अंतरों की तुलना में कम लिथोग्राफी के कारण होते हैं। उपरोक्त टिप्पणियों के आधार पर, हम निष्कर्ष निकालते हैं कि एसएलसी ड्राइव आमतौर पर एमएलसी ड्राइव की तुलना में अधिक विश्वसनीय नहीं हैं।

8. एचडीडी के साथ तुलना

स्पष्ट सवाल यह है कि फ्लैश ड्राइव की विश्वसनीयता की तुलना उनके मुख्य प्रतियोगियों की विश्वसनीयता से कैसे की जाती है - एचडीडी।

हम पाते हैं कि जब डिस्क को बदलने की आवृत्ति की बात आती है, तो फ्लैश ड्राइव जीत जाते हैं। 2007 में किए गए पिछले अध्ययनों के अनुसार, HDD की कुल संख्या का लगभग 2-9% वार्षिक रूप से प्रतिस्थापित किया जाता है, जो ऑपरेशन शुरू होने के 4 साल बाद SSD के 4-10% से काफी अधिक है। हालांकि, फ्लैश ड्राइव कम आकर्षक हैं जब यह त्रुटि दर की बात आती है। ऑपरेशन के 4 वर्षों के दौरान 20% से अधिक फ्लैश ड्राइव अपरिवर्तनीय त्रुटियां विकसित करते हैं, क्षतिग्रस्त ब्लॉक 30-80% में दिखाई देते हैं, और चिप्स 2-7% में विफल होते हैं। 2007 के शोध पत्रों में से एक से डेटा 32 महीनों में केवल 3.5% एचडीडी के क्षतिग्रस्त क्षेत्रों के उद्भव का संकेत देता है। यह काफी कम संख्या है, लेकिन यह देखते हुए कि कुल HDD सेक्टरों की संख्या ब्लॉक या SSD चिप्स की संख्या से अधिक है, और ये सेक्टर ब्लॉक से छोटे हैं, SSD की सबसे खराब विशेषताएँ इतनी गंभीर नहीं लगती हैं।

सामान्य तौर पर, हम इस निष्कर्ष पर पहुंचे कि फ्लैश ड्राइव को सामान्य सेवा जीवन में हार्ड ड्राइव की तुलना में बहुत कम बार प्रतिस्थापन की आवश्यकता होती है। दूसरी ओर, एचडीडी की तुलना में, एसएसडी में अधिक अपरिवर्तनीय त्रुटियां हैं।

9. इस क्षेत्र में अन्य अध्ययन

कम संख्या में चिप्स के साथ नियंत्रित प्रयोगशाला प्रयोगों के आधार पर फ्लैश चिप्स की विश्वसनीयता पर बड़ी मात्रा में शोध है, जो त्रुटियों और उनके स्रोतों में रुझानों की पहचान करने पर केंद्रित है। उदाहरण के लिए, 2002-2006 के शुरुआती कार्यों में से कुछ ने फ्लैश चिप्स के रीड ऑपरेशंस के संरक्षण, प्रोग्रामिंग और उल्लंघन का अध्ययन किया, और कुछ हालिया कार्यों में, नवीनतम एमएलसी चिप्स में त्रुटियों की उपस्थिति के रुझानों का अध्ययन किया जाता है। हम क्षेत्र में फ्लैश ड्राइव के व्यवहार में रुचि रखते थे, इसलिए हमारी टिप्पणियों के परिणाम कभी-कभी पहले प्रकाशित अध्ययनों के परिणामों से भिन्न होते हैं। उदाहरण के लिए, हम मानते हैं कि आरईबी अपरिवर्तनीय त्रुटियों की घटना की संभावना का एक विश्वसनीय संकेतक नहीं है और यह कि आरईबी पीई चक्रों के साथ रैखिक रूप से बढ़ता है, न कि तेजी से।

फेसबुक पर एकत्रित आंकड़ों के आधार पर फ्लैश मेमोरी त्रुटियों का हाल ही में प्रकाशित क्षेत्र अध्ययन है - "क्षेत्र में फ्लैश मेमोरी विफलताओं का बड़े पैमाने पर अध्ययन" (MEZA, J., WU, Q., KUMAR, S., MUTLU) O. "क्षेत्र में फ्लैश मेमोरी विफलताओं का एक बड़े पैमाने पर अध्ययन।" 2015 में ACM सिग्मेट्रिक्स इंटरनेशनल कॉन्फ्रेंस इन मेजरमेंट एंड मॉडलिंग ऑफ कंप्यूटर सिस्टम्स, न्यूयॉर्क, 2015, SIGMETRICS 15: ACM, ACM, पीपी। 177-190 की कार्यवाही। )। यह और हमारा शोध एक दूसरे के पूरक हैं, क्योंकि वे बहुत कम ओवरलैप करते हैं।
फेसबुक अध्ययन के डेटा में फ्लैश मीडिया के बेड़े में एक त्वरित नज़र शामिल है, जिसमें बहुत युवा शामिल हैं (पीई चक्र मूल्यों की सीमा की तुलना में उनके उपयोग के संदर्भ में) डिस्क, और उनमें केवल घातक त्रुटियों के बारे में जानकारी शामिल है, जबकि हमारा अध्ययन आधारित है , , , , (MLC, eMLC, SLC). , .

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