Samsung lança novo SSD de 32 TB

Unidade V-NAND de 4ª geração

Os SSDs estão se tornando cada vez mais populares sistemas de armazenamento. A principal razão é que a produção de SSDs é mais barata, o preço dos drives diminui, a densidade de informações das gravações aumenta. Agora, eles estão disponíveis para um círculo muito maior de clientes do que há 2-3 anos. Os fabricantes não param por aí e estão tentando desenvolver unidades mais avançadas, rápidas e com baixo consumo de energia, com uma grande quantidade de memória.

Outro dia, a Seagate lançou o SSD de maior capacidade do mundo, com uma capacidade de 60 TB. Samsung Corporation anunciadasobre o lançamento de uma unidade um pouco menos espaçosa, com capacidade de 32 TB. Mas esse sistema foi criado usando a tecnologia V-NAND de 4ª geração, devido à qual foi possível obter uma colocação mais densa de informações e reduzir o tamanho da unidade. O SSD da Samsung tem 2,5 polegadas e o da Seagate é 3,5.

O novo SSD não foi projetado para ser instalado em laptops ou PCs comuns. Esta unidade está posicionada como um sistema de armazenamento de informações corporativas. O SSD da Samsung será instalado nos sistemas de hardware e armazenamento do servidor. As empresas de telecomunicações que trabalham com um fluxo cada vez maior de dados exigem que os fabricantes produzam sistemas de armazenamento de dados mais espaçosos com maior densidade de registro de informações. A empresa está tentando produzir soluções que atendam às necessidades modernas de tais empresas.

A Samsung planeja atingir 100 TB para um SSD regular até 2020. Como mencionado acima, o SSD de 32 TB da Samsung é o primeiro dispositivo construído com a tecnologia V-NAND de quarta geração. V-NAND é uma tecnologia de memória flash "vertical" - 3D NAND. As células de memória são desmontadas não apenas no plano, mas também verticalmente, em camadas. O SSD atual usa memória com 64 camadas. Na terceira geração do V-NAND havia 48 camadas.

Na matriz de 48 níveis, as camadas verticais formaram um único todo devido à conexão através de 1,8 bilhão de aberturas de canais. Esses furos são criados usando uma técnica de gravação especial. Como resultado, cada chip fabricado de acordo com a metodologia anterior contém 85,3 bilhões de células. Cada célula armazena 3 bits de dados. O chip V-NAND de 3ª geração fornece armazenamento de 256 GB de dados. Tais chips são empilhados em camadas.

Segundo a Samsung, o modelo de 32 TB é mais rápido e confiável do que o detentor do registro anterior de 15,36 TB. As especificações para o novo disco serão apresentadas posteriormente, embora já existam alguns detalhes técnicos. Esse modelo SSD pertence ao tipo de unidades SAS (SCSI anexado em série). É incompatível com os slots NVMe, que estão se tornando mais comuns em um novo tipo de dispositivo de armazenamento. A Samsung acredita que o SAS dominará em um futuro próximo; portanto, em um futuro próximo, a empresa planeja lançar esse tipo de SSD.

A corporação sul-coreana também introduziu a memória flash Z-SSD, NAND, posicionada como armazenamento para data centers, que hospedará cache ou outros dados temporários. Esses tipos de mídia destinam-se à instalação em matrizes flash, onde os resultados intermediários da computação são armazenados durante o processamento de grandes matrizes de dados por sistemas de computador altamente carregados. A velocidade de gravação seqüencial no Z-SSD é 1,6 vezes mais rápida que o SSD Samsung PM963 NVMe. Os Z-SSDs serão lançados no mercado no próximo ano.

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