👩🏽‍🌾 🍶 🧤 三星永不过时-15 TB SSD ⌛️ 😫 🧓🏻

2.5英寸外形尺寸的新型15 TB PM1633a SSD设计用于企业存储系统。三星电子宣布，他们现在已经准备好生产容量最大的固态硬盘（SSD）-15.36 TB。

具有12 Gb / s串行连接SCSI（SAS）的2.5英寸SSD专为高级存储系统设计。 PM1633a的随机读取和写入速度高达每秒200,000次和每秒32,000次I / O操作（IOPS），提供了惊人的性能。据该公司的专家称，这可以实现高达12,000 Mbps的数据传输速率。该公司还声称，具有SATA接口的经典SSD最高可达到5.5-6 Gb / s。

由于PM1633a是采用2.5英寸的尺寸制造的，因此可以轻松地安装在标准服务器平台及其他平台上。此外，SSD为所有后续驱动器的可持续性设定了新的标准-三星表示。 15.36 TB PM1633a光盘每天支持一次完整复制。这意味着每天您可以在一个驱动器上记录/重写15.36 TB的数据而不会发生故障。

与基于MLC和TLC NAND闪存技术的典型SATA SSD相比，SSD可以写入多达10倍的数据。三星还声称将押注新的PM1633a系列，这是高级硬盘中无可争议的最爱。但问题在于，三星尚未公布新的超高端固态硬盘驱动器的大概价格。众所周知，以固态硬盘为代价，它们无法摆脱传统的硬盘驱动器。

正如三星电子应用程序开发高级副总裁李荣培在声明中所说：

为了满足高端存储系统领先制造商对超高性能SAS SSD不断增长的市场需求，我们将所有精力集中在满足SSD客户的需求上。

PM1633a SSD的性能基于四个因素：3D NAND（垂直NAND或V-NAND）存储芯片；16 GB DRAM; 三星专有的控制芯片；12 Gb / s SAS接口。随机读取/写入速度比SAS硬盘驱动器的随机读取/写入速度快1000倍。该公司还说，顺序读取和写入速度是典型SATA SSD速度的两倍以上。

三星256GB 256位V-NAND存储器微芯片的组合使SSD可以在单个驱动器中提供空前的15.36TB存储容量。 V-NAND或3D NAND体系结构使您可以像微型摩天大楼一样将NAND单元堆叠在一起。从128 GB到256 GB，它的密度不仅是标准NAND芯片的两倍，而且还提高了性能。

三星最初于去年8月发布了48层V-NAND，称这是NAND多层单元（MLC）中每单元3位的运动竞赛。

三星256 Gb 3D NAND微芯片。三星去年开始大规模生产基于48层3位分层单元（MLC）的256GB 3D垂直NAND（V-NAND）闪存微芯片。

在V-NAND芯片中，每个单元使用相同的3D电荷陷阱闪存（CTF）结构，其中单元阵列垂直堆叠以形成48级阵列。该阵列通过18亿个通道开口垂直连接。孔本身是使用特殊蚀刻技术形成的。每个芯片总共包含超过853亿个单元。它们每个都可以存储3位数据。结果，您将获得2560亿位数据，换言之-芯片上有256 GB的空间。

容量为512 GB的块是由256 GB的微芯片形成的，这些芯片堆叠在一起以提供所需的15 TB以上的容量。总共，PM1633a SSD包含约32个512 GB的块。使用三星的第三代256 GB V-NAND技术，PM1633a的性能有望提高，并比其前身PM1633更加可靠。先前的型号使用32层的三星第二代128GB V-NAND。

2014年，三星成为第一家推出具有3位MLC架构的3D NAND闪存芯片的公司。 2014年10月，公司宣布量产32层V-NAND芯片。去年8月，公司代表宣布了有关48层V-NAND芯片批量生产的新公告。

尽管三星可以率先创建15 TB SSD，但还有其他领先公司正在开发48层3D NAND芯片。去年，SanDisk和东芝宣布他们还准备生产每层256 GB 3位微芯片（X3）48层3D NAND，其吞吐量将是其早期型号的两倍。

英特尔和美光还宣布了3D NAND。两家公司都吹嘘他们的技术将允许创建容量从3.5 TB到10 TB的SSD，同时保持2.5英寸的外形尺寸。

除了15.36 TB型号外，三星还将在不久的将来提供7.68 TB，3.84 TB，1.92 TB，960 GB和480 GB的PM1633a SSD。由于SSD是面向企业的，并且将出售给零售价值中介，因此三星没有透露这些驱动器的价格。

三星永不过时-15 TB SSD

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