🐘 ⏺️ 🤴🏼 纽约州立纳米技术：纽约州立大学及其公司如何将国家转变为21世纪的硅谷 👩🏿‍🚒 🍁 🎰

自1990年代以来，纽约州（美国）已经从经济问题的地区发展成为纳米技术领域领先的研发中心。这是一个很好的例子，说明地方当局在全球范围内采取的一项单独举措可以如何改变竞争激烈的行业。通过在大学的研发基础设施上吸引大量投资并与私营企业和区域建筑组织建立有效的合作关系，纽约州得以改变美国半导体行业的竞争环境，将这一高科技行业的大量投资流和工作岗位返还给了美国。

纽约半导体纳米技术发展中心是纽约州立大学奥尔巴尼分校（SUNY Albany）及其下属的纳米科学与技术学院（CNSE纳米科学与工程学院）的子公司。纽约州立大学是美国最大的大学，拥有88,000名教职员工和468,000名学生，每年的研发预算约为10亿美元。该州对大学研究基础设施的长期投资使其成为该地区的主要经济推动力，并成为世界领先的纳米技术中心之一。

纽约州立大学阿尔巴尼分校是六个高科技国家集群之一，这些集群是将大学的研究与开发与区域创新项目相结合而创建的。由于国家主管部门，大学管理部门和大型企业之间的有效互动，因此形成了这样的创新集群成为可能。结果，自2000年代初以来，纽约已实施了许多高科技，纳米技术和半导体领域的重大投资项目，即所谓的“技术谷”，即世界上最先进的半导体生产中心和“纳米技术走廊”。纳米技术领域的研发中心网络，纽约州本身开始被称为21世纪的硅谷。

所有这些成功也是值得注意的，因为这些项目的主要发起者和投资者不是联邦政府，而是州领导和高科技公司，其实施是通过纽约州立大学，区域建筑组织和当地私营企业进行的。

纽约州技术谷纳米技术走廊纽约州

美国半导体行业：利益与挑战

美国是半导体工业的发源地，而美国半导体公司在技术发展和全球市场份额方面处于领先地位。然而，随着技术的进步导致半导体电路尺寸的不断减小直至小型化的物理极限，半导体工业面临着不断的挑战。因此，开发和生产的成本急剧上升：例如，用于生产当前一代（300毫米）的半导体晶片的工厂的成本超过30亿美元，而下一代（450毫米）的晶片的成本高达100亿美元以上。

半导体公司通过建立协作以及日益增加的研究和生产职能外包来应对这些挑战，因为它们成本最高，风险最大。包括美国在内的全球越来越多的半导体公司都按照无晶圆厂原则运作，也就是说，他们将产品的生产委托给独立的工厂（铸造厂），后者以合同的形式提供服务。

从1980年代初开始，美国就开始失去其在半导体工业中的领导地位，其他国家（主要是日本）开始寻找发展自己的半导体工业的方法。研究和生产功能外包的趋势在1990年代生动地表现出来，这是由于在中国，韩国，以色列等国家建立了这样的半导体工厂，这些工厂由于当地的低价而可以接受更低价格的美国公司的订单。税收，廉价劳动力和广泛的政府支持。

此外，一些州在建立本地研究和制造工厂时对美国半导体公司提供了明显的优惠。因此，2005年，以色列与Intel达成了一项协议，根据该协议，该公司在Kiryat Gat建造了一座现代化的半导体制造工厂Fab28（45 nm，300 mm），以换取总计10亿美元的税收优惠。

美国将半导体制造设施和研究中心大规模转移到其他国家，特别是在东亚地区的前景，给美国政府带来了合理的警钟，因为它们极大地损害了该国的安全和技术竞争力。技术过程领域的研发能力-即确保半导体产业运行所必需的知识产权和专有技术-直接集中在大多数现代产业周围。这些行业的外包或它们在国家的完全消失意味着丧失了高素质的人员和知识产权，没有这些行业，竞争性行业就无法运转。

同样，用于印版生产以及其他技术和计量功能的复杂供应链也直接集中在工厂周围。显然，这些趋势对美国经济产生了负面影响，并危害了许多相关行业。

纽约州技术创新

纽约州领导层巧妙地利用了日益增长的对美国半导体产业的竞争压力，以应对1990年代该地区的经济下滑。在当时的州长乔治·帕塔基（George Pataki）的倡议下，有兴趣的政府和企业代表组成了一个工作组，以解决纽约传统经济体系的裁员问题，例如钢铁行业和该州的高科技公司。：通用电气，施乐，柯达。

州长工作组制定的策略涉及将研发，教育和商业整合到一个以大学为基地的研究和创新中心周围。在IBM的影响下，纳米技术被选为创新的主题领域-即在原子水平上操纵物质的可能性。选择取决于纳米技术的多功能性及其在各个领域中的应用可能性：通信，电子，清洁能源，制药和医药，航空，航天和军事应用。此外，该选择受到工作组活跃成员材料科学家Alain Kaloyeros的影响，他在1990年代初是纽约州立大学阿尔巴尼分校的教授[1]。

在纽约州，纳米技术最明显的应用是半导体行业。自1960年代以来。在纽约州菲什基尔，IBM的半导体制造工厂正在运营。尽管IBM在微电子领域拥有最先进的功能，到1980 m。该公司认识到，随着微电子产品生产中成本和风险的增加，它被迫越来越依赖外部供应来源以及与外国制造商的合作，以确保为其电子产品和系统提供稳定的现代组件供应。

IBM一直积极参与许多政府和行业计划，以应对不断增长的技术挑战，并保持稳定的供应商基础，从而可以为公司提供所需质量和数量的组件。这些举措中最重要的举措是于1987年成立了研究联盟SEMATECH，旨在提高美国半导体行业的质量和竞争力。

SEMATECH

SEMATECH（半导体制造技术）成立于1987年，是一个非营利性或非营利性财团，在其预竞争（非生产）应用阶段对半导体集成电路技术的有希望领域进行基础研究。 SEMATECH是在美国政府与14家美国半导体公司之间的合作伙伴关系下创立的，目的是确保美国半导体行业的技术优势优于日本竞争对手，后者在1980年代中期的半导体器件生产方面居世界第一。为了为美国SEMATECH财团的工作提供法律支持，1984年通过了多项立法，其中包括：《半导体芯片保护法》为知识产权提供了保护，《国家合作研究法》放宽了对从事研发的合资企业的反托拉斯（antitrust）限制。

美国14家最大的微电子公司是SEMATECH的最初参与者：AT＆T微电子，Advanced Micro Devices，IBM，Digital Equipment，Harris Semiconductor，Hewlett-Packard，Intel，LSI Logic，Micron Technology，Motorola，NCR，National Semiconductor，Rockwell International和Texas Instruments。最初，大多数公司对政府的倡议不感兴趣，并在政府的压力下加入了该财团。 SEMATECH的年度预算为2亿美元。在头五年中，年度预算的一半由美国政府通过国防部高级研究局（DARPA）支付。剩余金额由SEMATECH会员贡献了其销售额的1％。最低付款额为100万美元，最高付款额为1500万美元。大约三年后，财团不断崩溃，但又过了两年，SEMATECH董事会意识到了合作的好处，买断了政府的份额，整个预算开始仅由SEMATECH成员提供。

1994年，取消了对外国合作伙伴参与的限制，其他国家最大的半导体制造商也加入了这个联盟：英飞凌（德国），NEC（日本），松下（日本），三星（韩国），东芝（日本），台积电（台湾））和SEMATECH成员总共生产了全球半导体IC市场的50％以上。根据其状态，SEMATECH本身不能设计，制造或销售半导体产品。 SEMATECH成员为财团提供财务资源和核心研究人员。在该联盟的全部400名员工中，有220名是参与公司的代表，这些公司应该在德克萨斯州奥斯汀的该联盟的主要研究中心工作6到30个月。

自1980年代中期以来，纽约州领导层一直在寻找加强该州在半导体行业中地位的方法。在1987年SEMATECH成立期间，纽约试图成为一个以财团为基地的地方失败了（相反，该组织定居在德克萨斯州）。 1988年，在当时的纽约州州长Mario Cuomo的倡议下，纽约州立大学阿尔巴尼分校引入了半导体技术高级培训计划。 1995年，对SUNY-Albany的教育和科学基础设施进行了首次重大投资。在2000年代初期，SUNY-Albany与IBM之间签署了一项合作协议，以在世界上没有类似物的300毫米直径晶圆上建立纳米电子学的研究和原型制作中心。

州政府制定了一项大型拨款计划，以发展半导体产业的研究基础设施，该计划得到了该产业的广泛支持，在某些情况下还得到了联邦政府的支持：

纽约州拨款8500万美元用于建设CENN纳米电子与纳米技术卓越中心。公私投资总额为1.85亿美元，IBM是主要的私人投资者。

纽约州已拨款1亿美元在奥尔巴尼创新中心开发半导体制造技术。公私投资总额为3亿美元，其中东京电子为主要私人投资者。

纽约州已承诺提供3500万美元，以支持超集成超级互连技术中心（一种纳米级互连技术）。该项目由DARPA和微电子高级研究公司（MARCO）共同资助。

其中许多项目的研发基础设施部分由富勒路管理公司（Fuller Road Management Corporation）私人投资提供，富勒路管理公司是一家私人公司，其基础是纽约州立大学研究基金会和奥尔巴尼大学基金会之间的合作关系，用于管理已建成的纳米技术集群设施。

2001年9月，纽约州州长乔治·帕塔基（George Pataki）在纽约州立大学阿尔巴尼分校（SUNY-Albany）教授阿兰·卡洛耶罗斯（Alain Kaloyeros）的参与下，会见了SEMATECH总裁Robert Helms，并说服他在纽约开设了SEMATECH研究中心。这项于2002年宣布的交易标志着SUNY-Albany与SEMATECH之间的研究合作的开始。根据该协议的条款，国家和SEMATECH在联合研究上的投资分别为1.6亿美元和4000万美元。 SUNY-Albany和SEMATECH在物质方面（包括SEMATECH的专有技术）投资了1.2亿美元； IBM已为该大学投资了1亿美元的设备和其他资源。纽约州又投资了5,000万美元，在奥尔巴尼建设了两个研究实验室。

2000年至2002年抵达纽约SEMATECH财团和日本公司Tokyo Electron标志着制造公司以及半导体设备和设备供应商向奥尔巴尼地区稳定和不断涌入的开始。东京电子和SEMATECH的主要吸引力是在该大学建立了直径300毫米的半导体晶圆研究中心。在2000年代上半年举行半导体工业从直径200毫米的板到300毫米的过渡极大地降低了产品成本，但是由于对研发和工厂建设的投资空前高涨。在奥尔巴尼建立了300毫米研究中心，使小公司可以使用只有行业巨头才能负担得起的设备。得益于对SUNY-Albany研究基础设施的大规模投资（其他公司可以访问），纽约州成功地将所有形成纳米技术集群所需的关键因素集中在一个地方。

自2005年以来，在奥尔巴尼地区的投资增长更多。 2005年，全球最大的半导体工艺设备制造商之一的ASML宣布对奥尔巴尼投资3.25亿美元。 IBM，Advanced Micro Devices，Micron Technology和Infineon已投资6亿美元，该州已向INVENT联盟投资了1.8亿美元，旨在整合公司的技术能力以开发先进的光刻技术。 2005年9月，IBM和Applied Materials在奥尔巴尼共同投资了3亿美元用于纳米技术研发。
2006年，AMD宣布了计划在萨拉托加区建设一座耗资32亿美元的半导体晶圆厂的计划，这是该公司与加州之间进行了近八年谈判的结果。 2008年，IBM与纽约州签订了价值16亿美元的合同，其中包括建设MEMS研究中心和半导体封装技术，以提供675个工作岗位，总面积为12,000 m2。在纽约州立大学阿尔巴尼分校的结构中创建的纳米级科学技术中心（CNSE）成为该中心的所有者和中心。 2010年，SEMATECH财团宣布将其业务完全从德克萨斯州奥斯丁转移到奥尔巴尼。

结果，在纽约州，有可能在纳米电子学和微电子学领域形成一个纳米技术集群，该集群实际上结合了最新半导体组件的开发和生产的整个技术周期，包括专家的培训，实验样品的开发和生产，其商业生产，必要工具的开发和生产。，设备和工具。

CNSE：纳米科学技术学院

2004年，作为SUNY-Albany的一部分成立了纳米科学与工程学院（CNSE），其目的是培训纳米技术领域的高素质专家。 CNSE创建的发起者是当时的纽约州州长乔治·帕塔基（George Pataki），他深信创建纳米技术学院将导致高科技集群的形成。该学院受到了纽约州立大学其他研究所和商业公司的吸引，此外，CNSE开始吸引在该大学担任研究职位的科学家（包括来自IBM和SEMATECH的科学家）。到2007年，CNSE的学生人数为120人，而最初的40人，其中包括杰出的科学家，例如，GE全球研究部首席碳纳米管专家李季雄。

CNSE指南。中心是SUNY-Albany的总裁兼首席执行官Alain Kaloyeros。

2006年，股票市场出版物Small Time将CNSE命名为“纳米技术研究第一大学”。 2007年，联盟SEMATECH放在CNSE其总部的领土，允许高校建23000米，建筑面积²价值1亿美元（NanoFab East）。在2008年的一次演讲中，SEMATECH的首席执行官Michael R. Polcari指出，尽管奥尔巴尼财团的研究活动主要限于光刻技术，“未来，几乎所有SEMATECH的主要研究项目都将在奥尔巴尼进行，包括技术开发。三维互连。”据他说，“ SEMATECH成员正在努力的大多数技术突破现在都在CNSE进行，从而创造了功能更强大，利润更大的计算机芯片。纳米技术学院领导着所谓的紫外线（EUV）光刻领域的领先研究，其中极短波长的光用于蚀刻晶片上最小的组件和电路” [2]。

到2015年，已有4个领域的400多名学生在CNSE学习：

纳米科学（学士，硕士，博士）
纳米技术（学士，硕士，博士）
纳米生物技术（博士）
纳米产品经济学（博士学位）

CNSE包括大量研究中心和实验室，其中教职员工，学生和商业公司的代表在其中实施许多研究计划。以下是其中一些列表：

太阳能领域的发展中心。合作伙伴：SEMATECH，美国光伏联合会。
纳米材料和纳米电子卓越中心（CATN2）。
纳米级光刻技术中心（CNL）。合作伙伴：Vistec Lithography，Inc.
半导体技术研究中心（CSR）。合作伙伴：IBM，Advanced Micro Devices，SONY，东芝，Tokyo Electron，应用材料。
计算机芯片集成研发中心（CICC）。合作伙伴：IBM和SEMATECH。
应用材料研发中心。

CNSE在奥尔巴尼的核心是纳米技术园区，其材料基础（培训，实验室和办公空间）为120,000 m ²。一流的洁净工业用房面积为12 500 m ²他们收集了独特的实验室和生产设备，包括一条完全集成的生产线，用于在直径为300 mm和450 mm的板上生产集成电路的试验原型。 CNSE纳米技术中心聘用了4,000多名科学家，研究人员，工程师，学生和教师。 CNSE中心和实验室不仅位于奥尔巴尼纳米集群内部，而且遍布纽约州（布法罗，罗切斯特，锡拉丘兹，卡南代瓜，尤蒂卡）的边界。 CNSE发展的总投资额超过430亿美元。

CNSE与工业公司和公司的整合规模也很大。CNSE公司的合作伙伴超过300个，包括纳米和微电子领域的全球领先公司和财团：IBM，英特尔，GlobalFoundries，三星，台积电，东芝，应用材料，东京电子，ASML，Lam Research，SEMATECH，G450C。从专家的集中度，对基础设施的投资和完成的工作量两方面，CNSE都已成为全球领先的纳米技术研究和教育中心。

CNSE基础设施

CNSE不仅在奥尔巴尼的校园内，而且在整个州都拥有基础设施。下表总结了CNSE的主要属性及其技术能力。

对象	城市名	试车	投资额，百万美元	面积，平方米	-, 2
NanoFab 200 (CESTM)	, CNSE	1997	16,5	6500	370	22 – 90 200
NanoFab South (NFS)	, CNSE	2004	50	14000	3000	14 , 22 , 28 , 32 , 45, 65 , 90 300
NanoFab North (NFN)	, CNSE	2005	175	21200	3300	14 , 22 , 28 , 32 , 45, 65 , 90 150, 200, 300
NanoFab East (NFE)	, CNSE	2009	150	23000	–
NanoFab Central (NFC)	, CNSE	2009	150	9300	1400	14 , 22 , 28 , 32 , 45, 65 , 90 300
NanoFab Xtension (NFX)	, CNSE	2013	365	46000	4600	7 ( ), 10 , 14 300, 450
Zero Energy Nanotechnology (ZEN)	, CNSE	2015	191	33000	–	«» . .
(SCiTI)		–	30			, , ,
(CNSE SEDC)				1700		CIGS
(QUAD-C)			125	23000	5200	: ANS, SEMATECH, Atotech, IBM, Lam Research and Tokyo Electron
Marcy			–	766000	342000	450 3 .
CNSE's Central New York Hub for Emerging Nano Industries		2015	150	9670
CNSE's Smart System Technology & Commercialization Center (CNSE STC)	, -	2010	39	12000	2400	. . 200, 300
CNSE's Photovoltaic Manufacturing and Technology Development Facility (CNSE MDF)				5300	1850
Buffalo Medical Innovation and Commercialization Hub			250			: , , , ,
Buffalo High-Tech Manufacturing Innovation Hub at RiverBend		1	1 725	25600		: , ,
Buffalo Information Technologies Innovation and Commercialization Hub			55			IBM: IT , ,

CNSE

根据CNSE官方信息，奥尔巴尼的纳米技术园区是一个完全集成的培训，研究，开发和原型制作系统，可通过与政府机构协调，技术加速，业务孵化，试点原型制作和测量为该园区的企业居民提供战略支持。

该综合体的研究和生产基础设施在纳米和微电子学，纳米光子学和光电子学，纳米和微机电系统（NEMS和MEMS），纳米电等领域提供了完整的工作周期。

半导体制造

全球最大的全套设备，可在直径450毫米的板上生产：

在G450C联盟的主持下进行的开发和生产：CNSE，IBM，Intel，三星，TSMC，Global Foundries；
标称技术14/10 nm;
正在开发10-7 nm的技术；
到2016年，设备可用性将达到96％；
450 mm光刻设备安装计划：
- 2013年-原型，193i：构造14 nm结节
- 2014 Beta 193 i /干
- 2014 Beta测试，EUV
- 2015-开始生产193i /干式
- 2016年-开始生产EUV
- 2016年-生产193i /干式
- 2017年-EUV生产

450 mm平板的集成线段。

在直径为300毫米的板上生产

清洁生产设施，总面积为12,500平方米；
标称技术：14 nm，22 nm，28 nm，32 nm，45 nm，65 nm，90 nm CMOS和RF CMOS;
正在开发10-7 nm的技术；
全套设备：120多个安装；
每月生产5,000个板块（每天30个）的生产能力；
引航线全天候24/7；

工艺流程：

光刻（MUV，193i，EUV，电子束）；
薄膜沉积（金属，CVD，电介质）；
化学机械平面化（CMP）；
蚀刻
掩模组（90 nm，65 nm，32 nm，TSV）;
CMOS集成（无源RF元件，RF场效应晶体管，MDM电容器，MEMS）。
热处理（铜退火）；
金属化（FEOL：NiPt（5％），Ti，TiN，TiOx，Si，Ta，TaN，TaOx。BEOL：Ta，TaN，Cu，Ti）。
液体化学处理
植入
分析研究（AES，FIB，SEM，SIMS，TEM，XPS，AFM）

比较直径为300 mm的板和通过193 nm浸没式光刻（193i）构造的第一个450 mm板。2014 年 6月。

在直径为100 mm，150 mm，200 mm的板上生产：

NanoFab 200和NanoFab North的清洁生产设施；
基材：硅，玻璃，陶瓷，聚合物。
制造的设备：MEMS，bioMEMS，RF MEMS，微流体，微光学，3D处理。

工艺流程：

薄膜喷涂（PVD，ALD，PECVD，蒸发;
结构化（EVG键合机/对准器设置）；
蚀刻（液体，TMAH，KOH，干燥，氧气）；
粘接（阳极，热压，环氧树脂，临时）；
化学机械平面化（CMP）
完整的测量周期。

除了满足纳米集群参与者需求的微电子生产外，CNSE还接受来自非CNSE居民的第三方组织的直径200 mm和300 mm的平板的制造订单。在这种情况下，申请人应与CNSE业务发展副总裁联系，以评估该项目的可行性，大概的持续时间和成本。如果基本同意这些条件，则申请人填写加工板的申请表，并将其连同技术文档（拓扑，口罩，板的要求，测量结果）一起发送至CNSE，在该处开具工作发票。之后，双方签署了加工印版的合同，该项目进入生产队列。

G450C全球财团

2011年9月，州长Andrew Cuomo宣布纽约州与五家领先的微电子企业（IBM，Global Foundries，三星，英特尔和台积电）签署协议，以在纽约建立下一代半导体制造工厂。在直径为450毫米的板上。该州已承诺向CNSE投资4亿美元，前提是未将预算资金分配给任何特定的财团公司。反过来，该财团的五名成员承诺投资总额为40亿美元。

创建的组织被称为全球协会，用于开发和实施直径为450毫米的板（全球450毫米晶圆开发和部署协会，G450C）。该财团的总部位于NanoFab Xtension大楼中CNSE纳米集群的领土上，还有一条用于450毫米板的生产线（计划在2016年达到其设计产能）。

该联盟的成立旨在简化在纽约州使用新一代技术在450毫米晶圆上制造半导体的过程，每家工厂的投资成本超过100亿美元。G450C预计将在该州创造总共2500个新的高科技就业机会，而奥尔巴尼的建筑业创造的就业机会为1500。

G450C的目标是两个项目：

IBM 22 14 .
300 450 , .

CNSE项目的参与者包括纽约州大学研究基金（SUNY研究基金会），以及纽约州-纽约市城市发展公司和帝国大厦开发公司（ESDC）。

根据第一个项目的条款，IBM将在三个地点使用22 nm和14 nm技术在R＆D和原型制作上投资总计超过36亿美元，这三个地点分别位于奥尔巴尼的CNSE纳米集群以及Fishkil和Yorktown Heights的IBM工厂。

	IBM对项目1的投资（百万美元）
	2011年	2012年	2013年	2014年	2015年	合计
Fishkill和Yorktown的IBM工厂	500	1035	870	330	90	2825
中国证券交易所	200	200	150	150	100	800

IBM的投资义务可以由IBM的合作伙伴，设备和材料的制造商及供应商来履行。

反过来，根据该协议的条款，基金会（CNSE）提供了NanoFab Xtension复合体的调试服务（于2013年投入使用），为IBM提供了1000平方米的无尘室，并从纽约州（通过ESDC）筹集了不多的预算资金。 2年5亿美元。该基金代表CNSE拥有从预算资金中获得的所有使用22 nm和14 nm技术的材料和技术设施，工具和设备。

	纽约州对第一项目的投资（百万美元）
	2011年	2012年	2013年	2014年	2015年	合计
中国证券交易所	40	70	60	30	0	200

根据项目2的条款，基金会（CNSE）为G450C成员提供了2,300平方米的额外洁净室空间。在购买设备方面，该基金在5年内吸引了国家预算资金，总额不超过2亿美元（不包括材料和技术设施）。反过来，财团成员承诺投资总额超过8.25亿美元。基金购买的在450毫米板上生产的设备，材料和技术设施仍然是基金（CNSE）的财产，并以每年1美元的价格租给一个财团。G450C在2015年6月生产的无尘室。 根据投资协议，双方计划在2011-2015年间为该项目提供资金。如下（国家投资不包括房屋建设成本）：

	投资额（百万美元）
	2011年	2012年	2013年	2014年	2015年	合计
纽约州（通过基金会和ESDC）	10	30	40	70	50	200
英特尔	7.5	15	15	15	22	75
三星	7.5	15	15	15	22	75
台积电	7.5	15	15	15	22	75
伊本	7.5	15	15	15	22	75
全球代工厂	7.5	15	15	15	22	75
设备制造商和供应商	25	75	100	150	100	450

结论

CNSE纳米集群的创建机制对于美国高科技集群而言是非常传统的-大型州立大学（SUNY）形成了专门的研究中心（CNSE），这反过来开始吸引其发展的领先工业公司。区域当局的帮助在其中起着重要作用-最初，对纽约州政府的支持直接通过“其”大学的各种战略发展形式，然后通过税收优惠，基础设施项目的融资以及对工业公司的定向拨款。

SUNY-Albany纳米集群的主要参与者：

由于纽约州因其领土和经济状况而可以吸引的独特的财务和人力资源规模，纽约纳米技术发展模型的适用性在美国其他州和其他州的小型领土单位的级别上受到限制。但是，该模型的基本原理可以成功地用于解决更广泛的地区和国家（包括俄罗斯）的类似问题。

从提到的组织的开放源代码和官方网站上的材料准备

[1]国家和地区创新计划最佳实践。韦斯纳华盛顿特区，2013年

[2]“ SEMATECH老板对纳米学院的研究”，《时报联盟》，2008年5月20日。

纽约州立纳米技术：纽约州立大学及其公司如何将国家转变为21世纪的硅谷