设计逆变器电源板的复杂性

大家好!我将以适度的步骤继续进行有关铁电动自行车发展的系列文章。让我们从最有趣的开始-逆变器,它控制电动机。我想更多地谈谈构建电源板的复杂性和晶体管的温度状况。


模型经芯电动自行车

设计用于高频大电流的电路板时的主要问题是导体,电容器,晶体管外壳的电感,或者说是由于导体,电容器,晶体管外壳所导致的发射以及需要为按键设置参数余量的问题,这导致了设计成本的增加和开关损耗的增加。

在感性负载上工作的过程中,当电流中断时,按键上会出现电压浪涌,其等于∆V = -L(dI / dt),其中∆V是电压变化的幅度,L是电感,dI / dt是电流的变化率(上升)或减少)。

让我们以两相PWM的特殊情况为例,电流最初流经闭合键Q2,然后电流通过上键Q1在电动机电路中累积。为简单起见,Q6键始终处于打开状态。

红色方向表示初始电流的路径。在切换时,Q2键打开,但是此键上的电压变为MOS晶体管的寄生二极管上的压降的负值。发生这种情况的原因是,存储能量的电动机的电感试图“节省”其电流并产生一个负电压。然后,按键Q1开始导通,电感L_DC +,L_Q1D,L_Q1S,L_DC处的电流逐渐增加。其中L_QnD是晶体管外壳的漏极电感,L_QnS是源极电感,L_DC是板电感。在将电流从电路的一部分转移到另一部分的过程中,晶体管Q2自身上突然检测到的电压大于通过电源总线提供的电压,并安装在输入电容上。


以100A的电流进行切换的示例

该电压的大小将成比例地大于开关速度。我们不想在切换过程中在按键上分配大量热量,因此,当按键立即切换时,这被认为是理想的选择,但实际上这是无法实现的。简而言之,这种转变发生得越快,关键损失就越小,但是与此同时,转变发生得越快,在L_DC,L_Q1D和L_Q1S上产生的应力激增就越大。另一个很少提及的现象,但在此过程中最虚假的现象可能是二极管Q2的电荷。由于在关断Q2和导通Q1之间存在一定的死区时间,因此反向恢复电荷在二极管Q2上累积,在晶体管的文档中,它表示为Qrr,以纳伦为单位。当Q1接通时,会产生直通电流,这将恢复寄生二极管Q2。该电流的大小将越高,则需要导通Q1的速度就越快,并且流经晶体管的电流就越大。从此处开始,在L_Q2D,L_Q2S处会发生额外的电压浪涌。这个开关在英语中被称为“ hard”。艰难的换行。

如果选择的晶体管没有电压裕度,则这种浪涌会引起雪崩,这将大大缩短晶体管的寿命,如果长时间暴露,则会完全损坏它。



在这种切换过程中,可能会发生RF振荡(大约为数MHz的“振铃”),涉及到电感L_Q(1,2)S和晶体管Q1 / 2的栅极与漏极之间的杂散电容。由于在传统的TO220 3引脚情况下,控制信号实际上是通过功率支路提供的,这会引入其自身的干扰。为解决此问题,在电源组件模块中输出了一个单独的控制信号源引脚,该引脚上没有电源干扰。在打开晶体管Q1的瞬间,开始流过源极的电流在晶体管的源极引线的电感上产生电压降,这会减慢打开速度。另外,急剧的电压降会干扰该过程,这也会通过杂散电容来抑制栅极控制信号。另一方面,晶体管Q2上的电压Vds急剧上升,它通过漏极和快门之间的杂散电容拉动快门以使其打开。所有这些因素的结合导致出现高频振荡,通常通过降低陡度dI / dt和dVds / dt来完成与它们的斗争,但是在打开速度,打开损耗和晶体管的振铃损耗之间存在最佳选择。


从Q2侧面观看的“软”关机Q1的示例。

Vds上的负电压(1)-脚Q2的电感。在百叶窗(3)上,只有一半的可见光,因为 在这种情况下,在示波器连接电路中,电流仅在源极分支上改变。

寄生电感器控制技术


考虑使用两种宽度相同但在板上的布置不同的导体。



假设我们的轨道宽度为10mm,长度为100mm,它们之间的距离为0.5mm。对于选项a,互感约为6.3 nH。对于选项b,电感约为132 nH。这是什么意思?让我们以1.25A / nS的当前变化率为例,如上面的屏幕截图所示,按照公式∆V = -L(dI / dt),我们可以得到选项a ∆V = -6.3 nH * 1.25A / ns = 7.8V 的电压变化。对于选项b该值将等于132nG * 1.25A / ns = 165V。这远高于我们的电源电压!实际上,将发生击穿,并且电压将保持在晶体管的电压极限之上,并且尽管晶体管处于关闭状态,电流仍将流过该晶体管。因此,你的好电容的好也不会,如果他们挂在长长的“感性” :)


可以去这里怎么这样

至于晶体管外壳的寄生元件,您将无法处理它们,尤其是板子上最短的引脚,没有长线。高频振铃被陶瓷电容器很好地分流,它们应直接位于电源总线上的按键旁边,但是通过消除使用SiC晶体管或自适应控制的晶体管寄生二极管的操作,您可以完全摆脱振铃,但这是一个不同的价格范围。减小外壳电感的另一种选择是所谓的SMD晶体管。DirectFet,PowerQFN等。但是它们也有缺点,包括更糟的散热器,SMD安装的布局困难以及价格。

关于散热器


一种或另一种方式,运行中的逆变器会产生热量。更大的电流意味着更多的热量。因为在电动机中,短时电流可能比加速和减速期间的平均值高出几倍,对于晶体管,要求确保此类峰值负载的正常热条件。表示硅晶体的标准,最高温度Tj = 175°C。



在切换晶体管时,会大量散发热量-有源损耗。无源损耗是断开状态下漏极-源极沟道电阻的损耗,时间上更恒定,更易于计算。对于短期的热冲击,晶体管的铜基板起着良好的热缓冲作用,而SMD分量又少了-它明显更小。从晶体到所选择的晶体管I的情况的热阻为0.57°C / W,这意味着当它不断散发50瓦特的热量时,会形成29°C的温度梯度。对于热辐射,还需要保留一定的余量,并考虑到热电偶的一些延迟,因此选择100°C作为晶体管外壳的最终最佳值。问题来了-我可以给最大电流多长时间过热?测试了各种热接口,甚至是带有铝制底座的板。通过从晶体管的基极到散热器的热传递质量,我可以按以下顺序排列材料,从而降低热导率:


+ (2)


 + (2)
+ 



直接接触不是我们的选择,因为它不能为晶体管外壳与散热器提供电气隔离。铝板的边距很小,存在氧化铝基材。氮化物明显更贵且负担得起。根据有机硅基板和氧化铝陶瓷之间的测试,在满负载的持续时间分别为1分钟和30秒,其差值几乎是2倍。当然,该测试并不能假装具有很高的科学准确性,但价格差异却是骑自行车“翻滚”的两倍?当然,最终的选择是基于氧化铝的陶瓷!事实证明,它更容易安装,另一个好处是,拧紧螺钉时晶体管的弯曲要小得多。从导热膏的痕迹来看,夹具一直都是均匀的。关于柔性基板还不能说。

使用螺钉通过眼睛通过散热器将其标准安装到散热器上时,硅胶垫容易压缩,这可能导致表面接触不均匀。因此,最后一项是“没有导热膏的基材”,因为 她,导热油脂,在这种情况下一定程度上抵消了这种影响。当然,在这种情况下,建议使用特殊的弹簧以均匀地压住整个晶体管外壳,但是我们没有机会将它们放置在合适的尺寸内。

在乘坐中国管制员时,我经常注意到他只有一侧很热,而另一侧仍然很冷。因此,电源键的最终布局应尽可能均匀地加热整个外壳。钥匙通过一个小的铝制适配器安装在两侧。

结语


在本文中,我描述了我认为最有趣的事情。当然,在幕后是根据其特性选择MOS晶体管本身,计算芯片上的热损耗,并在脉动电流的影响下加热电解电容器。在下一篇文章中,我们将介绍设备的电路,数字化电流和实现电流保护的选项。

Source: https://habr.com/ru/post/zh-CN399693/


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