Германий может заменить кремний в транзисторах и вывести их на новый уровень

, , , FinFET-

70 – [John Bardeen and Walter Brattain] – , . , , . – , , , 20- . , , 1950-.

, . , , . – . , , . , , , .

A^IIIB^V, , , , . . , , .


FinFET , ( – , – ). «» – .

, A^IIIB^V . , , . : , . ( --) [CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor]. , , , . . , , , FinFET, .

, , , . , , , 2015 , IBM. , . , , , .

XIX . , . , – , . . , , 1946 45 1960- . ; .

. -, , . , , . , . , , .

, – . – . , . – , , – .


-, 2015

, , -. : p- FET (pFET), , n- FET (nFET), . , . , , .

, – . A^IIIB^V, , , , . 30 , . , – , . pFET, pFET -, nFETs pFETs.

– . , , Imec IBM, , nFET A^IIIB^V, pFET – . , .

. , .

	(Si)	(Ge)	(GaAs)	(InAs)
	1.12	0.66	1.42	0.35	eV
300	1,350	3,900	8,500	40,000	cm2/(V·s)
300 K	450	1,900	400	500	cm2/(V·s)
	1	0.6	2	3.5	x107 cm/s
	0.25	0.1	0.004	0.002	x106 V/cm
	1.5	0.58	0.5	0.27	W/(cm·K)

– – , , . , , . – , .

, . .

- (-- – -; metal-oxide-semiconductor field effect transistor — MOSFET). . – ; , ; , , .

. – , . , , , A^IIIB^V, . , , , . , , , . « », , , , , .


: nFET A^IIIB^V, pFET , .
: , .

, , : (SiO₂). , , . SiO₂ , SiO₂ 99 999 100 000 – .

A^IIIB^V , – , , . , (GeO₂) , SiO₂, , . , GeO₂ . GeO₂ 1-2 , 20 .

. , [Krishna Saraswat], , 2000-, , , . Imec , .

2011 , [Shinichi Takagi] . , , . . , , ( , GeO₂). , .




, pFET A^IIIB^V, . , Soitec. , 100 .

, – , – . , .

, . - , . , , . . , – . , nFET, , , .

– . , : . . .

, , . . , .

, , . , . : , . , . .




, , . , nFET, 100 . 2014 VLSI Technology and Circuits nFET, 10 , . , nFET pFET, .

, , FinFET – . , FinFET.

, , . , , . , , . .

, . , , . .

, – . A^IIIB^V, , . . , , , , , .

, , - . – – , . , , .