IBM公司已经创建了一种用于生产5纳米拓扑的芯片的技术。 前两年的最低波长是7 nm。 在生产中也使用了10 nm的拓扑，但是该技术尚未普及。 特别地，根据10 nm技术，制造了Snapdragon 835芯片，并将其安装在三星Galaxy S8中。
据专家介绍，5纳米芯片可以显着降低设备的功耗，因为此类处理器的能耗降低了75％，但其性能比使用14纳米工艺技术制造的大多数当前移动芯片高40％。 因此，在离线模式下，新设备的工作时间将比现在长2-3倍。
5纳米技术是IBM与三星和GlobalFoundries合作的成果。 事实是，公司本身现在不生产芯片，GlobalFoundries和三星可以许可该技术。 据所有合作伙伴公司的代表说，该技术将在2020年投入批量生产，然后新芯片将开始出现在市场上。 到目前为止，电子产品中盛行14纳米芯片，而这种芯片的发布始于2-3年前。
开发人员决定使用一种新型晶体管，这些晶体管被组合成硅纳米片。 电子通过四个门发送。 FinFET类型的最先进的晶体管使用了三个门，这些晶体管在现代市场中得到了广泛使用。 FinFET技术很可能会保留在7纳米芯片中，尽管它会随着时间的流逝而消失，因为它无法进行几何缩放。 半导体技术研究副总裁IBM Research穆克什·卡雷（Mukesh Khare）表示。
超越7 nm非常重要。 这在结构上和事实上现在都可以将更多的晶体管组装在一起这一点上很重要。 因此，我们可以谈谈5纳米制程，”野兔说。 微电路中晶体管的密度越高，分别在它们之间传递的信号的速度就越高，使用这种芯片进行各种任务的速度就越高。
为了生产新产品，极有可能会使用深紫外光刻技术（极端紫外光刻，EUV）。 使用相同的技术来创建测试7 nm芯片。 在使用这种方法的情况下，纳米片的宽度可以调节。 而且微调在芯片制造中非常重要。 使用FinFET无法做到这一点。
新成就对社会和商业都极为重要。 IBM研究主管Arvind Krishna表示：“对于企业和社区而言，认知和云计算至关重要，随着半导体技术的新进展的到来，认知和云计算将得到改善。 他说，这就是IBM积极推广能够突破生产能力界限的新型架构和材料的原因。