英特尔历史页面。 1101年-第一个带有硅快门的MOS

英特尔1101 静态RAM成为第一个大规模金属氧化物半导体(MOS)和第一个使用硅栅的芯片。 该芯片是辛勤工作的结果,但事先没有应有的结果。 至于MOS的概念基础,它们是在英特尔成立之前就奠定的,但是到目前为止,还没有人接近创建其商业化生产的技术流程-这是一个很大的风险。


英特尔公司的第一位工艺工程师汤姆·罗威(Tom Rowe)回忆说,最困难的事情是确保一个硅晶片上的晶体具有良好且稳定的“产量”。 英特尔的目标是用华夫饼实现20个晶体的结果。 起初,这似乎是不可能的。 “如果我们解决了一个问题,那么接下来的一个问题就会随之而来…………以任何方式都没有向我们提供生产硅栅极的技术过程。 我们不断对其进行更改,但是,尽管我们付出了很大的努力,但晶体的产量却没有超过平板的两倍。 从商业角度来看,这是一场灾难。”

但是,整个开发团队继续追求一个目标。 技术人员莱斯·瓦达斯(Les Vadasz)说:“当人们第一次登上月球时,乔尔·卡普(Joel Karp)和我几乎完成了产品的重新设计,我们在广播中听了有关”一个人的一步”的尝试。重新制作芯片。”


英特尔1101水晶照片

同时,戈登·摩尔(Gordon Moore)和蒂姆·罗(Tim Rowe)从硅的化学添加剂开始,试图改善化学键合工艺。

该公司的承诺表明了自己的价值:经过化学实验的一天,结果是意外地获得了带有25个晶体的“华夫饼”,而不是通常的两个。 每个人都很惊讶; 当Vadash发现发生了什么事时,他开始在实验室里跳来跳去,高兴地尖叫着。


英特尔1101水晶照片

Rowe说:“我们已经证明硅快门MOS具有生命权。”

MOS的成功证明了英特尔当时非同寻常的战略的正确性。 正如我们已经说过的,该公司最初同时在三个领域进行了研究。 以Intel 3101芯片形式出现的双极存储器立即出现并获利,但这项技术广为人知,太多的竞争者挤占了市场。 经过实验,多芯片存储器被认为是没有前途的。 最后,第三个领域是MOS,创建起来并非没有困难,而是具有新颖性和相关性的完美结合。 摩尔后来将其成立之初的英特尔之路称为“平衡的技术战略”。

为1101开发的工艺已成为行业标准,并且英特尔1011芯片本身是英特尔的主要收入来源。

技术指标
数量256位
访问时间850 ns
能源成本2.5 mW /位
总耗电量1瓦
外形尺寸16针
最大电流500 nA

Source: https://habr.com/ru/post/zh-CN415663/


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