三星SSD 860 QVO 1 TB和4 TB：第一个消费者SATA QLC（3部分）

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混合性能测试-随机读/写

混合测试使用从纯读到纯写的各种操作混合，增量为10％。 每种混合最多可测试1分钟，最多可测试32 GB的传输数据。 该测试以4的队列深度进行，并受64 GB磁盘容量的限制。 在每组操作之间，给驱动器的空闲时间最多为一分钟，因此总占空比为50％。



三星860 QVO在混合随机I / O测试中的性能明显低于860 EVO，但与其他主流TLC驱动器相当。 在全驱动器上运行测试会显着降低1 TB QVO 860的速度，但仍优于不带DRAM的TLC驱动器。







860 QVO的能效等级并不比性能等级好多少。 功耗比860 EVO略高，但是它并不太取决于容量或填充状态，因此能效指标大致反映了性能指标。

860 QVO以相当低的随机读取速度启动，但是随着工作负载向写入转移，性能稳定地提高，最终超过了860 EVO。 在全驱动器上运行测试时，在测试的最后步骤中1TB 860 QVO会用完SLC，并且会变慢而不是加快速度。

混合性能测试-顺序读/写

混合顺序读和写测试与上一个混合测试不同，它执行128 KB顺序访问，而不是在随机位置进行4 KB，并且在队列1的深度进行。测试混合的范围相同，时序和数据传输限制与上述测试相同。



4TB 860 QVO在混合串行I / O测试中做得很好，但是1TB比无DRAM TLC驱动器要慢一点，并且明显落后于主要TLC驱动器。





SATA驱动器的电源效率指标与性能指标的差异更大，因此860 EVO和Toshiba TR200被证明特别有效，而860 QVO 4 TB是平均水平，而1 TB型号存在困难。



两种型号的860 QVO在测试的任何一端都能提供清晰的阅读或清晰的表现，并且在混合操作下表现不佳。 在测试的前三分之二期间，1TB 860 QVO在性能上的表现要强得多，但最终它会引入4TB模型。

空闲功耗

在关闭SATA通道电源控制的情况下进行SSD测试，以测量其在活动待机模式下的功耗，以及在深度待机模式下进行的测量，并检查“唤醒”延迟。 像任何传统的台式机系统一样，我们的测试台不能引起DevSleep的严重停机时间。

NVMe SSD的备用电源管理比SATA SSD复杂得多。 NVMe驱动器可以支持几种不同的空闲状态，并且通过使用“自动电源状态转换-APST”功能，操作系统可以设置驱动器的行为策略，以防您需要切换到低功率模式。 通常，需要权衡的是低功率状态需要更多时间登录和唤醒，因此在台式机和笔记本电脑上选择要使用的功率状态可能会有所不同。

我们提供两次停机时间的测量结果。 主动空闲模式是典型台式计算机的典型模式，其中没有启用任何高级PCIe通信功能或NVMe省电功能，并且驱动器可以立即准备处理新命令。 待机功耗是在启用PCIe活动状态电源L1.2和启用NVMe APST（如果支持）的情况下测量的。



在将测试数据写入磁盘后几分钟，似乎1TB三星860 QVO仍在忙于后台处理，因此我们对空闲功率的自动测量发现它仍然消耗2瓦特。 4 TB丢弃SLC缓存的速度更快，并且在活动待机模式下显示出良好的功耗指示。 尽管我们看到的功耗比正式宣布的30 mW略高，但两种驱动器在深度待机模式下均显示出良好的结果。



860 QVO的唤醒延迟与其他SATA SSD相同，约为1.2毫秒。 这不是您可以在SATA上获得的最好的，但是没有什么可抱怨的。

结论

三星860 QVO并不是我们测试的第一个消费类QLC驱动器，但在许多方面，它比英特尔660p和Crucial P1更能满足我们对新QLC技术的期望。 这些NVMe SSD非常不适合满足对低成本入门级驱动器或大容量驱动器的需求-QLC NAND似乎最有用的两个应用。 有时我们将QLC视为硬盘的替代品，而不是高速驱动器。 当QLC首次出现在NVMe固态驱动器上时，这很奇怪。 相比之下，860 QVO是可预测的产品，其设计并未带来任何惊喜。 三星通过简单地修改860 EVO以使其与QLC NAND一起使用，建立了一个久经考验的公式。

QLC NAND为了数量而牺牲质量。 QLC驱动器的生存能力基于现有驱动器足够快的假设，这对于许多三星SSD都是如此。 三星860 QVO的速度或能源效率不如860 EVO，但这不是必需的。 通常，三星会远离SSD市场的“入门级”市场，在其产品线中，此类产品的位置要比QLC技术本身更长。



与其他两个经过测试的QLC驱动器一样，需要注意的是，使用QLC NAND不会对最终产品产生革命性的影响。 860 QVO仍然对消费者友好。 它比860 EVO慢，但比我们测试过的最慢的SATA SSD快得多。 由于SLC缓存和SATA通道限制的结合，860 QVO的行为通常与其他SATA SSD难以区分。 仅基于测试结果，很难将QVO明确定义为基于QLC的驱动器，而不仅仅是相对慢的TLC驱动器。 真正的好处是SLC缓存已满后的一致写入性能，以及使用写缓存后恢复磁盘所需的停机时间。 由消费者使用时，这些方案都不是常见的。

从技术上讲，QLC NAND似乎对消费者存储市场产生了影响。 速度足够高，可以将硬盘驱动器远远抛在后面，并且记录的持久性仍然足够。 三星至少提供1 TB的860个QVO值得赞扬。 在小磁盘中使用QLC的竞争对手将面临难以忽视的缺点。 尽管三星推出了较低级别的商品，但它们并没有释放其产品不受控制。

由于使用NVMe的Intel和Micron QLC驱动器，有很多方法可以将Samsung QLC与竞争的Intel / Micron QLC进行比较。 从我们的测试来看，到目前为止还没有明确的赢家。 860 QVO超出SATA接口的测试是没有用的。 在其他测试中，Intel / Micron QLC通常更快一些，但是部分仍与NVMe接口有关。 两个QLC项目之间的能源效率通常相似。



接受QLC NAND的微小或严重缺陷，以换取可用性保证。 在所有条件都相同的情况下，理想的QLC NAND应该比TLC NAND便宜25％。 当前无法实现此目标有多种原因，而我们拥有的少数QLC驱动器仍无法提供更高的可用性。 NAND闪存的价格正在四面八方下降，因此现在不是尝试使用新技术来承受价格压力的最佳时机。 860 QVO最有可能遭受与许多入门级驱动器相同的命运-无DRAM SATA固态硬盘：主流驱动器处于价格下跌的最前沿，并且通常会将与入门级驱动器的差距减小到几乎为零。

三星针对860个QVO的建议零售价反映了这一点。 目前，三种容量中的两种容量的价格比860 QVO低860 EVO，与最好的SATA SSD之一相比。 许多主要驱动器的性能略低。 例外是4 TB区段，三星没有类似物。 4 TB市场才刚刚起步，但4 TB QVO的价格为400美元，仍然超出了普通消费者的价格范围。 几个月后检查价格可能值得回顾860 QVO。

三星计划从12月16日开始购买860 QVO。 到那时，由于假日销售而引起的价格波动应该过去，三星将有机会修改其价格。 同时，860 EVO显然仍然是最佳选择。

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