因此，一种称为DRAM和NAND的继任者的新型计算机存储器已于去年年底由三星和英特尔展示，并开始采用真正的产品形式。 至少朝这个方向又迈出了一步：英特尔公司表示，它准备在不久的将来以工业规模开始生产
MRAM （磁阻随机存取存储器）。
我们不会详细介绍MRAM存储器的设备和操作原理-您会在上面的链接中找到许多详细信息。 我们仅注意到其主要特征。 因此，英特尔使用“写检查写”方案和两阶段电流测量技术来构建使用Finn的22nm技术创建的垂直7兆字节STT-MRAM（自旋扭矩传输MRAM）阵列。
MRAM单元布局作为非易失性存储器，MRAM阵列可在200°C的温度下提供长达10年的数据，可承受10
6个写入周期和10
12个读取周期。 除了高可靠性外，MRAM还显示出令人惊讶的良率（仅0.1％的废品率），这无疑会影响成本。
我们提供其他特征：
| 技术领域 | 22FFL FinFET |
| 电池类型 | 1T1MTJ |
| 像元大小 | 0.0486微米2 |
| 数量 | 7兆 |
| 密度（包括ESA） | 10.6 Mb /毫米2 |
| 阅读时间 | 0.9 V时4 ns，0.6 V时8 ns |
| 录音时间 | 结束位10μs |
| 溢流保护 | 是的 |
MRAM技术将有助于克服存储元件小型化的极限。 此外，MRAM可以在多种条件下运行，这使得它成为物联网各种设备的最佳选择。 作为此类设备的廉价易失性存储器，您可以使用
电阻性RAM （ReRAM）-英特尔正在积极开发的另一种类型的存储器。 在这里您可以回忆起
Optane Memory-此方向的工作也如火如荼。 那就是你得到多少种。 正如他们所说，更多的记忆，美好而与众不同。