对于许多人来说，芯片是一个黑盒子，上面有一个标记。 我们看一下RAM芯片，看看里面有什么。 小型逆向工程到装配。 本文适用于那些对微电子学感兴趣并且想要了解它的人。
从GT8800视频卡中取出了实验内存，每个内存中有10个内存芯片，每个内存芯片32 MB。 研究样品的外观。 一方面，IC被塑料覆盖，另一方面，带有塑料凹槽的软沸石。
除去塑料的顶层。 在其下方，检测到大小约为9.4 x 8 mm的晶体。 塑料填充物由直径大致相同的玻璃球制成。
晶体上下颠倒，拓扑位于晶体背面。 晶体本身种植在浅棕色化合物上。 它与硅酮密封胶非常相似，只是更具弹性。 我们从晶体背面移除塑料凹槽。
凹槽隐藏在凹槽中，该凹槽实际上是用金线制成的。 一个有趣的解决方案是将焊盘放置在晶体中间。 这很可能是由于晶体倒置的事实所致，因此将其焊接到带有围绕垫的垫层垫板上的垫层垫板上将更加困难-垫垫层上需要进行更多切割。 存在一种将晶体焊接到微球的存储器，并且这种存储器以更高的频率工作。 这样的存储器在底部没有塑料槽，该塑料槽的存在表明电线解开隐藏在其中。
晶体和组织沸石的厚度大小分别为约250μm。 打破这种晶体非常容易，因此晶体的去除花费了很长时间，非常困难，紧张，结果远非第一次。 内存不在单个副本中很好。
从化合物（密封剂）中取出去除的晶体。
这是前32 MB的晶体拓扑。 内存拓扑是重复的。 在其中，您可以看到许多大小相同的重复矩形区域。 拓扑似乎是水平和垂直镜像的。
如果您接近这些矩形区域之一，那么您仍然可以在其中看到相同的正方形块。 约40倍。
通过数据屏蔽组织内存。 内存是一个数组数组。 在其中，行和列组合到存储库中，它们依次形成罐的阵列。 这些都是重复的结构。
阵列由总线组合，总线可提供电压和数据。 约400倍。 可点击的。
要对拓扑进行进一步分析，设备和知识不允许我这样做。 但是那里的某个地方，在层的深处有数百万个微型电容器和晶体管。 约400倍。 可点击的。
RAM单元DRAM。 它由一个晶体管和一个电容器组成。
结论：RAM的晶体面积很大，这适用于存储器的整个SDRAM，从DDR1到DDR6，这会耗尽晶片的硅预算，并在塑造其价值方面起重要作用。 感谢工程师最大程度地降低了组装成本–使用PCB，塑料等。 内存容量也令人印象深刻。 现在，您不会对拥有千兆字节内存的任何人感到惊讶-我们已经习惯了。